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新洁能(605111)经营总结    日期:
截止日期2020-06-30
信息来源招股意向书
经营评述
    第六节 业务和技术
    一、发行人主营业务、主要产品及变化情况
    (一)发行人主营业务情况
    公司的主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司是专业化垂直分工厂商,芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封测代工而成,公司已初步完成先进封装测试生产线的建设,将少部分芯片自主封装后对外销售。报告期内,公司主营业务未发生重大变化。
    公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一,在中国半导体行业协会发布的 2016 年、2017 年、2018 年和 2019 年中国半导体功率器件企业排行榜中,公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司是江苏省科技厅、财政厅、国税局、地税局联合认定的高新技术企业,且为中国半导体行业协会会员、中国电源学会理事单位。公司亦为江苏半导体行业协会 2017 年度先进会员单位,已建立了江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目已获得 2019 年度江苏省科学技术一等奖,并获得 2020 年度国家技术发明奖提名且已经通过初评。截至 2020 年 1 月 19 日,公司拥有 97 项专利,其中发明专利 35 项、实用新型 59 项,外观设计 3 项。此外,公司已通过 ISO9001 质量管理体系认证等多项权威认证。
    公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一,是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率
    MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一,为国内 MOSFET 等功率器件
    市场占有率排名前列的本土企业。凭借先进的技术、丰富的产品种类、卓越的品质和优质的客户服务水平,公司取得了客户的广泛好评和较好的市场口碑,并与
    客户保持了良好的商业合作关系,培育了一大批忠实客户,为公司不断积累客户资源取得长远发展提供了有力的保障。报告期各期,公司分别实现营业收入
    50375.98 万元、71579.03 万元和 77253.69 万元,净利润分别为 5189.11 万元、
    14141.89 万元和 9820.95 万元,扣除非经常性损益后的净利润分别为 6867.81
    万元、13955.56 万元和 8762.74 万元。未来公司将进一步依托技术、品牌、渠
    道等综合优势,结合大尺寸晶圆(8 英寸、12 英寸)先进工艺技术,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率 MOSFET、IGBT 的研发与产业化,持续布局半导体功率器件最先进的技术领域,并投入对 SiC/GaN 宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
    (二)发行人主要产品及服务情况
    公司的主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司产品系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。
    公司主要产品按形态分类具体情况如下:
    ①芯片
    drain
    n+
    p- p-
    n-drift
    gate
    oxide
    1/2WPsource
    gate
    pbody pbody
    WG
    tOX
    p+ p+ n+n+n+n+(芯片) (单芯片)
    注:“芯片”中包含数千颗“单芯片”产品;“单芯片”用于封装功率器件的单芯片公司是半导体行业内专业化垂直分工企业。芯片是由公司通过复杂的技术研发和产品设计流程后,将包含核心技术文档在内的研发设计方案交由芯片代工企业,芯片代工企业再通过其光刻、刻蚀、离子注入和正面金属化等半导体工艺制造流程,将晶圆材料片等原材料加工成包括电路结构、器件特定功能在内的芯片
    产品。下游部分客户采购公司芯片产品后,可以通过与其他种类的芯片和电子元器件合封,组合后形成具备特定功能的器件,再安装在电路板中实现相关作用。
    每片 8 英寸芯片包含数百颗至数万颗数量不等的单芯片,单芯片可以通过进一步
    封装测试形成半导体封装成品,即功率器件。
    ②功率器件
    注:上述功率器件的封装外形依次分别为:TOLL 封装、TO-263-7L 封装、DFN5×6 封装和 DFN5
    ×6 双基岛封装
    功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成,少部分由公司对芯片自主封装后销售。功率器件主要是指已经封装好的 MOSFET、IGBT 等封装成品,主要结构包括芯片、塑封外壳、金属底座以及引线等结构,其中芯片是核心,发挥主要功能作用。芯片通过焊料固定在框架上、连同塑封外壳等给芯片提供支撑、保护、散热以及电气连接和隔离等作用,以便使器件与其他无源器件和有源器件等构成完整的电路系统。公司功率器件系列齐全,下游应用领域广泛,收入占比逐年增长。
    公司产品器件结构不同、功能有所差异,主要分类包括沟槽型功率
    MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET、绝缘栅双极型晶体管
    (IGBT)以及功率模块等多品类产品系列。
    综上,公司的主要产品类型如下所示:
    公司各类产品使用先进的设计技术和制造工艺来实现半导体功率器件低导
    通损耗、低开关损耗和高可靠性,从而提升能源转换效率,能满足不同的客户应用需求。公司各类产品的示意图及适用领域如下:
    类别 具体内容产品芯片元胞及部分产品示意图适用领域沟槽型功率
    MOSFET
    12V-250V沟槽型功率
    MOSFET
    S
    D
    G
    MID、移动电源、手机数据线、数
    码类锂电池保护板、车载导航、汽车应急启动电源、多口 USB 充电
    器、LED 户外广告屏、电动车控制、逆变器、适配器、充电器、LED 电源、HID 灯、手机快充、金牌 PC电源、TV 电源板、电脑显卡、UPS电源等。
    超结功率
    MOSFET
    500V-900V超结功率
    MOSFET
    S
    D
    G
    手机充电器、快充、LED 驱动电源、适配器、大功率电动车充电器、大功率 LED 调光电源、超薄类 PC 适配器、TV 电源板、电动汽车充电桩、通信电源等。
    屏蔽栅功率
    MOSFET
    30V-300V屏蔽栅功率
    MOSFET
    S
    D
    S
    G
    电子雾化器、充电桩、电动工具、智能机器人、无人机、移动电源、数码类锂电池保护板、多口 USB 充电器、电动车控制、逆变器、适配器、手机快充、金牌 PC 电源、TV电源板、UPS 电源等。
    IGBT高密度场截止型绝缘栅双极型晶体
    管(IGBT)
    E
    G
    C
    G G
    UPS 电源、电焊机、电动汽车充电桩、变频器、逆变器、功率电源、太阳能、交流电机驱动、电磁加热等。 载流子存储型绝缘栅双极型晶体管
    (IGBT)其他
    MOSFET 或
    IGBT 功率模块(实物图)
    大功率电动三轮车、电动四轮车、低速电动汽车、高速电动汽车的电机控制,大功率马达驱动等。
    公司的产品用途广泛,主要运用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴领域。
    公司产品下游运用行业情况如下图所示:
    公司不断对产品系列更新升级,积极延伸所处产业链,逐步进入半导体功率器件的封装测试领域。目前,公司已初步建成先进封装测试生产线,实现少部分功率器件的自主生产。从产业链的角度来看,公司掌握了芯片设计、封装测试等重要环节,能依据行业技术发展和市场需求变动开展研发设计、并依据终端客户的需求直接生产所需产品,有利保证产品质量、提升产品性能、促进新产品开发、保障产品供应及获取更多的产业链价值。
    (三)行业分类
    根据国家统计局颁布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业属于“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”大类下“3972 半导体分立器件制造”;根据证监会《上市公司行业分类指引》(2012 年修订),公司所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。
    二、发行人所处行业的基本情况
    (一)行业的监管体制、行业主要法律法规及政策
    1、行业监管体制
    半导体行业的管理体制是国家产业宏观调控下的市场调节机制,国家主管部门制定产业发展规划、发展政策,对行业进行宏观调控,行业协会对行业进行自律规范管理。行业的主管部门是国家发改委、工信部以及全国半导体设备和材料标准化技术委员会。行业自律管理机构为中国半导体行业协会。中国半导体行业协会是半导体行业的自律规范组织,协会将会员分为六类,包括集成电路类、集成电路设计类、封装与测试类、半导体分立器件类、半导体支撑类、MEMS 类。
    具体行业管理体制如下:
    机构名称 职能行政管理部门国家发改委
    对半导体分立器件行业进行宏观调控,会同有关部门拟订半导体产业发展、技术进步的战略、规划和重大政策。
    工信部
    负责拟订实施半导体分立器件的行业规划、产业政策和相关标准,制定推动行业发展的法规政策和具体的产业发展布局,推动重大技术自主创新。工信部内设机构电子信息司主要承担电子
    信息产品制造的行业管理工作;组织协调重大系统装备、微电子等基础产品的开发与生产,组织协调国家有关重大工程项目所需配套装备、元器件、仪器和材料的国产化;促进电子信息技术推广应用。
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会
    (SAC/TC203)
    在国家标准化管理委员会和工信部的共同领导下,从事全国半导体设备和材料技术领域标准化工作的组织。标委会下设 5 个分技术委员会和 6 个工作组,工作范围涉及半导体材料、光伏材料、平板显示材料、LED 照明材料、电子化学品、电子封装材料、电子工业用气体、微光刻、设备等。
    行业自律组织中国半导体行业协会
    (CSIA)协会在工信部的业务指导和监督管理下负责行业的政策导
    向、信息导向和市场导向工作,向政府业务主管部门提出本行业发展的经济、技术和装备政策的咨询意见和建议。
    2、行业的主要法律法规及政策
    随着我国经济的持续高速发展,半导体制造行业对国民经济增长的推动作用越来越明显,半导体技术的发展及广泛应用极大地推动了科学技术进步和社会经济发展,为国家重点支持的行业。近年来,国家相关部委出台了一系列的关于支持半导体制造行业结构调整、产业升级、促进下游应用市场消费、规范行业管理以及促进区域经济发展的政策法规。行业主要的法律、法规和产业政策如下:
    序号 名称 主要内容 发布单位、日期
    1《关于集成电路设计和软件产业企业所得税政策的公告》(财政部 税务总局公告 2019 年第
    68 号)依法成立且符合条件的集成电路设计
    企业和软件企业,在 2018 年 12 月 31日前自获利年度起计算优惠期,第一
    年至第二年免征企业所得税,第三年
    至第五年按照 25%的法定税率减半征
    收企业所得税,并享受至期满为止。
    财政部、税务总局
    (2019 年 5 月)
    2《关于集成电路生产企业有关企业所得税政策问题的通知》(财税
    [2018]27 号)
    2017 年 12 月 31 日前设立但未获利的
    集成电路线宽小于 0.8 微米(含)的
    集成电路生产企业,自获利年度起第
    一年至第二年免征企业所得税,第三
    年至第五年按照 25%的法定税率减半
    征收企业所得税,并享受至期满为止。
    财政部、税务总局、国家发展改革委、工信部
    (2018 年 3 月)
    3《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录
    (2016 版)》
    (2017 年第 1 号)
    进一步明确电力电子功率器件的地位和范围,包括金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块、快恢复二极
    管(FRD)、垂直双扩散金属-氧化物
    场效应晶体管(VDMOS)、可控硅
    (SCR)、5 英寸以上大功率晶闸管(GTO)、集成门极换流晶闸管国家发改委
    (2017 年 1 月)
    (IGCT)、中小功率智能模块。
    4《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》(国发[2016]67 号)
    明确指出做强信息技术核心产业,提升核心基础硬件供给能力。推动电子器件变革性升级换代,加强低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光电子、混合光电子、微波光电子等领域前沿技术和器件研发,功率半导体分立器件产业将迎来新的一轮高速发展期。
    国务院
    (2016 年 12 月)
    5《“十三五”国家信息化规划》(国发[2016]73 号)
    信息产业生态体系初步形成,重点领域核心技术取得突破。集成电路实现
    28 纳米(nm)工艺规模量产,设计水
    平迈向 16/14nm。
    国务院
    (2016 年 12 月)
    6《国家信息化发展战略纲要》制定国家信息领域核心技术设备发展战略纲要,以体系化思维弥补单点弱势,打造国际先进、安全可控的核心技术体系,带动集成电路、基础软件、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破。
    中共中央办公厅、国务院办公厅
    (2016 年 7 月)
    7《关于软件和集成电路产业企业所得税优惠政策有关问题的通知》(财税[2016]49 号)
    享受财税〔2012〕 27 号文件规定的
    税收优惠政策的软件、集成电路企业,每年汇算清缴时应按照《国家税务总局关于发布〈企业所得税优惠政策事项办理办法〉的公告》(国家税务总局公告 2015 年第 76 号)规定向税务机关备案,同时提交《享受企业所得税优惠政策的软件和集成电路企业备案资料明细表》规定的备案资料。
    财政部、国家税务总局、国家发改委、工信部
    (2016 年 5 月)《国民经济和社会发展
    第十三个五年规划纲要》大力推进先进半导体等新兴前沿领域
    创新和产业化,形成一批新增长点。
    推广半导体照明等成熟适用技术。
    十二届全国人大四次会议
    (2016 年 3 月)
    《中国制造 2025》(国发[2015]28 号)
    把核心基础零部件(元器件)、先进基础工艺、关键基础材料和产业技术基础(统称“四基”)作为着力破解的发展瓶颈;并把集成电路及专用装
    备作为重点发展对象,要求着力提升集成电路设计水平,不断丰富知识产权(IP)核和设计工具,突破关系国家信息与网络安全及电子整机产业发
    展的核心通用芯片,提升国产芯片的应用适配能力。
    国务院
    (2015 年 5 月)《国家集成电路产业发展推进纲要》
    设立国家产业投资基金,重点支持集成电路制造领域,兼顾设计、封装测试、装备、材料环节,推动企业提升国务院
    (2014 年 6 月)
    产能水平和实行兼并重组、规范企业治理,形成良性自我发展能力。
    《产业结构调整指导目
    录(2011 年本)》(2013年修正)
    (中华人民共和国国家发展和改革委员会
    2013 年第 21 号令)鼓励类中包括“城市轨道交通装备:轨道车辆交流牵引传动系统、制动系统及核心元器件(含 IGCT、IGBT 元器件);铁路:干线轨道车辆交流牵
    引传动系统、制动系统及核心元器件(含 IGCT、IGBT 元器件);新能源汽车关键零部件:大功率电子器件
    (IGBT,电压等级≥600V,电流≥
    300A);信息产业:新型电子元器件
    (片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等)制造。”国家发改委
    (2013 年 2 月)《“十二五”节能环保产业发展规划》(国发[2012]19 号)
    在“节能产业关键技术”专题中指出,高压变频调速技术用于大功率风机、水泵、压缩机等电机拖动系统,研发重点是关键部件绝缘栅极型功率管
    (IGBT)。
    国务院
    (2012 年 6 月)《电子信息制造业“十
    二五”发展规划》
    积极开发物联网、新能源、高端装备等战略性新兴产业发展所需的高性能
    高可靠传感器、电力电子功率元件、超薄锂离子电池、专用真空电子器件等产品。
    工信部
    (2012 年 2 月)《电子基础材料和关键元器件“十二五”专项规划》
    提出紧紧围绕节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料和新能源汽车等战略性新兴产
    业发展需求,发展相关配套元器件及电子材料。
    工信部
    (2012 年 2 月)《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南
    (2011 年度)》(2011
    年第 10 号)
    将集成电路电路、信息功能材料与器件、新型元器件等列入重点领域,其中包括“中大功率高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD)芯片和模块,中小功率智能模块;高电压的金属氧化物半导体场效应管
    (MOSFET);大功率集成门极换流晶闸管(IGCT);6 英寸大功率晶闸管。
    国家发改委、科学技术部、工信部、商务部、知识产权局
    (2011 年 6 月)《信息产业科技发展
    “十一五”规划和 2020年中长期规划纲要》
    将新型元器件技术列入未来 5-15年发
    展的 15 个重点领域之一。新型元器件
    技术重点围绕功率半导体、片式电子元器件等技术,建立以新型元器件研发为核心的元器件研发中心和以元器工信部
    (2006 年 8 月)
    件性能检测、质量与可靠性检测、分析为核心的元器件评测和服务中心,逐步形成新型元器件从研制、生产检测、评价较为完整的技术体系。
    (二)半导体行业基本情况
    1、半导体概况
    (1)半导体的概念
    半导体是一种导电性可受控制,常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性:掺杂性(在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性)、热敏性、光敏性(在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化)、负电阻率温度特性,整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重要的组成部分,在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。
    (2)半导体行业分类
    半导体产品可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品,其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元,主要实现对信息的处理、存储和转换;分立器件是指具有单一功能的电路基本元件,主要实现电能的处理与变换,而半导体功率器件是分立器件的重要部分。
    分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品;其中,MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件,相比
    于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件,具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。半导体器件的分类示意图和公司产品所处的领域如下图所示:
    在分立器件发展过程中,20 世纪 50 年代,功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪 60 至 70 年代,晶闸管等半导体功率器件快速发展。20 世纪 70 年代末,平面型功率 MOSFET 发展起来;20 世纪 80 年代后期,沟槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世,半导体功率器件正式进入电子应用时
    代。20 世纪 90 年代,超结 MOSFET 逐步出现,打破传统“硅限”以满足大功
    率和高频化的应用需求。2008 年,英飞凌(Infineon)率先推出屏蔽栅功率
    MOSFET,半导体功率器件的性能进一步提升。对国内市场而言,功率二极管、
    功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而 MOSFET、IGBT
    等分立器件产品由于其技术及工艺的先进性,还较大程度上依赖进口,未来进口
    替代空间巨大。
    分立器件各代产品特点及市场状况如下表所示:
    基材 代表产品 面世时间 技术特点 系统应用特性硅基半导体
    功率二极管
    20世纪50年代不可控型结构简单,但只能整流使用,不可控制导通、关断晶闸管
    20世纪60年代半控型器件开关使用,不易驱动,损耗大,难以实现高频化变流
    功率三极管
    20世纪50年代全控型器件
    开关使用或功率放大使用,不易于驱动控制,频率较低平面型功率
    MOSFET
    20世纪70年代易于驱动,工作频率高,但芯片面积相对较大,损耗较高沟槽型功率
    MOSFET
    20世纪80年代易于驱动,工作频率高,热稳定性好,损耗低,但耐压低
    IGBT
    20世纪80年代
    开关速度高,易于驱动,频率高,损耗很低,具有耐脉冲电流冲击的能力
    超结功率 MOSFET
    20世纪90年代
    易于驱动、频率超高、损耗极低,最新一代功率器件屏蔽栅功率
    MOSFET(SGT)
    21 世纪
    打破了硅限,大幅降低了器件的导通电阻和开关损耗宽禁带材料半导体
    SiC、GaN 半导体功率器件
    21 世纪 / /
    2、半导体行业基本情况
    (1)全球半导体行业
    全球半导体行业近二十年来发展迅速,已形成庞大的产业规模。在移动智能互联终端、PC、平板电视以及工业应用领域等市场需求拉升的强力推动下,全球半导体行业销售规模从 2007 年的 2554.85 亿美元增长到 2017 年的 4122 亿美元,行业销售额年均复合增长率达到 4.90%。2018 年全球半导体行业销售规模达
    到 4687.78 亿美元,较 2017 年增长 13.72%。根据 WSTS 统计,2019 年全球半
    导体行业销售规模有所下滑,销售规模较上年同期下滑 12.09%。全球半导体 2007
    年至 2018 年销售规模及增幅情况如下图所示:
    数据来源:WSTS
    从下游市场应用来看,半导体产品主要应用领域集中于通信(含手机)、计算机、消费电子、汽车电子、工业、医疗、政府/军事等领域。市场研究机构研究表明,半导体产品在通信(含手机)和计算机领域的应用合计占比达到约
    74.0%,消费电子占比 10.7%,汽车电子和工业、医疗领域占比 14.4%,政府/军
    事占比 0.9%1。而且,随着电子产品的升级,半导体在电子产品中应用将逐步提高,未来在下游电子产品市场需求增长的带动下,半导体产业将保持较好的增长态势。
    从全球半导体发展区域分布来看,美国、日本、欧洲、亚太地区(除日本外的西太平洋地区)是半导体产品的主要市场。虽然美国一直保持着半导体技术的行业龙头地位,但亚太地区已经成为全球半导体销售的第一大区域,其中中国市场占据重要地位。而且从增速看,2017 年,受到存储器单价上涨因素的影响,世界各地半导体销售额均呈现增长趋势,其中美洲销售额年增 35.0%;亚太(除日本)年增 19.4%;欧洲年增 17.1%;日本年增 13.3%。2018 年,世界各地半导体销售额仍保持增长趋势,其中美洲销售额年增 16.4%;亚太(除日本)年增
    13.7%;欧洲年增 12.1%;日本年增 9.2%;2019 年,受经济整体波动影响,全球
    半导体销售规模有所下降,其中美洲销售额年降 23.78%;亚太(除日本)年降
    1数据来源:中国产业信息网 《2018-2024 年中国互联网+半导体行业发展格局与投资风险研究分析报告》:
    http://www.chyxx.com/research/201712/591664.html
    8.84%;欧洲年降 7.35%;日本年降 10.03%。2017 年至 2019 年,全球半导体产
    业区域发展结构情况如下表所示:
    单位:亿美元序号地区
    2019 年度 2018 年度 2017 年度销售额销售占比销售额销售占比销售额销售占比
    1亚太区及其他地区
    2579 62.57% 2829 60.34% 2488 60.36%
    2 美国 785 19.05% 1030 21.97% 885 21.47%
    3 欧洲 398 9.66% 430 9.16% 383 9.29%
    4 日本 360 8.72% 400 8.52% 366 8.88%
    合 计 4121 100.00% 4688 100.00% 4122 100.00%
    资料来源:WSTS
    随着近年来半导体产业技术转移,半导体产业逐渐从美国向其他发展中国家转移。虽然 2019 年受世界经济波动影响,全球半导体行业销售规模有所下滑,但随着未来中国等国家的半导体产业快速发展,有望成为推动半导体行业保持稳定增长的全新动力。
    (2)我国半导体行业
    改革开放以来,伴随着我国国民经济的整体迅速发展和工业体系的不断健全,半导体产业已经成为我国建设信息化社会、实现绿色经济、确保国防安全的基础性和战略性产业。特别是,受益于我国不断出台的鼓励半导体行业发展的产业和财政政策,近年来我国半导体产业发展不断取得突破。
    我国半导体行业的固定资产投资的规模和增速均保持较高水平。进入新世纪以来,我国经济发展不断转型升级,新兴产业占国民经济的比重不断提升,计算机、消费电子、通信等电子产业增长及产品结构持续升级直接拉动了对上游半导体产品需求的迅速增长。市场需求的增长直接催动我国半导体行业的固定投资,近年来,我国半导体行业的固定投资维持较快增速,累计投资规模持续扩大。据工信部统计数据,2016 年我国半导体产业完成固定资产投资 1001.13 亿元,其中半导体分立器件产业完成固定资产投资额 121.56 亿元,同比增长 96.4%。2017年我国电子信息制造业 500 万元以上项目完成固定资产投资额比上年增长
    25.3%,增速比 2016 年加快 9.5 个百分点,其中电子器件行业完成投资比上年增
    长 29.9%;电子元件行业完成投资比上年增长 19.0%。
    我国半导体行业的市场需求不断扩大。2011 年,我国半导体行业的市场需求规模约为 9238.8 亿元,至 2018 年市场需求规模达到 18731.6 亿元,市场需求的年均复合增长率达 10.63%,呈现快速增长态势。随着国家对半导体产业的相关鼓励政策持续推出以及下游行业迅速发展等多重利好因素的推动,国内半导体市场将迎来更广阔的前景,市场需求将保持高速增长。根据中国半导体行业协会
    预测,2019 年至 2021 年我国半导体市场需求将有望分别达到 19004.4 亿元、20142.00 亿元和 22770.9 亿元。在全球半导体市场步入下行周期的大环境下,
    2019 年中国半导体市场增速预期下降,2019 年同比增长率预计为 1.5%。但根据上述预测,2020 年及 2021 年半导体市场同比增速将分别扩大至 5.99%和 13.05%。
    数据来源:中国半导体行业协会
    在半导体行业投资规模和半导体下游行业需求均不断扩大的势头的带动下,我国半导体行业市场销售规模不断攀升。从 2000 年至 2015 年,我国半导体市场销售增速领跑全球,达到 21.4%,远高于全球半导体年均增速 3.6%。2011 年至
    2017 年,我国半导体产业销售规模扩大了 2 倍以上,根据中国半导体行业协会数据统计,2018 年我国半导体产业实现销售收入 9189.8 亿元,与 2017 年的7885.2 亿元同比增长 16.5%。目前,我国半导体占全球市场份额已超过 50%,
    成为全球半导体的核心市场。
    数据来源:中国半导体行业协会然而,我国半导体行业进口依赖仍然显著,亟需实现进口替代。根据海关进出口统计数据,2018 年,我国半导体产品进口总额超过 3300 亿美元,达到历史新高。
    根据半导体行业协会报告,2019 年中国半导体产业面临着极大的挑战。2019年,存储器产品价格回落,销售额出现负增长;智能手机、数据中心等传统市场萎缩,难以维持强力驱动;AI、物联网等新兴领域尚未成熟、对半导体市场未形成有效支撑;中美贸易摩擦持续,全球贸易环境恶化。多种因素共同作用下,半导体产业下行压力增大,企业风险加剧,对正处于发展阶段的我国半导体产业是
    一大挑战。5G 发展红利预期 2020 年开始陆续释放,届时,物联网、AI 等前沿
    领域发展成熟,低糜的半导体产业也会迎来新一轮的快速增长。
    (3)半导体行业整体发展趋势
    半导体行业发源于欧美。上世纪八十年代以来,日本半导体产业吸收美国技术并整合其工业高质量品控体系,实现半导体产业迅速崛起;九十年代以来,韩国半导体行业开拓高性价比 IC 产品,带动了亚洲电子产业链崛起;同时期,半导体产业多元化发展,台湾半导体行业创立 Foundry 代工模式,强力推动台湾电子组装产业向半导体产业集群的产业升级。虽然中国半导体起步晚、追赶难度较
    大,但随着半导体产业的转移,以及新能源汽车/充电桩、节能环保、4G/5G、人工智能、AR/VR 等新兴领域快速发展,国内半导体厂商有望在产业竞争中获得更大发展机会。半导体行业的整体发展呈现以下趋势:
    ①产业的发展动力逐渐从技术驱动转向应用驱动
    由于新应用领域的出现,使得半导体产业发展的驱动力更多来自于应用及相应功能的开发。目前半导体产业的应用热点已从最初的计算机、通信拓展至新能源汽车/充电桩、节能环保、4G/5G、人工智能、AR/VR 等新兴领域。
    ②竞争加剧产业的国际化和扁平化发展
    随着产业发展的变革,半导体行业已从单一垂直化生产向扁平化结构转变,国际分工日益明显。在日益激烈的国际竞争中,世界各地遵循成本效益原则形成了以美国为主导的高端产品设计与关键技术制造,以日本、韩国为核心的大众消费品生产,以及以中国台湾及大陆地区为主体的封装加工业共同发展的产业格局。但是大陆地区已经逐步切入到半导体设计、研发以及封装测试等相关领域。
    ③半导体产业链转移趋势明显
    受生产要素成本以及半导体产业自身发展周期性波动的影响,世界半导体产业呈现向具有成本优势、市场优势的发展中国家产业链转移的趋势。作为经济高速增长的发展主体,我国依托庞大的市场需求及生成要素、成本优势及人才优势成为国际半导体产业转移的主要目的地,以欧美、中国台湾地区为主的大型半导体制造业通过 OEM、并购、合资等多种方式向我国转移半导体产业。
    (三)半导体分立器件行业的基本情况
    1、半导体分立器件行业发展现状分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示,近几年来,分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在 22%-25%之间。
    半导体分立器件是电力电子产品的基础之一,也是构成电力电子变化装置的核心器件之一,主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等,具有应用
    范围广、用量大等特点,在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广泛的应用。从细分市场来看,半导体分立器件受益于智能制造、电力改造、电子通讯升级、互联网等普及的趋势,其市场也逐步向高端推进。近年来,受益于国际电子制造产业的转移,以及下游行业需求的拉动,我国半导体分立器件行业保持了较快的发展态势。
    相较于国际半导体行业集中度较高、技术创新能力强等特点,我国半导体分立器件行业起步晚,受制于国际半导体公司严密的技术封锁,大多依靠自主创新。
    国内半导体分立器件企业通过长期技术积累,一些半导体芯片技术已突破瓶颈,芯片的研发设计能力不断提高,品牌知名度和市场影响力也日益增强。目前,我国已经成为全球最重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场,中国半导体分立器件收入占全球比重上升趋势明显。据中国半导体行业协会统计数据显示,2017 年我国半导体分立器件市场规模已达到 2473.9 亿元,
    2018 年,我国半导体分立器件全年销售规模已达 2658.4 亿元,较 2017 年增长
    7.50%。但从技术发展水平看,目前国内半导体分立器件行业整体技术水平仍与
    国际领先水平存在一定的差距。随着国家鼓励政策的大力扶持、半导体分立器件国产化趋势显现以及下游应用领域需求增长的拉升,我国半导体分立器件行业蕴含着巨大的发展契机。
    2、半导体分立器件行业市场规模
    (1)行业产销规模
    改革开放以来,我国电子电气在下游行业的应用分布越来越广泛,计算机、消费电子、汽车电子、工业电子等众多下游行业呈现爆发式增长,直接拉动国内半导体分立器件行业的蓬勃发展,半导体分立器件的产销规模持续、快速增长。
    2011 年,我国半导体分立器件行业的整体销售规模为 1388.6 亿元,至 2016年销售规模已达 2237.7 亿元;2016 年以来,随着国内经济结构转型升级,物联网、新能源、新材料、节能环保和新一代通信网络等新兴行业强力发展,推动了我国电子制造产业快速回升,大大拉升了对上游半导体分立器件产品的需求。
    2018 年,我国半导体分立器件全年销售规模已达 2658.4 亿元,较 2017 年增长
    7.50%。2011 年至 2018 年,我国半导体分立器件的销售规模年均复合增长率达
    到 9.72%,具体销售情况如下图所示:
22.30%
0.10%
10.50%
21.90%
6.80%
11.90%
10.60%
7.50%
0.00%
5.00%
10.00%
15.00%
20.00%
25.00%
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
    2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018
    2011年至2018年我国半导体分立器件产业销售额增长状况
    销售额(亿元) 增长率
    数据来源:中国半导体行业协会
    下游市场需求直接拉动了半导体分立器件的生产规模。改革开放以来,特别是进入 21 世纪后,我国半导体分立器件行业内企业不断增加,分立器件的产量随之攀升;2011 年,我国半导体分立器件的整体生产规模为 4134.1 亿只,至 2018年增长至 7471.1 亿只,年均复合增长率达到 8.82%。
21.70%
0.30%
11.10%
15.40%
7.30%
    12.8% 13.5%
2.30%
0.00%
5.00%
10.00%
15.00%
20.00%
25.00%
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
    2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018
    2011年至2018年我国半导体分立器件生产规模产量(亿只) 增长率
    数据来源:中国半导体行业协会
    (2)行业整体市场需求规模
    我国分立器件市场各应用领域均保持着较高的增长速度,占据我国分立器件市场主要份额的应用领域为计算机、消费电子、汽车电子、工业电子市场等。近年来新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴应用领域将成为国内半导体分立器件产业的持续增长点,行业呈现良好的发展态势。国内半导体分立器件行业内企业在技术研发、先进设备方面进行了大量投资,紧跟国际先进企业的技术发展,并向中高端产品领域渗透。从市场需求来看,2011 年
    至 2018 年国内半导体分立器件市场需求保持了 11.41%的年均复合增长;2018年国内半导体分立器件市场需求达到 2699.8 亿元,同比 2017 年的 2458.1 亿元增长率达到 9.8%,继续保持着高速增长趋势。其中,半导体功率器件仍是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。
4.10%
8.00%
10.40%
18.00%
19.70%
12.20%
10.80%
9.80%
0.00%
5.00%
10.00%
15.00%
20.00%
25.00%
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
    2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018
    2011年至2018年我国半导体分立器件市场需求增长状况
    市场需求规模(亿元) 增长率
    数据来源:中国半导体行业协会
    技术水平的提升使得分立器件应用领域逐步拓展,并推动了国内半导体分立器件需求的高速增长。新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴领域的增长点持续火热,这为我国半导体分立器件的产业发展创造了良好的市场机遇。随着“中国制造 2025”、“互联网+”等行动指导意见以及“国家大数据战略”相继组织实施,国内半导体分立器件市场将迎来更广阔的前景。
    2018 年,在市场需求拉动以及产业政策、资本市场等多重有利因素支持下,
    国内半导体分立器件保持高速增长。根据中国半导体行业协会预测,2019 年中国半导体分立器件市场需求将达到 2662.0 亿元,市场需求预期略有下滑;
    到 2021 年分立器件的市场需求将达到 3010.6 亿元。从中长期来看,国内半导体市场需求仍将呈现较快的增长势头。
19.70%
12.20%
10.80%
9.80%
-1.40%
5.50%
7.20%
-5.00%
0.00%
5.00%
10.00%
15.00%
20.00%
25.00%
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
    2015 2016 2017 2018 2019E 2020E 2021E我国半导体分立器件市场需求发展预测
    市场需求规模(亿元) 增长率
    数据来源:中国半导体行业协会
    (3)半导体分立器件进出口规模
    半导体行业发源于欧美,日韩及中国台湾在产业转移中亦建立了先进的半导体工业体系。中国半导体起步晚、追赶难度较大。近年来,我国高度重视半导体行业的发展,不断出台多项鼓励政策大力扶持包括分立器件在内的半导体行业。
    随着国内半导体分立器件厂商逐步参与到国际市场的供应体系,以及下游行业大力创新对上游分立器件行业的驱动,我国半导体分立器件行业已获得长足发展,并逐步形成对国外产品的替代。据中国半导体行业协会统计,2011 年至 2014 年中国半导体分立器件产品进口额基本保持增长趋势,2014 年进口额达 313.8 亿美
    元。2017 年中国半导体分立器件进口金额为 281.8 亿美元,相较于 2014 年进口
    额下降了 10.20%,2018 年中国半导体分立器件进口金额为 285.0 亿美元,与 2017年基本持平。
8.30%
51.00%
-10.80%
33.60%
    -6.3% -5.3%
    1.1% 1.1%
-20.00%
-10.00%
0.00%
10.00%
20.00%
30.00%
40.00%
50.00%
60.00%
0
50
100
150
200
250
300
350
    2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018我国半导体分立器件产品进口情况
    进口额(亿美元) 增长率
    数据来源:中国半导体行业协会
    在国内半导体分立器件市场需求迅速扩大的态势下,我国对半导体分立器件的进口金额整体下降或持平。近年来,我国半导体分立器件行业的产销规模不断扩大,对国外产品的进口替代效应不断凸显。在中美贸易摩擦等背景下,国内越来越多的电子产品企业为保证供应链安全以及降低产品成本,开始向国内优秀的半导体分立器件企业采购技术水平和性价比较高的 MOSFET 等半导体分立器件产品。未来,随着国内半导体分立器件行业逐步突破高端产品的技术瓶颈,我国半导体分立器件对进口的依赖将会进一步减弱,进口替代效应将显著增加。
    (4)半导体功率器件市场需求规模半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计,半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。
    半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等,几乎用于所有的电子制造业,包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外,新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场,从而推动其需求增长。
    市场研究机构 IC Insights 指出在各类半导体功率器件组件中,未来增长最强
    劲的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模块2。主要的半导体功率器件(MOSFET 和
    IGBT)的市场需求规模如下:
    ①MOSFET
    金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟
    电路与数字电路的场效晶体管,具有导通电阻小,损耗低,驱动电路简单,热阻特性好等优点,特别适合用于电脑、手机、移动电源、车载导航、电动交通工具、UPS 电源等电源控制领域。
    随着消费电子、汽车电子和工业电子为主的市场销售稳定增长,2016 年
    MOSFET 市场规模持续增长。得益于市场对高效能电子器件的需求增加,预计
    MOSFET 市场未来将继续稳定增长。2016 年,全球 MOSFET 市场规模达到 62亿美元,预计 2016 年至 2022 年间 MOSFET 市场的复合年增长率将达到 3.4%;
    预计到 2022 年,全球 MOSFET 市场规模将接近 75 亿美元3。特别地,随着全球新能源汽车规模的增长,2016 年至 2022 年间 MOSFET 在汽车应用领域的市场需求预计将以 5.1%的复合年增长率快速增长;到 2022 年,其在汽车应用领域的需求将超越计算机和数据存储领域,占总体需求市场的 22%。据 IHS 统计,国内功率 MOSFET 市场主要厂商是英飞凌(Infineon),2016 年市场份额超过 25%,与安森美(ON Semiconductor)占据了国内将近一半市场,因此,在国内 MOSFET市场中,国内厂商进口替代的潜力巨大。
    ②IGBT
    绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型三极管(BJT)和MOSFET组成的
    复合全控型电压驱动式半导体功率器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和双极型三
    极管(BJT)的低导通压降两方面的优点,IGBT驱动功率小而饱和压降低,非常
    适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统,如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。
    IGBT 是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件,成本占到新能源汽
    2《中国电子商情:基础电子》 2016 (7) :8-8
    3《功率 MOSFET 市场及技术趋势-2017 版》
    车整车成本的 10%,占充电桩成本的 20%。由于未来几年新能源汽车/充电桩等新兴市场的快速发展,IGBT 等半导体功率器件将迎来黄金发展期。在全球市场上,未来 IGBT 市场规模的快速增长主要受益于其在节能、能效提升等方面发挥的重要作用。根据中国产业信息网数据,到 2020 年全球 IGBT 单管市场空间达
    到 60 亿美元左右,市场空间巨大。预计未来五年我国新能源汽车和充电桩市场
    将带动 200 亿元 IGBT 模块的国内市场需求4。根据中国产业信息网数据,到 2018年,国内 IGBT 市场规模已达 161.9 亿元,2010 年至 2018 年复合增长率达到
    14.77%,我国 IGBT 起步整体较晚,未来进口替代空间巨大。
    3、半导体分立器件行业发展趋势
    (1)行业集中度提升,呈现外延式发展趋势
    全球前十大半导体分立器件厂商均为国外企业,其总体份额占全球市场份额
    的50%以上且格局较为稳定。相较于国外,我国半导体分立器件行业较为分散,虽然我国规模以上半导体分立器件行业内企业数量众多,但只有少数企业具备芯片研发、设计、制造等方面的竞争优势。随着少数具备竞争优势的企业通过持续技术积累和自主创新不断扩大产品知名度和市场占有率,国内半导体分立器件行业的整体集中度将不断提升。近年来,全球半导体分立器件行业出现收购热潮,拥有制造能力成为国际龙头企业的重要战略发展方向。借鉴其发展经验,国内行业内企业也将不断拓展封装测试甚至芯片代工等方面的制造能力,向制造端延伸的外延式发展将成为未来发展的主流趋势。
    (2)替代外资同类产品市场空间巨大
    目前全球半导体分立器件中高端产品生产厂商主要集中在欧美、日本和中国台湾。我国半导体分立器件行业的整体实力与上述地区仍有较大差距,仍需从国外进口大量的特别是高端的半导体分立器件产品。但近几年来,国内半导体分立器件企业技术水平和供应能力逐步提升,半导体分立器件产业发展迅猛,这为国内半导体分立器件产品替代进口同类产品创造了巨大的空间。根据中国半导体行业协会统计,2017年中国半导体分立器件进口金额为281.8亿美元,相较于2014年进口额下降了10.20%。未来,国内行业内优秀企业将凭借地缘、技术和成本等
    4《中国半导体产业发展状况报告(2017 年版)》
    方面的优势获得更多的发展机会,这也将大大增强我国半导体分立器件产品替代外资同类产品的能力。
    (3)模块化、集成化的行业技术发展趋势
    半导体分立器件应用于广泛的产品类别,下游产品对电能转换效率、稳定性、高压大功率需求及复杂度提出了更高要求。半导体分立器件的组装模块化和集成化能有效满足上述要求,并有助于增进便利性、优化客户使用体验及保障产品配套性和稳定性,将成为行业技术发展的主流趋势。同时,随着工艺技术的不断升级,分立器件能够实现更高性能、更快速度、更小体积,这为模块化和集成化创造了技术条件。
    (4)国内半导体材料有望实现突破
    当前半导体分立器件产业正在发生深刻的变革,其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注,有望成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域,具有极强的应用战略性和前瞻性。目前美欧、日韩及台湾等地区已经实现SiC、GaN等新材料半导体功率器件的量产。国内行业内企业通过多年的技术和资本积累,依托国家产业政策的重点扶持,也已开始布局新型半导体材料领域。由于新型半导体材料属于新兴领域,国内厂商与国际巨头企业的技术差距不断缩小,因此有望抓住机遇、实现突破并抢占未来市场。
    (四)半导体分立器件行业的下游需求情况
    随着国民经济的快速发展及行业技术工艺的不断突破,半导体分立器件的应用领域有了很大的扩展。近年来,受益于国家经济转型升级以及新能源、新技术的应用,下游最终产品的市场需求保持良好的增长态势,从而为半导体分立器件行业的发展提供了广阔的市场空间。半导体分立器件的下游覆盖消费电子、汽车电子、工业电子等领域,且在上述领域应用基本保持稳定的增长。在国家产业政策的支持下,新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴产业领域将成为国内分立器件行业新的增长点,特别是该等应用领域将给
    MOSFET、IGBT等分立器件市场中的主流产品提供巨大的市场机遇。
    (1)消费电子
    MOSFET 等半导体功率器件是消费电子产品的重要元器件,消费电子市场也是半导体功率器件产品的主要需求市场之一。中国消费电子产品的普及程度越来越高,而且近年来消费者对消费电子的需求从以往的台式 PC、笔记本电脑为主向平板电脑、智能电视、无人机、智能手机、可穿戴设备等转移,直接推动消费电子市场的快速发展。消费电子产品更新换代周期短以及新技术的不断推出,使得消费电子市场需求量进一步上升。根据美国消费电子协会统计,2013 年中国消费电子市场整体规模达到 16325 亿元,成为全球最大的消费电子市场,根
    据 2017年 3C行业报告,2017年中国消费电子市场将突破 2万亿,预计增长 7.1%。
    研究表明,中美贸易摩擦的不确定性对全球消费电子产业链提出挑战,据 Canalys
    统计,2019 年,中国智能手机销量为 3.69 亿部,同比下滑 7%。但随着中美贸易
    摩擦缓和及 5G 建设加速、5G 换机潮等多重利好,智能手机及周边电子产品的市场规模将有所增加,消费电子景气度将不断提升。据 Canalys 预测到 2020 年,中国智能手机数量将超过 14 亿部,手机及周边市场将大大拉动对半导体功率器件的需求。
    目前我国笔记本电脑、彩色电视机等众多消费类电子产品的生产规模已经位居全球第一,同时以智能电视、无人机等为代表的新兴消费类电子产品也开始在国内实现量产。根据 IDC 的预测,智能电视是互联网快速发展的产物,2016 年国内智能电视销量达 4098 万台,预计到 2018 年智能电视销量将突破 5000 万台
    5。近年来我国无人机市场规模快速增长,根据 IDC 的预测,我国航拍无人机的
    市场规模将由 2016 年的 39 万台增加到 2019 年的 300 万台,年均复合增长率高
    达 97.40%。上述消费电子产品市场规模的快速增长,有力地拉动了对上游半导体功率器件的需求。
    (2)汽车电子
    汽车电子为汽车整车的核心部件之一。随着各类电子技术的发展,汽车电子应用不断升级,从传统的娱乐应用(如汽车音响)向动力控制系统、倒车雷达、
    5资料来源:iiMediaResearch《2016-2017 中国智能电视市场专题研究报告》
    车载导航等辅助电子设备升级。汽车电子在汽车整车成本中占据十分重要的部分,特别对于中高端汽车、电动汽车等其占比更高。
    数据来源:后汽车与市场
    汽车电子是全球半导体分立器件主要的应用领域之一,特别是 MOSFET 等半导体功率器件在汽车电子领域得到了广泛的应用,是各类汽车电子应用中最常见的半导体功率器件之一。随着汽车整车的产销规模扩大和汽车电子应用形态不断丰富,汽车电子行业对 MOSFET 等半导体功率器件的需求亦将稳步增长。根据国际汽车协会 OICA 的统计数据,中国已成为全球乘用车产量排名第一的国家。国内汽车产销规模的扩大将持续推动 MOSFET 等半导体功率器件需求的增加。
    (3)工业电子
    工业电子是研制和生产电子设备及各种电子元件、器件、仪器、仪表的工业,由广播电视设备、通信导航设备、雷达设备、电子计算机、电子元器件、电子仪器仪表和其他电子专用设备等生产行业组成。20 世纪以来,工业电子发展迅速,工业电子由于生产技术的提高和加工工艺的改进,其中使用的半导体差不多每三年就更新一代;光纤通信、数字化通信、卫星通信技术的兴起,使工业电子成为
    一个迅速崛起的高技术产业。据 IDC 统计,工业电子市场的增长速度将领跑到
    2020 年左右,年增速预期为 4%。半导体分立器件广泛应用于工业电子领域,工
    业电子的快速发展离不开半导体功率器件的生产应用和技术升级,反之亦然。
    (4)新能源汽车/充电桩
    电控系统是新能源汽车三大核心部件之一,占整车成本约 20%,而电控系统需要运用大量的 MOSFET 和 IGBT 等半导体功率器件。因此,新能源汽车产销规模扩大将拉动对 MOSFET、IGBT 等半导体功率器件的需求。Strategy
    Analytics 研究表明,鉴于新能源汽车对于半导体功率器件的巨大需求,未来半导体功率器件市场规模有望快速增长。
    根据中国汽车工业协会公布数据,2017 年我国新能源汽车生产 79.4 万辆、销售 77.7 万辆,比上年同期分别增长 53.8%和 53.3%。根据国务院颁布的《节能与新能源汽车产业发展规划(2012-2020 年)》,到 2020 年我国纯电动汽车和插电式混合动力汽车生产能力达 200 万辆、累计产销量超过 500 万辆。未来随着新能源汽车进入爆发期,半导体功率器件行业将进一步受益,预计未来五年内新能源汽车将带动 MOSFET、IGBT 等的巨大的需求6。
    充电桩是新能源汽车产业的重要配套设施,其中直流充电桩的核心是以
    MOSFET、IGBT 为控制单元的充电模块。作为新能源汽车必不可少的基础配套设施,国家陆续出台了多项有关充电桩的鼓励政策。根据国家发改委印发的《电动汽车充电基础设施发展指南(2015-2020)》规划中指出,2020 年国内充换电站数量将达到 1.2 万个,分散式充电桩超过 480 万个。未来五年,国内新能源汽车充电桩(站)的直接市场规模有望达到 1320 亿元。充电桩市场的快速发展将推动 MOSFET、IGBT 等半导体功率器件的需求高速增长。
    (5)智能装备
    智能装备是指具有感知、分析、推理、决策、控制功能的制造装备,是高端装备的核心,其中,关键的传感和控制功能的实现需要大量 MOSFET 和 IGBT等半导体功率器件。随着中国制造 2025、智能制造“十三五”发展规划等政策的出台,未来,我国智能制造装备行业将高速发展。根据前瞻产业研究院的研究,
    “十三五”期间,智能装备行业的销售收入年复合增长率将达到 27.23%,预计
    到 2022 年,智能装备行业的销售收入将超过 3.8 万亿元。智能装备行业的快速发展,将有力扩大 MOSFET 和 IGBT 等半导体功率器件的市场需求。
    6资料来源《中国半导体产业发展状况报告(2017 年版)》
    (6)物联网
    物联网即通过信息传感设备,把任何物品与互联网相连接,进行信息交换和通信,以实现智能化识别、定位、跟踪、监控和管理的一种网络。其产业链包括
    四个环节:感知层、网络层、平台层、应用层。其中,感知层主要为芯片及传感器,其生产制造过程需要使用大量MOSFET等功率器件。2017年,工信部下发《关于全面推进移动物联网(NB-IoT)建设发展的通知》和《信息通信行业发展规划物联网分册(2016-2020年)》,明确提出目标,到2020年我国NB-IoT网络基站规模要达到150万,NB-IoT连接总数超过6亿,物联网产业规模将突破1.5万亿元。物联网产业的快速发展,将有效带动MOSFET等半导体功率器件市场需求的提升。
    (7)太阳能光伏等新能源新型可再生能源的接入和管理需要大量半导体功率器件来实现控制。半导体功率器件为太阳能光伏发电等新能源电力转换组件中的核心部件。MOSFET、
    IGBT等半导体功率器件在太阳能光伏发电过程中大量使用。根据国家能源局数据显示,截至2017年底,我国光伏发电新增装机5306万千瓦,累计装机容量1.3亿千瓦,新增和累计装机容量均为全球第一,其中光伏电站3362万千瓦,同比
    增加11%;分布式光伏1944万千瓦,同比增长3.7倍。太阳能光伏等新能源的快速发展,将有效提升对半导体功率器件的市场需求。
    此外,MOSFET、IGBT等半导体功率器件作为电能/功率处理的核心器件,在大功率、高能耗领域还能够发挥优异的绿色节能作用。未来随着5G、云计算、大数据、轨道交通、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,MOSFET、IGBT等产品能够在该等新兴领域发挥重要作用,将为公司等技术领先的MOSFET、
    IGBT半导体功率器件企业提供广阔的市场空间。
    (五)半导体分立器件行业竞争格局
    经过多年的发展,国内厂商在中低端分立器件产品的技术水平、生产工艺和产品品质上已有很大提升,但在部分高端产品领域仍与国外厂商有较大的差距。
    由于国外公司控制着核心技术、关键元器件、关键设备、品牌和销售渠道,国内
    销售的高端半导体功率器件仍旧依赖海外进口。面对广阔的市场前景,国内厂商在技术水平和市场份额的提升上仍有较大的开拓空间。我国半导体分立器件行业起步较晚,近年来在国家产业政策的鼓励和行业技术水平不断提升等多重利好因素推动下,行业内部分企业以国外先进技术发展为导向,逐步形成了以自主创新、突破技术垄断、替代进口为特点的发展模式。半导体分立器件行业内,新洁能等部分企业掌握了 MOSFET、IGBT 等产品的核心技术,通过产品的高性价比不断提高市场占有率,在与国外厂商的竞争中逐步形成了自身的竞争优势。
    (六)行业利润水平的变动趋势及变动原因
    1、行业利润水平的变动趋势近年来,我国半导体分立器件行业平均利润水平总体上呈现平稳波动态势,在不同应用领域及细分市场行业利润水平则存在着结构性差异。一般而言,在传统应用领域,低端产品行业进入门槛较低,市场竞争较为充分,导致该领域产品行业利润水平相对较低。而在新兴细分市场以及中高端半导体分立器件市场,由于产品技术含量高,产品在技术、客户积累以及资金投入等方面具有较高的进入壁垒,市场竞争程度相对较低,行业内部分优质企业凭借自身技术研发、产业链完善、质量管理等综合优势,能够在该领域获得较高的利润率水平。
    2、行业利润水平的变动原因
    半导体分立器件行业的利润水平主要受到宏观经济形势和下游行业景气度、以及行业技术水平等因素的综合影响。
    宏观经济形势及下游行业景气程度方面。半导体分立器件作为基础性元器件,应用领域涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等广泛的下游行业。宏观经济形势则直接影响该等行业的整体发展状况,从而传导至对半导体分立器件的需求的变化,进而影响半导体分立器件行业的利润水平。
    行业技术水平方面。半导体分立器件行业属于技术密集型行业,行业内技术领先的企业能获取较高的利润回报、技术水平含量较高的产品也一般具有较高的附加值。行业内具有自身研发技术优势和产品优势的企业,能够凭借自身的创新能力和产品控制能力,不断推出适应市场需求、可量产化的领先产品,从而维持
    较高的毛利率。
    (七)进入半导体分立器件行业的主要壁垒
    1、技术壁垒
    半导体分立器件的研发生产过程涉及微电子、半导体物理、材料学、电子线路、机械力学、热力学等诸多学科,需多种学科的交叉融合,行业内企业需要综合掌握外延、微细加工、封装测试等多领域技术或工艺,并加以整合集成。因此,半导体分立器件行业属于技术密集型行业,技术门槛较高。下游产品呈现多功能化、低能耗、体积轻薄等发展趋势以及新技术、新应用领域的大量涌现,对半导体分立器件的研发生产提出了非常高的技术要求。
    具体看,半导体分立器件中的半导体功率器件属于亚微米级产品,其设计及生产工艺要求极高;半导体功率器件的整体性能不仅与产品本身的研发设计相关,还与芯片代工和封装测试等工艺端紧密关联,是芯片研发设计和工艺实现等多项因素综合作用的结果;研发设计人员不仅需要掌握较强的研发设计能力和丰富的经验,还需要对工艺端具有深刻的理解和把握,在提出设计方案中需要包含工艺实现方案,并且能够就单项工艺问题与代工厂进行沟通确认,共同克服工艺难点。
    近年来,半导体分立器件的设计和工艺技术发展突飞猛进。因此,企业研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法,另一方面在芯片设计环节不仅要保持分立器件在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作,还需保持开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压效率维持平衡,对每一项结构参数确认均需经过大量的仿真设计和周密研究,包括刻蚀深度、刻蚀角度、沟槽表面光滑度、沟槽深宽比对器件电性能的影响、刻蚀工艺的负载效应以及后道工序中多晶硅的填充能力、掺杂浓度的均匀性、栅氧化层在器件表面均匀性等多个方面。
    另外,下游广泛的应用领域对半导体分立器件产品的性能和成本提出了差异化的要求,还对产品在各种应用环境甚至恶劣环境下长久可靠、高质量工作提出较高要求,因此研发设计人员需掌握不同应用领域或环境的特点,如工作电压、
    极限工作电流、散热环境、工作频率、寄生效应等,从而导致不同产品间的结构仿真设计、版图布局绘制、单项工艺开发以及工艺流程整合差异极大(例如 20V
    MOSFET 器件、200V MOSFET 器件与 1200V IGBT 之间的芯片结构与工艺流程差异度达到 70%以上),这些对企业差异化研发能力提出了极高的要求。因此,行业内企业需要拥有丰厚的技术、工艺经验储备并持续技术革新和创新,而且能够在短期内成功开发出多品类、适宜量产的产品,才能在市场上站稳脚步。新进企业很难在短时间内掌握先进技术,亦难以持续保持技术的先进性,这些均构成了较高的技术壁垒。
    2、人才壁垒
    半导体分立器件行业是技术密集型行业,行业的高技术门槛同时也造就了该行业的高人才门槛,企业的高素质的经营管理团队和具备持续创新力的研发团队的实力决定了企业的核心竞争力。虽然国内半导体分立器件的研究人员较多,但
    相当一部分人员往往缺乏对半导体分立器件尤其是先进器件产品的长期实践和经验积累,缺乏成功的实战开发经验,从理论研究到实践操作仍有很大的跨度。
    而且,行业内企业在产品技术升级、新产品推出、产品的售后服务上,对生产技术工人、研发技术人才和专业的营销人才有一定的依赖性,新进入企业很难在短时间内招募到足够的上述人才,这会对公司的生产效率、产品成本、交货期等产生重大不利影响。因此,半导体分立器件行业需要既懂芯片设计同时又懂生产制造工艺、器件可靠性及应用的高素质人才,这在很大程度上也提高了该行业企业的准入门槛。
    3、资金壁垒
    半导体分立器件行业亦属于资本密集型行业。从行业投入设备看,外延、光刻、蚀刻、离子注入、扩散等工序所必须的高技术研发、生产加工和测试设备主要依靠向欧美、日韩等进口,价格昂贵。从研发设计看,行业内企业从购买仿真软件和版图绘制软件到光刻版制作、芯片代工到芯片成品封装测试、应用评估、可靠性考核都需要大量资金支持。从日常运营看,行业内企业一方面需要庞大的流动资金来用于芯片代工及芯片封装测试;另一方面,需要有非常齐全的产品品类来满足下游各领域的需求,保持足够的市场占有率和品牌影响力,这就要求企
    业保持较高的营运资金水平。另外,行业技术更新换代快,产品竞争激烈,对企业的研发投入和人才投入等也有较高的要求。综上,如果行业内新进企业没有持续性高水平的资金投入,将很难与本行业内的现有企业进行竞争。
    4、质量管控壁垒
    半导体分立器件作为内嵌于电子整机产品中的关键零部件之一,在电流、电场、湿度以及温度等外界应力激活的影响下,存在潜在的失效风险,进而影响电子整机产品的质量和性能。如果电子整机产品质量和性能未达到要求,将直接影响下游应用领域中高价值产品的质量和性能,从而造成大量损失。因此,在半导体分立器件大批量生产过程当中,对产品良率、失效率及一致性水平等方面提出了较高要求。实现精益化生产、拥有先进的生产设备、精细的现场管理以及长期的技术经验沉积是行业内企业确保产品质量、性能和可靠性的基本保障。行业新进入者由于缺少长期的生产实践经验积累以及成熟的质量管理体系,短期内较难达到相关质量控制要求。
    5、客户认证壁垒
    半导体分立器件很大程度上影响下游产品的质量和性能,因此通过客户严格的认证是进入本行业开展竞争的必要条件。半导体分立器件作为电子信息产业中
    的一种基础性功能元器件,最终应用于规模化的下游厂商,包括消费电子、汽车
    电子、工业电子等。为了保证产品品质及性能的稳定性,下游客户通常对供应商有较严格的认证条件,要求供应商除了具备行业内较领先的技术、产品、服务以及稳定的量产能力外,还须通过行业内质量管理体系认证或下游客户严格的采购认证程序,一旦通过则能与客户建立起长期、稳定的合作关系。行业新进入者通过下游客户的认证需要一定的周期以及较高的条件,这对新进入者形成了较高的壁垒。
    (八)影响半导体分立器件行业发展的因素
    1、有利因素
    (1)国家产业政策大力支持
    半导体产业是我国支柱产业之一,半导体分立器件行业是半导体产业的重要组成部分。发展我国半导体分立器件相关产业,提升国内半导体分立器件研发生产能力是我国成为世界半导体制造强国的必由之路。国家有关部门出台了《“十
    三五”国家战略性新兴产业发展规划》等多项政策为半导体分立器件行业的发展提供了政策保障,明确了发展方向。此外,《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》等多项政策亦明确了半导体分立器件的地位和范围,提出了要重点发展
    MOSFET和IGBT功率器件的要求。国家相关政策的出台有利于半导体分立器件
    行业市场规模的增长,并进一步促进了半导体分立器件行业健康、稳定和有序的发展。
    (2)下游行业市场需求广阔下游应用市场的需求变动对半导体分立器件行业的发展具有较大的牵引及驱动作用。近年来,移动互联网、智能手机、平板电脑等新技术和新产品的爆发性增长推动了消费电子市场对分立器件产品的大规模需求。汽车电子、工业电子、通信设备等领域的稳步增长也给分立器件产品提供了稳定的市场需求。未来,受益于国家经济结构转型升级以及新能源、物联网等新兴技术的应用,新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等下游市场将催生出大量的产品需求。此外,下游应用领域终端产品的更新换代及科技进步引致的新产品问市也为半导体分立器件产品需求提供了强有力支撑。下游行业的发展趋势为半导体分立器件行业的发展提供了广阔的市场空间。
    (3)行业整体技术水平不断提升
    半导体分立器件行业为技术密集型行业,行业整体的技术水平较高。随着先进技术在下游行业的创新应用,半导体分立器件的技术水平也不断进步,特别是适用性强、功率密度高、能耗低以及新型材料分立器件不断出现。我国半导体分立器件行业经过近十年的技术积累,已经出现了能够研发生产高技术、高品质的半导体分立器件的企业,领先企业越来越多的参与到全球半导体分立器件供应体系中。国内半导体分立器件行业的整体技术水平有了显著提升。芯片设计是分立器件产业链中对研发实力要求很高的环节,国内已有少数企业的技术实力逐步赶上国际主流分立器件企业。随着芯片设计行业技术水平革新换代速度的加快,只
    有保持一定的研发投入和具备较高研发实力的企业才能保持市场竞争力,在下游需求的快速增长中占据较高的市场地位。
    (4)进口替代效应不断凸显
    半导体分立器件起源于欧美,日韩后续不断形成其自身竞争优势。英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、意法半导体(STMicroelectronics)
    等国际一流半导体制造企业长期占据着我国半导体分立器件的高端应用市场,但
    该等厂商产品的价格十分高昂,无法满足国内迅速爆发的市场需求,导致国内市场供求存在失衡。近年来,我国政府不断出台多项鼓励政策,大力扶持半导体行业。随着国内企业逐步参与到全球半导体分立器件市场的供应体系,以及下游行业大力创新的驱动,国内企业逐步积累了较为丰富的半导体研发和生产技术经验,部分优秀企业参与到中高端半导体分立器件市场的竞争,并取得了一定的知名度和市场占有率。据中国半导体行业协会统计,2017年中国半导体分立器件进口金额为281.8亿美元,相较于2014年进口额下降了10.20%。未来,随着国内企业逐步突破行业高端产品的技术瓶颈,我国半导体分立器件对进口的依赖将会进
    一步减弱,进口替代效应将显著增强。
    2、不利因素
    (1)受经济周期的影响较大半导体分立器件行业的发展与宏观经济走势密切相关。半导体是最基础的电子器件,产业的终端应用需求面较广,因而其需求容易受到经济形势的影响。宏观经济的增长放缓或下滑等不利因素将会导致下游行业需求减少,也将导致半导体分立器件企业收入的波动。近几年,全球经济仍处在危机后调整期,地缘政治危机不断扰动全球经济。我国经济亦由高速增长向中高速增长转换,经济的结构性调整特征十分明显,半导体分立器件行业受宏观经济波动影响将日益明显。
    (2)高端产品技术实力仍然薄弱目前,国内在高端分立器件的研发实力和生产工艺等方面与国外厂商仍存在较大的差距。在研发设计方面,国内具有自主知识产权的高端半导体分立器件的关键技术和设计能力的优质企业较少;在生产能力方面,国内形成了一定的高端
    封装测试能力,但在芯片产品制造方面,国内尚未形成高端半导体分立器件生产能力。因此,国内高端半导体分立器件产品上的技术实力仍然较为薄弱。
    (3)行业生产要素成本上行压力较大
    半导体分立器件的上游供应商主要为晶圆材料企业、芯片代工企业和封测服务企业,晶圆材料和芯片制造仅有国内外少数企业生产,前十大芯片代工企业供应了极大的市场分额,市场具有相对垄断的特点。当芯片代工整体供不应求时,行业内企业在采购芯片代工时往往属于价格接受者。如果其市场价格出现波动,将对半导体分立器件制造企业成本产生较大影响。目前,半导体分立器件行业的原辅料、人工、设备、能源和经营场地等主要生产要素价格普遍呈上涨趋势。虽然专业的半导体分立器件企业一直通过提升工艺水平及提高设备使用效率等方
    式来降低成本,但生产要素价格的普遍上涨仍将给企业带来较大的成本压力。
    (九)半导体分立器件行业的技术水平、技术特点及其他特征
    1、行业的技术水平及技术特点
    (1)行业技术水平
    半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、电子线路等诸多学科、多领域,不同学科、领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展。随着终端应用领域产品的整体技术水平要求越来越高,半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展,新材料、低损耗高可靠性器件结构理论、高功率密度的芯片制造与封装工艺技术已应用到分立器件生产中,行业内产品的技术含量日益提高、设计及制造难度也相应增大。
    目前在日本和美国等发达国家的半导体分立器件领域,MOSFET、IGBT 等产品已采用大功率集成电路等微细加工工艺进行制作,生产线已大量采用 8 英
    寸、0.18 微米工艺技术,极大提高了半导体分立器件的性能,从而促使其产品链
    不断延伸和拓宽。发达国家现代半导体分立器件向大功率、易驱动、低能耗和高频化方向发展,同时,新型产品如 SiC、GaN 等宽禁带半导体功率器件陆续被研
    发面世,并开始产业化应用,应用领域也渗透到能源技术、智能制造、激光技术和军事科技等前沿领域。发达国家凭借其巨大优势,引领着半导体分立器件行业的技术发展趋势,并成为产品和技术标准的制定者。
    国内半导体分立器件行业的产品结构、技术水平和创新能力与国外存在较大的差距。国内半导体分立器件整体技术水平相对落后,以功率二极管、功率三极管、晶闸管和中低端 MOSFET 等产品为主,部分高端技术产品仍大量依赖进口。
    通过对国际先进技术的持续引进、消化吸收再创新以及自主创新,国内优质企业在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平,并凭借其成本、区域优势逐步实现相关产品的进口替代。未来,随着技术水平的提升、高端人才的引进以及管理经验的积累,国内优质企业有望进一步对国外企业形成竞争优势,占据更大的市场空间。
    (2)行业技术特点
    ①对持续创新能力要求高
    半导体分立器件领域存在着摩尔定律,行业整体产品性能逐年快速提升决定了行业内企业一旦落后就有可能被淘汰,只有对半导体分立器件技术进行持续不断的更新升级,才能在行业竞争中占有一席之地。此外,半导体分立器件的下游应用领域覆盖面广,终端产品发展迅速,应用需求不断变化以及技术水平不断提高推动了行业内企业持续创新改进。半导体分立器件企业为适应不同下游应用领域及标准的要求,需要在产品种类、产品材料、工艺技术等方面不断寻求新的解决方案。在发展过程中,行业形成了以功率二极管、功率三极管、晶闸管、
    MOSFET、IGBT 以及 SiC、GaN 等宽禁带半导体分立器件为代表的多层次产品结构,每种产品也在应用中不断突破原有技术瓶颈,派生出众多规格和型号。
    ②对生产工艺要求严格半导体分立器件产品在下游领域的很多产品内部发挥着重要作用。行业内企业在通过客户认证后保证产品质量的稳定性是其维持与客户长期合作关系的基础。半导体分立器件制造的工艺链较长,对刻蚀、光刻、氧化等工艺的均匀性、
    一致性要求很高,尤其是背面减薄、金属化等特殊工序有特殊的生产工艺要求。
    此外,封装测试环节亦对器件整体电学性能、可靠性和质量有着重要影响,对于这种多工艺环节的产品,先进成熟的工艺是降低过程产品不良率和提升产品质量稳定性的关键。成熟的生产工艺和精益化的生产理念需要企业经历多年工艺摸索和经验积累,并在生产实践中贯彻执行;对于研发设计企业来说,不仅需要在技术研发和产品设计阶段提出工艺文件等核心技术文档,还需要通过与代工厂不断沟通、确认以共同克服工艺难点,从而保证产品的整体性能和质量。
    (十)半导体分立器件行业的经营模式及其他特征
    1、行业特有的经营模式
    半导体分立器件行业产业链包括芯片设计、芯片制造、封装测试、对外销售等环节。根据是否拥有产业链各个环节,行业内企业的经营模式可以分为垂直一体化模式和垂直分工模式。
    (1)垂直一体化模式
    垂直一体化的模式即 IDM 模式,是指半导体企业除进行半导体设计外,业
    务范围还包括芯片制造、封装和测试等所有环节。因此,采用 IDM 模式的半导体企业,不仅自身拥有研发设计团队,还需自建芯片制造、封装和测试生产线,在完成半导体的设计、芯片制造、封装测试等环节后销售给下游客户。因为自建芯片制造和封装测试生产线需要巨额的资金投入,如投资建设一条 8 英寸芯片制造产线的资金约 30 亿元人民币。因此采用 IDM 模式的企业往往除了拥有较强的研发技术实力外,还必须拥有雄厚的资本实力。IDM 模式下企业的经营业务流程如下所示:
    采用 IDM 模式的企业拥有强大的研发能力,掌握了先进技术,能够充分整合内部资源,获取产业链较高的附加值,但 IDM 模式下需要高额资本投入和产业链各环节专业人才、产品转型相对较慢。行业内采用 IDM 模式的企业包括英飞凌(Infineon)、意法半导体(ST Microelectronics)、安森美(ON Semiconductor)、瑞萨电子(Renesas Electronics)等。
    (2)垂直分工模式垂直分工模式来源于半导体产业的专业化分工。随着半导体产业的专业化发展和受垂直一体化模式下的高资本投入影响,半导体行业内企业按照产业链环节进行专业化分工,从事具体某一环节的业务。按照从事的产业链环节不同,垂直分工模式可主要分为 Fabless 模式和 Foundry 模式。
    ①Fabless 模式
    Fabless 模式属于垂直分工模式的一种,即无芯片制造和封装测试生产线,仅从事半导体的设计和销售,而将芯片制造、封装测试等环节委托给芯片代工企业、封装测试企业代工完成。采用 Fabless 模式的企业专注于半导体的设计和销售环节:首先,不仅能够集中资源持续进行技术创新和升级换代,还能够自主选择先进工艺技术,与排名前列的芯片代工厂进行长期战略合作,从而充分利用全球先进的工艺制造技术和成熟的质量管理体系;其次,具备较高的市场敏感度,快速捕捉市场热点和需求变化,迅速推出新产品,集中精力提升市场开拓和客户维护能力;最后,初期资本投入规模相对较小,能够充分发挥研发实力和市场开拓能力,迅速实现规模化效益。半导体行业内采用 Fabless 模式的企业包括高通
    (Qualcomm)、苹果公司(Apple)、联发科、华为海思、展讯通信等。
    采用 Fabless 模式的企业在发展到一定规模后,拥有了较为强大的技术研发
    实力和庞大的市场客户群体。而且,因客户不同的产品设计需求,该模式下的企业对不同产品封装测试特点有所掌握,在运营过程中能够积累封装测试相关技术和工艺,从而往往继续向产业链的上游延伸,以满足研发需求、保障产品质量、提高供货及时性并获取产业链更多的附加值。
    公司在 Fabless 模式基础上向上游延伸,实现对少部分功率器件的自主封装,严格把控产品质量。公司布局芯片设计、芯片封测重要环节,有利于充分发挥技术优势,加强供应链、成本和品质的管控力度,实现更好更快的发展。
    ②Foundry 模式
    Foundry 模式属于另一种形式的垂直分工模式。采用 Foundry 模式的企业只
    专注于芯片代工环节,为 Fabless 模式企业和 IDM 模式企业的部分订单提供代工服务,并收取代工费。
    因 8 英寸、12 英寸等芯片代工需要在技术、设备、人才及营运等方面进行
    几十亿甚至上百亿的巨额投入才能保证产品的良率和性能等,且需形成规模效应
    才能实现持续盈利,因此芯片代工行业呈现大者恒大趋势,行业高度集中。中国大陆地区规模较大的本土芯片代工厂只有中芯国际、华虹宏力和华润上华等,其
    中在 2017 年全球前十大芯片代工业者排名中,中芯国际和华虹宏力分别名列第
    五和第九;在功率半导体 8 英寸纯芯片代工细分领域,华虹宏力名列全球第一7。
    目前,中芯国际、华虹宏力、华润上华、上海先进、台积电、台联电、世界先进、韩国三星等国内外企业将功率器件芯片代工作为其主营业务之一,为功率器件设计公司的发展提供了充足的芯片代工供应渠道。
    2、行业的周期性、区域性及季节性特征
    (1)行业周期性
    半导体分立器件作为基础性的功能元器件,应用涵盖了消费电子、汽车电子、
    7资料来源:中国国际半导体博览会:《华虹宏力:准抓细分市场,领跑特色工艺晶圆代工领域》(2018-12-06)
    工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。
    随着半导体分立器件行业新技术的发展,其应用领域将不断扩大。由于半导体分立器件应用领域广泛,受下游单一行业周期性变化影响不显著,但与整体宏观经济景气度具有一定的关联性。
    (2)行业区域性
    国内半导体分立器件企业主要集中在经济较发达、工业基础配套完善以及技术人才聚集的电子信息产业制造区域。经过多年的发展,我国已形成了三大电子信息产业集聚带。即以上海、江苏、浙江为中心的长江三角洲地区,以广州、深圳为龙头的珠江三角洲以及以北京、天津为轴线的环渤海湾地区。受产业集群的影响,行业企业主要分布在上述区域,半导体分立器件行业呈现出一定的区域性特征。
    (3)行业季节性
    半导体分立器件应用领域广泛,下游客户季节性需求呈现此消彼长的动态均衡关系,行业的季节性特征并不非常明显。
    (十一)半导体分立器件行业与上下游行业之间的关联性
    1、半导体分立器件行业的上下游及其关联性半导体分立器件行业的上游主要为半导体硅片供应商和其他金属材料制造商,其中,半导体硅片为半导体分立器件行业的主要原材料。目前,高端半导体硅片主要为国外垄断,硅片生产企业在上游产业链中占据较大话语权。
    半导体分立器件行业的下游分布极为广泛,应用市场包括消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。受益于国家经济转型升级和科技进步,半导体分立器件下游产品不断更新换代,新产品相继面世,其应用将更为广泛。
    2、公司所处上下游行业及其关联性
    半导体分立器件行业产业链包括芯片设计、芯片制造、封装测试、对外销售等环节。从产业链环节看,分立器件的设计属于产业链的前端。公司是专业化垂
    直分工厂商,上游供应商主要为芯片代工企业和封装测试企业,芯片由公司提供设计方案、材料规格、制造工艺流程及测试规范给芯片代工企业进行代工生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片按公司提供的封装测试规格要求进行封装测试而成。上游行业芯片代工价格以及封装测试费用对公司产品的生产成本有直接影响。公司下游为消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等应用领域。广泛的下游应用领域决定了该行业受下游单一行业周期性变化影响不显著,但与宏观经济的景气程
    度具有一定的关联性。
    三、发行人在行业中的竞争地位
    (一)发行人的行业地位中国产业信息网发布的《2014-2019 年中国半导体器件市场分析预测及投资战略咨询报告》显示,我国半导体分立器件行业集中度低,规模以上的半导体分立器件企业约有 2000 家。行业内少数优质企业通过长期的技术积累和持续的自主创新,能够设计或生产附加值较高的产品,并满足客户严苛的产品认证标准,市场知名度较高,在国内竞争主体众多的环境中处于领先地位。
    公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一,是国内 8 英寸先进工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一,也是国内半导体功率器件行业内最早专门从事 MOSFET、IGBT 研发设计的企业之一。在中国半导体行业协会发布的 2016 年、2017 年、2018 年和 2019 年中国半导体功率器件企业排行榜中,公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司是江苏省科技厅、财政厅、国税局、地税局联合认定的高新技术企业,且为中国半导体行业协会会员、中国电源学会理事单位。公司亦为江苏半导体行业协会 2017 年度先进会员单位,已建立了江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。自成立以来,公司始终专注于半导体功率器件行业,具备独立的 MOSFET 和 IGBT 芯片设计能力和自主的工艺流程设计平台。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率
    MOSFET 的企业之一,是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率
    MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一。公司
    新产品开发能力强,产品导入市场速度快,已经掌握屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、IGBT 等特色工艺技术,并形成了具有自主知识产权的核心技术体系。公司产品数量众多,应用广泛,特别能满足如消费电子、汽车电子、工业电子以及新兴领域的终端客户对产品的技术参数和性能多样性的需求,具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。
    公司未来将以当前在市场中的竞争能力以及核心竞争优势为基础,巩固现有的市场地位,在国家产业政策大力支持下,继续开拓市场,加大研发力度,实现持续快速发展。
    根据全球知名市场研究机构 IHS 统计数据显示,2016 年、2017 年国内
    MOSFET 市场份额分别为 22.07 亿美元、26.39 亿美元。公司 2016 年、2017 年
    分别占国内 MOSFET 市场份额比例分别为(年度平均汇率分别为 6.6423、6.7518)
    2.88%、2.83%,且公司为除英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、瑞萨电子(Renesas Electronics)等 9 家外资品牌外的国内排名前茅的 MOSFET
    研发设计及销售本土企业。根据 IHS、电子工程世界网 Yole 相关数据,2018 年全球 MOSFET 市场份额预计将增长至 76 亿美元,比照 Yole 关于国内功率器件占全球份额约 39%测算,国内 2018 年 MOSFET 市场份额预计将达到 29.64 亿美元,公司占国内 MOSFET 市场份额比例达 3.65%。
    在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中,公司均名列其中,具体排名如下:
    序号 荣誉名称 名次 颁发单位
    1 2019 年中国半导体行业功率器件十强企业 7中国半导体行业协会
    (CSIA)
    2 2018 年中国半导体行业功率器件十强企业 6
    3 2017 年中国半导体行业功率器件十强企业 7
    4 2016 年中国半导体行业功率器件十强企业 9
    二极管、三极管、晶闸管等半导体功率器件主要基于投资规模为十亿元以内
    的 4、6 英寸晶圆片工艺平台进行生产,国内以上述产品为主的部分上市公司具
    备资本实力可以自建产线进行生产,因此主要采取 IDM 模式;而 MSOFET、IGBT等因其产品特性和较高工艺要求则主要基于投资规模约 30 亿元的 8 英寸晶圆片
    工艺平台进行生产,行业内企业一般主要从事产品的研发设计,而将芯片制造委托给纯代工企业进行生产。在中国半导体行业功率器件十强企业中,公司为唯一
    一家主要基于先进的 8 英寸晶圆片工艺平台、且专门从事 MOSFET 和 IGBT 等
    半导体功率器件研发设计、并主要采用 Fabless 模式的非上市企业。
    2018 年中国半导体行业功率器件十强企业主要情况如下表所示:
    排名 企业名称 经营规模 业务模式 产品结构
    1扬杰科技
    (300373)上市公司。
    2017 年度营业收入为
    14.70 亿元;
    2018 年度营业收入为
    18.52 亿元;
    2019 年度营业收入为
    20.07 亿元;
    IDM 模式专业从事二极管系列产品,包括快恢复二极管、齐纳二极管、整流桥等,目前正逐步开发自己的
    MOSFET 产品。
    2华微电子
    (600360)上市公司。
    2017 年度营业收入为
    16.35 亿元;
    2018 年度营业收入为
    17.09 亿元;
    2019 年度营业收入为
    16.56 亿元;
    IDM 模式其产品主要为功率半导体,主要包括二极管、三极管、双极型功率晶体管、MOSFET 和 IGBT。
    3无锡华润华晶微电子有限公司央企下属企业(非上市公司)
    IDM 模式主要产品为双极型功率
    晶体管、MOS 型功率晶体管、IGBT 和特种二极管等
    4苏州固锝
    (603501)上市公司。
    2017 年度营业收入为
    18.5 亿元;
    2018 年度营业收入为
    18.9 亿元;
    2019 年度营业 收入
    19.81 亿元;
    IDM 模式
    半导体整流器件芯片、功
    率二极管、整流桥等产品
    5乐山无线电股份有限公司
    民营企业(非上市公司) IDM 模式
    主要产品包含二极管、三极管、集成电路、桥式整流器、MOSFET 等
    6 新洁能
    2017 年度营业收入为
    5.04 亿元;
    2018 年度营业收入为
    7.16 亿元;
    2019 年度营业收入为
    7.73 亿元(非上市公司)主要为
    Fabless 模式主要产品包括沟槽型功
    率 MOSFET、超结功率
    MOSFET、屏蔽栅功率
    MOSFET 和 IGBT 等。
    7瑞能半导体有限公司
    国际合资企业,由恩智浦半导体(NXP)与北京建广资产管理有限公司联合成立(非上市公司)
    IDM 模式主要产品包括可控硅整
    流器和三端双向可控硅、
    硅功率二极管、高压晶体管和碳化硅二极管等
    8常州银河世纪微电子股份有限公司
    2017 年度营业收入为
    6.12 亿元(非上市公司)
    IDM 模式
    主要产品包括二极管、三极管和桥式整流管等半导体分立器件产品
    9捷捷微电
    (300623)上市公司。
    2017 年度营业收入为
    4.31 亿元;
    2018 年度营业收入为
    5.37 亿元;
    2019 年度营业收入为
    6.74 亿元;
    IDM 模式公司主营产品包括晶闸
    管器件和芯片、防护类器件和芯片、二极管器件和芯片、厚膜组件及功率模块、晶体管器件和芯片等。
    10北京燕东微电子有限公司国有控股企业(非上市公司)
    IDM 模式主要产品包括模拟集成
    电路、二极管产品、
    VDMOS 系列、CMOS、场效应件等产品
    (二)同行业主要企业情况
    公司的主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。公司是专业化垂直分工厂商,芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司自成立以来凭借持续的研发投入和质量管理,在市场取得较好经济效益。
    公司主要产品包括沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率
    MOSFET 以及 IGBT 等半导体功率器件产品,公司主要竞争对手包括英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、瑞萨电子(Renesas Electronics)
    等国际一流半导体企业,以及扬杰科技(300373)、韦尔股份(603501)、富满
    电子(300671)等国内优秀的半导体功率器件企业。
    公司与该等企业在经营模式、销售规模等方面的差异情况如下:
    新洁能首次公开发行股票并上市申请文件 招股意向书(封卷稿)
    A、国外主要竞争对手
    序号 企业名称 企业概况 经营模式 销售规模 产品特征 技术水平
    1英飞凌(Infineon)
    成立于 1999 年,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,
    于 1999 年独立,2000 年上市。公司专注于
    为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案,业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。
    IDM 模式
    2017 财年营业收入
    为 70.63 亿欧元;
    2018 财年8营业收入
    为 75.99 亿欧元;
    2019 财年营业收入
    为 80.29 亿欧元英飞凌是全球功率半导体龙头企业,掌握功率半导体高端技术,其产品主要包括 MOSFET、IGBT、智能功率器件及功率集成电路等产品。
    国际领先,其产品技术引领着全球功率半导体技术的发展,其 MOSFET 产品主 要 为 超 结 功 率
    MOSFET 、沟槽型功率
    MOSFET 和屏蔽栅功率
    MOSFET。
    2安森美
    (ONSemiconductor)
    于 1999 年从摩托罗拉分拆出来,已在美国
    纳斯达克上市,代号:ONNN。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,主要应用于汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空及电源应用等领域
    IDM 模式
    2017 财年营业收入
    为 55.43 亿美元;
    2018 年度营业收入
    为 58.78 亿美元;
    2019 年度营业收入
    为 55.18 亿美元安森美产品包括集成电路
    和功率半导体,在并购
    Fairchild 后,一跃成为全
    球第二大功率半导体企业,掌握半功率半导体高端技术,其产品主要包括
    MOSFET、IGBT、新材料
    器件、智能功率器件及功率集成电路等产品。
    国际领先,其 MOSFET 产品 主 要 为 超 结 功 率
    MOSFET 、沟槽型功率
    MOSFET 和屏蔽栅功率
    MOSFET。
    3瑞萨电子
    (Renesas
    Electronics)
    成立于 2003 年,是由日立制作所半导体部
    门和三菱电机半导体部门合并成立,已在东京证券交易所上市。公司结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验,
    IDM 模式
    2017 财年营业收入
    为 7802.61 亿日元;
    2018 年度营业收入
    为 7573.60 亿日元;
    其产品包括集成电路和功率半导体,其功率半导体产品主要包括 MOSFET、
    IGBT、功率集成电路、二国际先进,其 MOSFET 产品 主 要 为 超 结 功 率
    MOSFET 、沟槽型功率
    MOSFET 和屏蔽栅功率
    8英飞凌财年为上年 10 月 1 日至当年 9 月 30 日
    新洁能首次公开发行股票并上市申请文件 招股意向书(封卷稿)
    是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。
    2019 年度营业收入
    为 7182.43 亿日元
    极管、三极管及晶闸管等。 MOSFET。
    4东芝半导体(Toshiba)
    是日本最大的半导体制造商,也是第二大综合电机制造商,隶属于三井集团。创立于
    1875 年 7 月。东芝半导体产品包括 NAND
    闪存、固态硬盘、MCP、宽带系统大规模集成电路、多媒体 SoC、客户明知 SoC、显示激励器、模拟集成电路、CMOS 图像传感器、通用性 CMOS 逻辑电路、小型信号装置、电源装置、光学半导体装置。
    IDM 模式
    2017 财年营业收入
    为 8371.36 日元;
    2018 财年9营业收入
    为 8796.02 亿日元其产品包括集成电路和功率半导体,其功率半导体产品主要包括 MOSFET、
    IGBT、二极管、功率集成电路等。
    国际先进,其 MOSFET 产品 主 要 为 超 结 功 率
    MOSFET 、沟槽型功率
    MOSFET 和屏蔽栅功率
    MOSFET。
    5意法半导体
    (STMicroelectronics
    )
    成立于 1987 年,是全球最大的半导体公司
    之一,是纽约证券交易所、泛欧证券交易所
    和意大利米兰证券交易所上市公司,在分立器件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列。公司是业内半导体产品线最广的
    厂商之一,产品包括二极管、晶体管以及复
    杂的片上系统(SoC)器件等,是各工业领域的主要供应商。
    IDM 模式
    2017 年度营业收入
    为 83.47 亿美元;
    2018 年度营业收入
    为 96.64 亿美元;
    2019 年度营业收入
    为 95.56 亿美元其产品包括集成电路和功率半导体,其功率半导体产品主要包括 MOSFET、
    IGBT、二极管、功率集成电路等。
    国际先进,其 MOSFET 产品 主 要 为 超 结 功 率
    MOSFET 、沟槽型功率
    MOSFET 和屏蔽栅功率
    MOSFET。
    B、国内主要竞争对手
    9东芝半导体数据为东芝集团年报中“电子元件及储存部分”相应的业务收入,财年为上一年 4 月 1 日至当年 3 月 31 日
    序号 企业名称 企业概况 经营模式 销售规模 产品特征 技术水平
    1 扬杰科技 成立于 2006 年,专注于功率半导体芯片及 IDM 模式 2017 年度营业收入 专业从事二极管系列产 在二极管领域技术先进,积
    新洁能首次公开发行股票并上市申请文件 招股意向书(封卷稿)
    (300373) 器件制造、集成电路封装,主要产品包括各
    类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN 产品、MOSFET、
    IGBT 等,广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等领域。
    为 14.70 亿元;
    2018 年度营业收入
    为 18.52 亿元;
    2019 年度营业收入
    为 20.07 亿元品,包括快恢复二极管、齐纳二极管、整流桥等,目前正逐步开发自己的
    MOSFET 产品。
    累雄厚。根据其 2019 年年报,公司拥有发明专利 42项。
    2韦尔股份
-603501
    成立于 2007 年,主营业务为半导体分立器件和电源管理 IC 等的研发设计,以及被动件、结构器件、分立器件和 IC 等的分销业务,其中半导体设计业务属于典型的
    Fabless 模式。公司主要产品应用于移动通
    信、车载电子、安防、网络通信、家用电器等领域。
    Fabless+半导体分销模式
    2017 年度营业收入
    为 24.06 亿元;
    2018 年度营业收入
    为 39.64 亿元;
    2019 年度营业收入
    为 136.32 亿元公司自主研发设计的半导体产品主要有分立器
    件 ( 包 括 TVS 、
    MOSFET、肖特基二极管
    等)、电源管理 IC、直播芯片和射频芯片等
    根据公司官网,中低压
    MOSFET 产品电压覆盖
    -50V ~ 110V ; 高 压
    MOSFET 主要为 650V 产品。根据其 2019 年年报,公司拥有发明专利 3826项。
    3富满电子
-300671
    成立于 2001 年,为集成电路设计企业,主要从事高性能模拟及数模混合集成电路的
    设计研发、封装、测试和销售,应用于消费性电子产品电源管理类、LED 控制及驱动类、MOSFET 类等领域。
    Fabless+封装测试模式
    2017 年度营业收入
    为 4.40 亿元;
    2018 年度营业收入
    为 4.97 亿元;
    2019 年度营业收入
    为 5.98 亿元主要产品包括电源管理
    类芯片、LED 控制及驱动芯片、MOSFET 类芯片及其他芯片。
    主要专利技术集中在驱动芯片及控制电路上。根据其
    2019 年年报,公司拥有发
    明专利 27 项。
    4士兰微
-600460
    成立于 1997 年,为集成电路十强企业,从集成电路设计出发目前已经搭建了特色工
    艺的芯片制造平台,形成了 IDM 模式;主要从事 MCU、LED 驱动芯片以及 MEMS等集成电路芯片以及包括 MOSFET、二极管、IGBT 等半导体功率器件产品。
    IDM 模式
    2017 年度营业收入
    为 27.42 亿元;
    2018 年度营业收入
    为 30.26 亿元;
    2019 年度营业收入
    为 31.11 亿元产品主要包括集成电路
    和功率半导体,功率半导体产品主要为功率集成
    电路、二极管、三极管、
    MOSFET、IGBT 等。
    公司拥有 LED 电源电路、数字音视频电路、MCU 电路以及 MEMS 等较为丰富的集成电路芯片产品;功率
    半导体产品以 IGBT、超结功率 MOSFET 为代表,陆续 完 成 了 超 薄 片 槽 栅
    IGBT、超结高压 MOSFET、新洁能首次公开发行股票并上市申请文件 招股意向书(封卷稿)
    资料来源:各公司官方网站或公开披露资料。
    高 密 度 沟 槽 型 功 率
    MOSFET 等工艺的开发。根
    据其 2018 年年报,公司拥
    有发明专利 361 项。
    5华微电子
-600360
    成立于 1999 年,为集半导体分立器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业,拥有多条半导体分立器件及 IC 芯片生产线,主要生产半导体分立器件及 IC,应用于消费电子、节能照明、计算机、PC、汽车电子、通讯保护与工业控制等领域。
    IDM 模式
    2017 年度营业收入
    为 16.35 亿元;
    2018 年度营业收入
    为 17.09 亿元;
    2019 年年度营业收
    入为 16.56 亿元其产品主要为功率半导体,主要包括二极管、三极管、双极型功率晶体管、MOSFET 和 IGBT。
    产品包括 IGBT、平面型功率 MOSFET 以及主要种类
    的二极管等。截至 2019 年
    4 月 1 日,公司共拥有发明
    专利 18 项。
    6台基股份
-300046
    成立于 2004 年,为半导体功率器件研发设计与制造企业,采用 IDM 模式。主要产品包括大功率晶闸管和大功率模块等,产品应用于钢铁冶炼、电机驱动、大功率电源、输变电和配电、轨道交通、机械制造、电焊机、化工、新能源等行业和领域。
    IDM 模式
    2017 年度营业收入
    为 2.79 亿元;2018年度营业收入为 4.18亿元;
    2019 年度营业收入
    为 2.65 亿元其产品主要包括大功率晶闸管和大功率模块等在国内大功率半导体器件市场销量领先;晶闸管产品在国内属于领先水平。根据
    其 2019 年年报,公司共拥
    有发明专利 9 项。
    7 新洁能
    成立于 2013 年,专注于 MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件研发设计和销售的企业。
    报告期内主要
    采用 Fabless 模式
    2017 年度营业收入
    为 5.04 亿元;
    2018 年度营业收入
    为 7.16 亿元;
    2019 年营业收入为
    7.73 亿元主要产品包括沟槽型功
    率 MOSFET、超结功率
    MOSFET、屏蔽栅功率
    MOSFET 和 IGBT 等。
    产 品 主 要 为 超 结 功 率
    MOSFET 、 沟 槽 型 功 率
    MOSFET 和屏蔽栅功率
    MOSFET、IGBT 等先进功率器件。截至 2020 年 1 月
    19 日,公司拥有专利共计
    97 项,其中发明专利 35 项。
    (三)发行人的竞争优势
    1、研发实力优势公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一,名列“中国半导体功率器
    件十强企业”。公司是高新技术企业、江苏半导体行业协会 2017 年度先进会员单位,已建立了江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目已获得 2019 年度江苏省科学技术一等奖,并获得 2020 年度国家技术发明奖提名且已经通过初评。自成立以来,公司始终专注于半导体功率器件行业,具备独立的 MOSFET 和 IGBT 芯片设计能力和自主的工艺技术平台。公司新产品开发能力强,产品导入市场速度快,已经掌握了屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、IGBT 等特色工艺技术,并形成了具有自主知识产权的核心技术体系。
    公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一,是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率
    MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一。截至 2020 年 1 月 19 日,公司
    拥有 97 项专利,其中发明专利 35 项,发明专利数量和占比在国内半导体功率器
    件行业内位居前列;公司拥有的该等专利与 MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关,对公司核心技术形成了专利保护,对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外,公司参与在 IEEE TDMR 等国际知名期刊中发表论文 13 篇,其中 SCI 收录论文 7 篇,不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平,缩小了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距,拉大了与国内同行业竞争者的技术差距。
    公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作,针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端 MOSFET、IGBT 的研发和产业化,在已推出先进的超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和超薄晶圆 IGBT 数款产品基础
    上,进一步对上述产品升级换代。公司目前亦率先在国内研发基于 12 英寸晶圆
    片工艺平台的 MOSFET 产品,部分产品已处于小批量风险试产环节。公司还进
    一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域,开展对 SiC/GaN 宽禁带半导
    体功率器件的研究探索和产业化,紧跟最先进的技术梯队,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
    2、产品系列优势
    公司主要产品为沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率
    MOSFET 和 IGBT 等半导体功率器件,已拥有覆盖 12V~1350V 电压范围、
    0.1A~350A 电流范围的多系列细分型号产品,是国内领先的半导体功率器件行业
    中 MOSFET 产品系列最齐全的设计企业之一。公司通过构建主要产品工艺技术平台,衍生开发细分型号产品,并持续升级产品工艺平台,形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式,从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生,满足下游多个领域的需求,最终引致公司经营规模迅速增长。
    截至目前,公司已拥有 1000 余种细分型号产品,能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。基于国际先进的超低能耗电荷平衡理论技术,公司研发的主要产品紧跟国际一线品牌,且拥有全部自主知识产权。
    公司 600V-1350V 的沟槽型场截止 IGBT、500V-900V 的第三代超结功率
    MOSFET、30V-300V 的屏蔽栅功率 MOSFET、12V-250V 的沟槽型功率 MOSFET
    均已实现量产及系列化。未来,公司将进一步优化产品性能,挖掘客户的需求,丰富产品系列型号,保持公司在产品系列方面的竞争优势。
    3、产品品质优势
    公司产品性能优良,质量稳定,一致性高。公司拥有完善的产品质量管控体系,针对产品进行全流程质量管控。公司建立了严格的供应商选择机制,供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力、华润上华、中芯集成领先的芯片代工企业,芯片产品性能优异,质量可靠。封装测试主要采购长电科技(600584)、通富微电(002156)、安靠技术(Amkor)
    等一流封装测试企业的服务,封装良率较高,功率器件品质良好。公司产品已获
    得了《ISO9001 质量体系证书》,符合 ISO9001:2015 质量管理体系的要求;而且,公司“沟槽型功率 MOSFET”、“绝缘栅双极型晶体管(IGBT)”、“超结功率 MOSFET”、“屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。
    4、产业链协作优势
    产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。MOSFET、IGBT相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征,因此,MOSFET、IGBT 的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态,这使得 MOSFET、IGBT 主要基于 8 英寸晶圆工艺平台进行流片,而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。
    公司是国内 8 英寸工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一。由于公司产品在器件结构具有更高要求、在产品性能方面具有更突出的特性,公司主要基于 8 英寸晶圆片工艺平台进行产品生产;8 英寸晶圆片工艺平台工艺
    制造能力也更为优异,为公司能够研发设计出器件更为先进、性能更为突出或卓
    越的产品提供了一定支撑。公司芯片代工供应商包括华虹宏力、华润上华、中芯集成、韩国美格纳以及韩国三星等其他境内外领先企业,其中华虹宏力在全球
    2017 年和 2018 年芯片代工企业中分别排名第九和第七。
    公司封装测试供应商包括长电科技(600584)、安靠技术(Amkor)、通富
    微电(002156)、上海捷敏等十多家优秀企业,其中长电科技(600584)是国内封装测试供应商的龙头,全球市场份额排名第三,安靠技术(Amkor)是全球领先的封装测试供应商,全球市场份额排名第二。公司还是国内最早开展 Cu-Clip先进封装技术研发探索的企业之一,并与安靠技术(Amkor)等形成了良好的合作关系。
    公司与产业链中重要供应商签订了框架合作协议,保持长期稳定的合作关系,公司积极加强与供应商的资源整合,将下游应用领域对芯片代工及封装测试的新要求及时反馈给供应商,供应商亦在提供芯片代工、封装测试服务的同时持续与公司沟通新工艺、新技术的更新情况,并经常进行技术交流,形成了通畅的交流平台。公司与产业链中大部分优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作,形成了公司较为突出的产业链协作优势。
    5、下游应用优势
    公司是国内领先的半导体功率器件设计领域的企业之一,主要产品
    MOSFET、IGBT 等是电力电子系统中重要的基础元器件,单个终端产品往往需
    要使用多个 MOSFET、IGBT 产品。公司产品适用于广泛的下游应用领域,应用优势明显。公司产品主要运用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴领域,其中消费电子、汽车电子、工业电子等将保持稳定增长,新能源汽车/充电桩、物联网、智能装备制造等领域在国家政策的支持下将成为新的增长点。广泛的下游应用领域既保障了对公司产品的充足需求,为公司发展提供了巨大的市场空间,又提升了公司应对下游单一行业波动等市场风险的能力。
    6、进口替代优势国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的
    半导体功率器件设计企业之一,通过多年的研发积累和技术引进,在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司研发的产品紧跟国外一线品牌,如英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、意法半导体(STMicroelectronics)等,并凭借成本、区域优势逐步实现对 MOSFET、IGBT 等中高端产品的进口替代。公司屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET 以及沟槽型场截止 IGBT 产品平台已实现量产,部分产品的参数性能及送样表现与国外一线品牌同类产品基本相当,公司产品具有较强的进口替代优势。近年来,
    MOSFET、IGBT 等先进半导体功率器件目前国产替代化趋势十分明显。2017 年
    以来包括纳恩博、飞毛腿、富士康等多个下游细分行业内龙头企业均与公司建立了合作关系或进行了前期洽谈。
    7、品牌和客户优势
    半导体行业上下游产业链之间具有高度的粘性,下游应用行业对产品质量和供应商的选定有严格的要求,一旦对选用的功率器件产品经过测试、认证并规模化使用之后将不会轻易更换供应商,因此公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护。公司建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制,既保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化,支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入多个下游细分领域,且已为下游行业内多家龙头客户供货。部分下游应用客户情况如下:
    序号 下游领域 客户名称 简介
    1 家用电器领域(海尔)
    海尔主营业务为主要从事冰箱/冷柜、洗衣机、空调等产品的研发、生产和销售,为全球知名的家电供应商之一;
    (美的)
    美的主营业务为消费电器、暖通空调等产品的研发、生产和销售,为全球知名的家电供应商之一。
    2 电动平衡车领域(纳恩博)
    纳恩博主营业务为电动平衡车、滑板车等产品的制造和销售,为国内领先的智能短途代步设备运营商之一。
    3 电源管理领域(台达电子)台达电子为全球提供电源管理及散热方案,为全球电源领域龙头企业之一。
    4 TV 电源领域(视源股份)
    视源股份主营业务为液晶显示主控板卡、工业电源、交互智能平板等产品的设计、研发和销售,为国内液晶显示主控板的龙头企业之一。
    5锂电池及锂电池保护领域(飞毛腿)
    飞毛腿主营业务为锂离子电池模组研发、设计、生产及销售,为国内知名的锂电池模组供应商之一。
    (宁德时代)宁德时代主营业务为新能源汽车动力电
    池系统、储能系统的研发、生产和销售,为国内率先具备国际竞争力的动力电池制造商之一。
    6 电动车领域(晶汇电子)
    晶汇电子主营业务为电动车、电动摩托车和电动汽车控制器的开发、制造及销售,为国内电动车行业内的知名企业之一。
    7 电动工具领域(德朔实业)德朔实业主营业务为精密测量工具与仪
    器等产品的研究、开发、测试和制造,为全球知名的电动工具供应商之一。
    (宝时得)
    宝时得主营业务为电动工具的研发、制造及销售,为全球知名的电动工具供应商之
    一。
    8 LED 照明领域(晶丰明源)
    晶丰明源主营业务为 LED 照明驱动芯片
    的研发与销售,为国内领先的模拟和混合信号集成电路设计企业之一。
    (飞利浦照明)
    飞利浦照明是全球照明行业的领先者,产品涵盖了从家居照明到工业照明等所有照明应用。
    (杰华特)
    杰华特主要产品包括电池管理,LED 照
    明,DC/DC 转换器,2019 年获华为全资
    子公司哈勃投资的入股,为华为产业链成员。
    9电子产品代工领域(富士康)
    富士康专业从事计算机、通讯、消费性电
    子等 3C 产品研发制造,为全球知名电子产品代工生产企业之一。
    10 移动通信领域
    (中兴通讯)中兴通讯是全球领先的综合通信解决方案提供商,中国最大的通信设备上市公司。主要产品包括:2G/3G/4G/5G 无线基站与核心网、大数据、云计算、数据中心、手机及家庭终端、智慧城市以及航空、铁路与城市轨道交通信号传输设备等。
    (三星)
    三星为全球信息技术领导者,业务涵盖通
    讯、音视频、IT、家电等领域,为全球第
    一大手机制造商。
    11 网络通讯(普联技术)普联技术是全球领先的网络通讯设备供应商,产品涵盖以太网、无线局域网、宽带接入、电力线通信、安防监控等领域。
    12 汽车领域(长城汽车)
    长城汽车是全球知名的 SUV、皮卡制造商,旗下拥有哈弗、WEY、欧拉和长城皮
    卡四个品牌,产品涵盖 SUV、轿车、皮卡
    三大品类。
    13 安防领域(宇视科技)
    宇视科技是以可视、智慧、物联产品技术为核心的全球公共安全和智能交通的解
    决方案及产品提供商,面向全球用户提供公共安全、智能交通解决方案及产品。
    公司依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与客户保持了良好的商业合作关系,培育了一大批忠实客户并取得了较好的市场口碑,为公司不断积累客户资源、取得长远发展提供了有力的保障。
    8、人才优势
    自公司成立以来,公司一直重视人才培养和团队建设。公司人才结构长期稳定,已经培养了一批具备丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队及较强的研发能力的高素质技术团队。
    公司整体研发人员精干高效,与公司经营发展相适应。特别地,随着子公司电基集成 2019 年下半年逐步扩大经营规模,相应的研发技术人员数量增加较多,有效提高了公司整体研发和技术实力,截至 2019 年 12 月 31 日,公司研发人员占比超过 36%,且拥有众多在半导体芯片代工企业、半导体封装测试企业工作经验的复合型研发人员,以及具有半导体行业内从业经验达 10 年以上的研发人员,
    研发团队整体精干高效。特别地,公司董事长兼总经理朱袁正先生是公司技术创新领军人物,本科和硕士分别毕业于吉林大学半导体化学专业和新加坡国立大学(National University of Singapore)Computer and Power Engineering 专业;曾在
    中国华晶电子集团公司、新加坡微电子研究院(Institute of MicroelectronicsIME)、德国西门子松下有限公司(Siemens Matsushita Components GmbH)、无锡华润上华半导体有限公司以及苏州硅能半导体科技股份有限公司工作,在半导体行业内拥有长达三十二年的研究和工作经历,是国内 MOSFET 等半导体功率器件领域研究及产业化的亲历者和先行者,积累了丰富的晶圆硅材料制备经验、集成电路制程工艺经验、研发设计和管理经验,并且拥有对半导体功率器件行业和技术发展敏锐的前瞻性判断,作为发明人或设计人的专利数量达到 97 项;曾获得苏州工业园区科技领军人才、姑苏创新创业领军人才、无锡市科技创新领军人才、无锡市滨湖区集成电路产业发展专家、江苏省优秀回国创业人员、无锡市科技企
    业家、2018 年度无锡市集成电路产业杰出人才以及科技创新优秀企业家等多项荣誉称号。以董事长兼总经理朱袁正先生为领军人物的公司研发团队,是国内最
    早一批专注于 8 英寸晶圆片工艺平台对 MOSFET、IGBT 等先进的半导体功率器
    件进行技术研发和产品设计的先行者之一,在 MOSFET、IGBT 等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。
    公司销售团队市场经验丰富,不仅掌握和熟悉公司产品性能参数,还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题,同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通;不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售,还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。
    公司不断加强人才管理,针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制,能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。充分的人才储备为公司竞争实力的持续提升提供了良好的保障。
    (四)发行人的竞争劣势
    1、融资渠道相对有限
    公司正面临着新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等
    下游应用市场的大力推广带来的市场机遇。公司在未来发展和抢占市场机遇的过程中需要投入大量的资金来进行产品的研发、人才的引进以及产能的提升。公司的资金主要依赖于股东投入和自有资金积累,融资手段有限,公司的经营规模、渠道拓展和品牌建设等受到一定的限制。公司亟需拓展融资渠道,增强资金实力,
    进一步提高公司盈利能力。
    2、高端人才储备相对不足高端人才储备是公司持续发展和保持核心竞争力的重要基础。随着公司业务规模不断扩大,研发投入不断增加以及产品结构持续更新升级,在可预见的将来,公司在项目管理、技术研发等方面的高级人才储备相对不足。公司需要不断完善内部人才培养机制,加大外部人才的引进力度,以快速充实高端人才储备。
    四、发行人的销售情况及主要客户
    (一)主要产品或服务的用途
    公司主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司主要产品的应用情况参见本节“一、发行人主营业务、主要产品及变化情况”。
    (二)主要产品的工艺流程图
    公司主要为 Fabless 模式并向封装测试环节延伸产业链,芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司芯片和功率器件产品的主要形成和销售过程如下图所示:
    (三)主要经营模式
    1、研发模式
    公司研发部门根据行业发展趋势、市场分析以及客户需求,确定研发规划和具体措施,通过组织公司各部门进行立项评审,确定产品开发项目。公司的产品开发需要经过技术研发和产品设计过程,其中技术研发流程包括客户需求评估、器件结构研究、工艺流程/单项工艺研究、电学特性研究等主要步骤;产品设计流程包括多项目晶圆实验流片(MPW)、工程批流片和风险批流片等主要步骤。
    整体上,公司技术研发和产品设计过程既相互衔接又相互交织,构成了公司产品复杂的研发设计过程。
    ①技术研发和产品设计流程
    A、技术研发流程
    B、产品设计流程
    ②研发各流程具体工作内容、实际作用两大流程主要工作程序具体工作步骤
    具体工作内容 实际作用技术研发客户需求评估
    -调研市场同规格或同类产品的行
    业应用范围、市场价格、市场需求量、供求关系等,若为客户定制开发产品,评估客户系统对功率器件具体性能参数要求、成本价格要求、开发周期要求以及量的需求明确开发产品目标参数器件结构研究
    -评估已有结构方案能否满足客户系统需求,初步分析结构基本尺初步确定产品结构设计方案
    寸参数,如不能,提出新型结构满足客户需求
    工艺流程/单项工艺研究
    -
    根据结构方案,通过仿真分析初步确定工艺流程,对单项工艺条件进行精确仿真,搭建二维结构
    和三维结构模型工艺流程及单相工艺条件研究开发,建立二维结构模型和
    三维结构模型电学特性研究
    1、电学参数仿真研究对搭建的二维及三维结构模型进
    行动静态电学参数仿真、鲁棒性仿真及系统电路仿真评估设计结构参数的电学特性参数是否满
    足设计指标,如果满足,则提炼关键参数形成
    技术文件:
    1、材料规格文
    件 2、工艺流程
    文件 3、主要单项工艺条件文件
    2、机理分析研究
    不满足设计指标时,通过仿真研究器件结构内部机理,包括电场分布、等电势线分析、载流子浓度分布等,重新返回结构设计
    为进一步改进结构提供理论基础产品设计多项目晶圆实验流片(MPW)
    1、工艺仿真根据技术研发环节得到的多种方案,设计实验分片条件,形成实验分片条件文件形成实验分片条件文件技术文档
    2、多项目晶圆实验批(MPW)版图绘制根据技术研发环节得到的多种方
    案及关键尺寸,绘制版图文件,形成 MPW 版图文件(GDS)
    形成 MPW GDS版图文件技术文档
    3、关键工艺步骤确认根据芯片代工厂的实际工艺能力,由公司研发人员对关键工艺步骤进行工艺窗口确认,设计实验分片条件形成实验分片文件和晶圆测试规范文件
    4、芯片代工
    将GDS版图文件发给制版厂进行
    光刻版制版,将光刻版及材料规格文件、工艺流程文件、主要单项工艺条件文件、实验分片文件、晶圆测试规范文件五大核心技术文档发送给芯片代工厂芯片产品代工
    将六大核心技术文档打包发送给芯片代工厂进行产品代工生产
    5、芯片级测试将芯片代工厂产出的芯片产品进行芯片级基本电学特性参数测试,评估芯片参数是否达到设计评估芯片参数是否达到设计指标
    指标,如果无一款芯片参数达标,则重新进入技术研发环节。
    6、封装技术评估
    依据客户对功率器件管脚间距、散热、绝缘特性等方面需求,选定合适的封装外形;考虑产品的电流能力,选定适合的装片技术及引线键合技术;依据环保要求
    和可靠性要求,选定合适的封装材料;考虑客户需求,结合公司质量管控标准,设计测试方案和测试规范文件;将上述关键技术信息形成封装规格书输出封装规格书
    7、封装代工加工
    将通过 CP 测试符合设计指标的芯片,和封装规格书一起送至封装代工厂进行封装代工将符合设计指标芯片和封装规格书发给封装代工厂进行代工生产
    8、静态电参数测试对代工生产出的功率器件进行直
    流参数测试,评估直流参数是否满足设计指标评估功率器件基本直流电学参数是否达到设计指标
    9、动态电参数测试
    进行交流参数测试,评估交流参数是否满足设计指标。
    评估功率器件交流电学参数是否达到设计指标
    10、鲁棒性测试
    进行鲁棒性参数测试,评估鲁棒性参数是否满足设计指标。
    评估功率器件鲁棒性参数是否达到设计指标
    11、可靠性考核测试
    进行可靠性考核及测试,评估可靠性参数是否满足设计指标。
    评估功率器件可靠性参数是否达到设计指标工程批流片
    1、工艺仿真
    筛选 MPW 性能最优的设计,进行工艺微调仿真,再次确认产品工艺生产条件微调产品工艺
    2、单芯片版图绘制
    根据 MPW 中性能最优的版图设计方案,绘制单芯片产品版输出单芯片产品版图文件
    3、芯片代工 将GDS版图文件发给制版厂进行
    光刻版制版,将光刻版及材料规格文件、工艺流程文件、主要单项工艺条件文件、实验分片文件、晶圆测试规范文件五大核心技术文档发送给芯片代工厂芯片产品
    将六大核心技术文档打包发送给芯片代工厂进行光刻版制版和芯片代工
    代工
    4、芯片级测试将芯片代工厂产出的芯片产品进行芯片级基本电学特性参数测试,评估芯片参数是否达到设计指标。
    评估芯片参数是否达到设计指标
    5、封装技术评估
    将封装技术方案、测试方案、测试规范形成封装规格书。
    输出封装规格书
    6、封装代工加工将芯片和封装规格书一起送至封装代工厂进行封装代工封装代工厂进行代工生产
    7、静态电参数测试对代工生产出的功率器件进行直
    流参数测试,评估直流参数是否满足设计指标。
    评估功率器件基本直流电学参数是否达到设计指标
    8、动态电参数测试
    进行交流参数测试,评估交流参数是否满足设计指标。
    评估功率器件交流电学参数是否达到设计指标
    9、鲁棒性测试
    进行鲁棒性参数测试,评估鲁棒性参数是否满足设计指标。
    评估功率器件鲁棒性参数是否达到设计指标
    10、可靠性考核测试
    进行可靠性考核及测试,评估可靠性参数是否满足设计指标。
    评估功率器件可靠性参数是否达到设计指标风险批流片
    1、芯片代工将工程批产品进行一定数量的风险试产,评估生产时产品的工艺稳定性、良率等是否满足要求。
    将工程批产品
    进行一定数量
    的风险试产,评估生产时产品
    的工艺稳定性、良率等是否满足要求
    2、芯片级测试将芯片代工厂产出的芯片产品进行芯片级基本电学特性参数测试,监控产品良率、工艺稳定性等参数。
    监控产品良率、工艺稳定性等参数
    3、封装代工加工将芯片和封装规格书一起送至封装代工厂进行封装代工封装代工
    4、静态电参数测试
    筛选符合设计指标的产品,监控产品封装良率、封装一致性监控产品封装
    良率、封装一致性
    5、动态电参数测试
    进行动态电参数测试,监控产品动态电参数一致性。
    监控产品动态
    电参数一致性
    6、鲁棒性测试
    进行鲁棒性参数测试,监控产品鲁棒性参数一致性。
    监控产品鲁棒
    性参数一致性
    7、可靠性考核测试
    进行可靠性考核及测试,监控产品可靠性稳定性。
    监控产品可靠性稳定性
    8、客户试用
    将产品发给客户进行试用评估,对器件性能进行系统级考核评估。
    对器件性能进行系统级考核评估
    9、开发结束,进入量产
    进入量产 进入量产
    2、采购/生产模式
    公司是半导体行业专业化垂直分工企业,主要负责半导体功率器件的研发设计及销售环节,芯片制造、封装测试等环节主要通过委外代工的方式完成。
    对于芯片代工,销售处根据历史订单、市场需求状况以及产品的库存情况制定销售和采购预测,运营处据此制定采购和生产计划,研发处负责提供技术支持以及质量控制。公司与主要芯片代工企业签订框架合作协议,运营处将订单和产品规格书(包括外延片规格、关键部位工艺参数、测试规范等)发给芯片代工企业进行制造。芯片代工完成后,公司研发处对代工芯片确认合格后,由公司运营处安排回货。回货后公司仓管部对其外观、数量、规格等进行点检验收并入库。
    对于委外封装测试,公司与主要封装测试供应商签订合作协议,运营处将封装订单、封装规格书(包括工艺参数、测试规范等)以及芯片提供给封装测试供应商进行封装测试后发回公司,公司研发处进行产品抽测检验,在检验合格后由仓管部安排产品入库。
    对于自主封装测试,公司建成封装测试产线,并对少部分功率器件实现自主封装测试。公司全资子公司电基集成对生产过程进行总体控制和管理,保证生产计划的顺利完成。电基集成根据生产计划,组织、控制、协调生产过程中的具体活动和资源,对封装测试的质量、品质、成本等进行严格控制,并逐步提升产品产量。公司自主封装测试的主要工艺流程如下:
    对于其他原材料及设备采购,公司建立了完善的供应商管理制度,保证长期稳定供应。
    3、销售模式
    (1)销售模式简介
    公司采取直销为主、经销为辅的销售模式。在直销模式下,客户给公司下达订单,公司将产品交付给客户;公司经销模式为买断式经销,在该模式下公司将产品送至经销商。公司建立了完善的客户管理制度,对于长期合作客户,公司与其签订框架合作协议,并安排专员提供全方位服务;对于其他客户,公司根据客户的订单给其供货。公司仓管部负责产品发运,销售处负责产品售后服务。半导体行业上下游之间粘性较强,公司产品需要通过较为严格的质量认证测试,一旦受到客户的认可和规模化使用后,双方将形成长期稳定的合作关系。
    (2)公司产品和销售情况介绍
    A、公司产品介绍
    公司主要产品按种类区分包括沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET 和
    屏蔽栅功率 MOSFET 以及 IGBT 等半导体芯片和功率器件。MOSFET、IGBT 主要作用在于将发电设备产生的电压和频率杂乱不一的“粗电”通过一系列的转换
    调制变成拥有特定电能参数的“精电”、供给需求不一的用电终端,为电子电力变化装置的核心器件之一,是国民经济运行必不可缺的基础器件,下游应用范围广、用量大。
    凡是在拥有电流电压以及相位转换的电路系统中,都会用到功率器件;而
    MOSFET 和 IGBT 由于开关速度快、易于驱动等优势,在上述线路系统应用中已
    成为最主流的功率器件之一,因此可以广泛应用于下游多个领域。由于公司
    MOSFET 和 IGBT 产品包含四大系列产品平台,拥有 1000 余款产品,覆盖了大
    多数电流、电压、频率等范围,可以应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域,市场应用范围广,公司客户群体众多。因此,整体上,公司产品属于通用型产品。
    公司产品种类丰富、下游使用范围十分广泛。公司除依据下游客户的订单研发设计并委托加工相关产品外,还在充分研究分析下游市场未来变化、芯片代工和封装产能安排以及自身安全库存等因素的基础上安排委外加工。
    B、公司与下游客户的主要合作模式
    对于部分客户,公司需首先接受该等客户严格的供应商资质审核程序,客户需充分评估公司技术特点、产品性能、供应渠道、产品产能并对公司实地验厂后,再进入小批量采购试用阶段;经过前期的审核及小批量试用阶段且公司产品性
    能、品质均达到客户要求后,公司方可进入该等客户的供应商名录并进行持续、批量供货。对于其他客户,公司则向其提供公司产品手册,详细列示各类产品性能参数以及产品外形特征等,客户了解公司各类产品信息后,根据自身需求与公司接洽,进一步对产品技术需求进行论证和商务谈判。
    公司组织技术人员和销售人员协同响应客户需求,主动与客户探讨其产品的系统需求,并组织技术研发团队进行客户需求评估;公司技术研发团队从产品选型、参数设定、应用验证等方面进行产品开发,并提供样品供客户验证;在通过样品验证后,客户向公司下达订单,公司按照约定交期及时安排生产并及时供货。
    在产品交付后,公司营销和技术团队还根据客户需求进一步提供跟踪服务,提高
    客户满意度。
    C、公司获取订单主要方式
    a、通过市场营销团队主动营销取得订单;
    公司建立了深圳、无锡两大营销中心,形成了以珠三角、长三角为中心的重点销售区域,并辐射全国。公司市场营销团队不断梳理区域内潜在客户信息,通过主动实地拜访客户或电话拜访等方式与客户接触,了解客户需求后积极接洽、商谈,促成合作,最终获取订单。公司还不断开拓经销渠道,通过充分发挥经销商网络优势加大品牌宣传和下游市场开拓,从而获得订单。
    b、通过品牌宣传吸引下游客户主动联系公司采购产品;
    公司研发技术实力强、产品品质优良且种类丰富,多年来公司品牌美誉度不断上升、市场口碑良好。而且,公司还通过开拓下游细分行业内龙头客户来向其他企业拓展。较高的品牌美誉度和良好的市场口碑吸引了下游客户主动联系公司采购产品。
    c、通过原有客户推广引荐等获取订单;
    多年专注于 MOSFET、IGBT 等半导体功率器件领域,公司以良好的产品品质和快速、优质的服务赢得了客户的信任和好评,这些客户会进一步向公司介绍新客户,促成公司与新客户的洽谈,最终形成合作,签订订单。
    d、通过产品在下游标杆企业的成熟应用,带动此行业其他客户主动寻购公司产品;
    公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入电动交通工具、TV 电源、电动平衡车、电动工具、智能快充、高端电源、锂电池保护、汽车电子、家用电器、服务机器人以及 LED 节能照明市场等多个下游细分领域,且已为下游行业内多家标杆性领先企业供货,如全球知名电子产品代工生产企业富士康(FOXCONN),家电领域的全球知名品牌海尔、美的,TV 电源行业内领先企业视源股份,全球电动平衡车领先品牌纳恩博-Segway,全球电源领域龙头企业台达电子,锂电池及锂电池保护领域领先企业
    飞毛腿,全国领先的电动车控制器研发设计生产厂商晶汇电子,电动工具行业领先企业德朔实业等;并借助该等企业的示范效应向行业其他企业进行引导,带动了行业内其他客户主动寻购公司的产品。
    e、通过参加行业展会、行业论坛等活动获取订单;
    公司市场人员积极参加下游应用及半导体行业的各种展会、论坛,推广公司产品,向参会的潜在客户介绍公司产品性能和服务优势,吸引客户进行合作,最终达成采购协议。
    f、通过公司网站进行宣传推广吸引客户公司构建了信息全面的官方网站,在网站上详细介绍公司基本信息、产品种类、技术特点以及下游应用领域等信息,还在网站上提供含有技术参数的产品列表,且持续进行新品发布等。潜在客户通过公司网站了解公司技术、产品信息并与公司取得联系后进行商务洽谈。
    近年来,公司在沟槽型功率 MOSFET 基础上,持续创新,进一步开发了超结功率 MOSFET 和屏蔽栅功率 MOSFET、IGBT 等产品,且细分型号不断丰富;
    公司产品的下游应用领域也不断扩展。随着公司持续的技术研发升级和产品开发、不断完善市场营销渠道和为客户提供专业、迅速的优质服务,公司的市场口碑和品牌美誉度不断提升,在与原有客户加强合作的同时,还吸引了大量潜在客户与公司进行洽谈、合作。报告期各期,客户主动联系公司进行合作成为公司主要的客户来源之一,该等客户通过市场口碑和品牌、官网信息、其他客户介绍等多种方式获取了公司的产品信息。特别地,MOSFET、IGBT 等先进半导体功率器件目前国产替代化趋势十分明显。2017 以来包括纳恩博、飞毛腿、富士康
    (FOXCONN)等多个下游细分行业内龙头企业均与公司建立了合作关系或进行了前期洽谈。
    (3)公司采取经销模式的必要性经销商渠道是企业从事正常商业销售活动中可以利用的一项资源。经销模式伴随着国内半导体功率器件行业的发展而发展。半导体功率器件行业内企业销售产品时普遍采用经销模式,经销模式为行业惯用模式且符合行业特点:
    A、专业化分工使得半导体行业采取经销模式
    半导体行业具有产业高度分工的特征。根据产业链环节不同,行业内企业进行专业化分工、从事具体某些环节的业务,半导体研发设计环节、制造环节、销售环节等有所分离,形成行业内专业化的分工格局。而且,半导体属于技术密集型产业、具有技术和产品更新换代速度较快的特点,研发设计公司专注于对半导体产品的技术研发和升级,通过聚焦研发设计环节从而保持技术的领先性和持续创新能力。因此,行业内研发设计类企业普遍采用经销模式对全部或部分产品销售,从而减少对销售端的资源投入、提高整体资源聚集度和利用效率。
    B、经销模式可提高销售效率、快速满足客户需求
    半导体功率器件为电流控制型开关器件,是现代电力传输系统与电子设备的核心,属于基础性电子元器件,广泛运用于下游多个细分行业。半导体功率器件行业内企业通过经销模式,首先,可以充分利用经销商快速响应能力以及多行业、多区域领域销售网络优势,迅速进入各个地区、各种细分行业,并且快速收集客户的需求反馈,从而扩大市场份额、提高销售效率并满足客户需求;其次,可以较为便捷地获取不同行业细分领域的需求和市场变化信息,从而在产品研发方案、方向及销售策略上进行调整;最后,通过经销商渠道统一进行销售管理,可以大大降低行业内企业的市场开拓和维护成本。
    C、经销模式可加快企业资金周转效率、降低财务风险
    半导体企业在研发设计、先进设备购置以及产品生产制造环节需要较大的资金投入。行业内企业采用经销模式,由经销商开拓终端客户,并对经销商建立严格的管理制度,加强与其在市场客户开拓方面的良好合作并对其建立严格的回款制度和资金安全管控机制,从而节省了半导体企业的资金及资源投入,也进一步加快了公司资金周转效率,最终降低公司整体财务风险。
    公司采取经销模式,与同行业可比上市公司基本一致,具体如下:
    序号 公司名称是否采用经销模式模式简介
    1 富满电子 是
    采用直销、经销和代理销售相结合的模式;目前以直销为主、经销为辅。
    2 华微电子 是 采用直销为主、经销为辅的销售模式。
    3 韦尔股份 是
    采用直销和经销两种销售模式,采用经销模式来拓宽销售渠道。
    4 扬杰科技 是 采用直销为主、经销为辅的销售模式。
    5 台基股份 是 采用直营销售和区域经销的模式。
    6 新洁能 是 采用直销为主、经销为辅的销售模式。
    公司采用经销模式:首先,公司报告期内主要从事 MOSFET、IGBT 的研发设计,采取经销模式降低了公司自行开发下游市场的时间及成本,有利于公司集中资源进行技术和产品的研发设计以及升级换代。其次,公司产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子多个行业,采用经销模式可以在公司现有销售资源的基础上,充分利用经销商快速响应能力以及多行业、多区域销售网络优势,迅速进入各个地区、各种细分行业。再次,公司不断开发细分型号产品,通过经销商已有的销售网络和客户渠道可加快新产品的市场快速推广、提升公司品牌知名度。最后,公司通过对经销商建立严格的回款制度和资金安全管控机制,进一步加快了公司资金周转效率,最终降低公司整体财务风险。
    报告期内,公司通过经销模式,不仅有效利用经销商的渠道资源拓展了多个下游细分行业的标杆龙头企业客户,而且进一步扩大了公司整体经营规模。因此,公司采取经销模式具有必要性,也符合行业特点和惯例。
    (4)公司经销商基本情况
    报告期各期,公司经销收入分别为 16338.47万元、29983.76万元和33498.65万元,经销商与公司之间不存在关联关系。
    ①经销商是否专门销售发行人产品报告期内,公司与主要经销商签订的合同与直销客户一致,无特殊条款,在合同中并未对经销商是否必须专门销售公司的产品有规定。公司经销商基本不会专门销售公司产品。
    同时,公司 MOSFET 产品为基础性电子元器件,需要与其他如 IC 等其他产品配合才能实现特定的功能,公司产品仅为经销商下游终端客户采购内容的一部分,经销商一般还需要向终端客户提供符合其需求的其他产品,经销商较难通过
    专门销售公司产品进行正常业务经营。此外,终端应用客户在生产产品时往往需要使用电容、电阻、二极管、MOSFET 等多种电子元器件以及同类电子元器件的不同细分型号,为减少采购成本、降低采购难度,终端客户往往向经销商同时采购多类电子元器件。下游客户需求的多样性也决定了经销商不会专门销售公司产品。
    ②经销商的终端销售及期末存货情况
    针对经销客户的终端销售及期末存货情况,向公司报告期各期经销收入占比
    70%以上的经销客户发送了调查表,已回函的占当期经销收入分别为 60.07%、
    68.46%和 59.93%。2017 年至 2019 年,已回函经销客户的公司产品期末存货占
    该等经销客户当期向公司采购金额的比例分别为 5.74%、10.76%和 10.27%,且均已实现最终销售;并对报告期各期经销收入占比 70%以上的经销客户进行了访谈确认。整体来看,公司经销客户期末库存相对较小,主要为其安全库存,且均已实现最终销售,不存在利用经销商压货之情形。其中 2017 年占比较低的主要原因系:2017 年末,下游市场需求旺盛,国内 MOSFET 市场呈现整体供不应求,整个 MOSFET 市场都相对缺货,经销客户的存货周转亦相对较快,期末库存相对较低。
    2019 年,公司前二十大经销商终端销售及期末存货情况如下:
    单位:万元
    序号 经销商名称当期销售金额产品主要最终流向期末库存金额
    1常州力森电子有限公司
2244
    纳恩博(常州)科技有限公司、上海阿卡得电子有限公司等
210
    2 WING ON 2150.31 ELENTEC CO. LTD.等 -
    3南京高上美电子有限公司
    1323.29 南京德朔实业有限公司等 36.00
    4苏州工业园区东南科技有限公司
    980.44 秦皇岛纳川电子有限公司等 76.00
    5上海微伦电子有限公司
    811.98 浙江亚特电器有限公司等 40.00
    6深圳勤基科技有限公司
    775.16 厦门立达信照明有限公司等 80.00
    7 深圳市嘉龙腾 767.00 深圳市海派特光伏科技有限公司、深 80.00
    电子有限公司 圳市中易腾达科技股份有限公司等
    8深圳市润得源电子有限公司
    738.17 深圳万润科技股份有限公司等 35.00
    9深圳市淘芯电子有限公司
    610.15 深圳市华思旭科技有限公司等 90.00
    10深圳泰科源商贸有限公司
    573.55 中山格智美电器有限公司等 65.00
    11深圳市易瑞达科技有限公司
    567.61东莞市天安恒新能源科技有限公司等
31
    12深圳市粤嘉鸿电子有限公司
    560.43 佛山电器照明股份有限公司等 50.00
    13深圳市超利维实业有限公司
    505.57 比亚迪股份有限公司等 100.00
    14北京远大创新科技有限公司
    480.00苏州荃孚鼎机电科技股份有限公司等
56.7
    15无锡芯虹微电子有限公司
    462.67 河北顶控新能源科技有限公司等 30.00
    16广州市友冠微电子有限公司
    460.49 东莞博力威新能源有限公司等 61.49深圳市远晨电子有限公司
    412.59 深圳市瀚强科技股份有限公司等 1.41徐州鑫洁能电子科技有限公司
    391.07 徐州格骊电子科技有限公司等 -东莞市盛锋电子有限公司
    388.33 东莞启益电器机械有限公司等 35.00深圳市港晟电子有限公司
    386.09 湖南炬神电子有限公司等 50.00
    数据来源:经销客户调查表及访谈记录;
    注:“-”表示该经销客户未回函具体库存金额等信息。
    2018 年,公司前二十大经销商终端销售及期末存货情况如下:
    单位:万元
    序号 经销商名称当期销售金额产品主要最终流向期末库存金额
    1常州力森电子有限公司
4190.16
    纳恩博(常州)科技有限公司、飞毛腿(福建)电子有限公司等
250
    2苏州工业园区东南科技有限公司
    1271.83 秦皇岛纳川电子有限公司等 158.80
    3深圳市嘉龙腾电子有限公司
1247.32
    深圳市海帕特光伏科技有限公司、深圳市中易腾达科技股份有限公司等
70
    4无锡雅思特半导体科技有限公司
    962.26 台达电子工业股份有限公司等 140.00
    5杭州铀坤电子科技有限公司
    866.23 苏州千本电气技术有限公司等 28.81
    6深圳市润得源电子有限公司
    700.07 深圳万润科技股份有限公司等 35.00
    7徐州鑫洁能电子科技有限公司
    603.35 徐州格骊电子科技有限公司等 0.00
    8东莞市盛锋电子有限公司
    570.91 深圳市麦迪瑞科技有限公司等 100.00
    9深圳勤基科技有限公司
    555.30 厦门立达信照明有限公司等 30.00
    10深圳市粤嘉鸿电子有限公司
    546.27 佛山电器照明股份有限公司等 76.00
    11深圳市欧仕捷电子有限公司
    440.98 深圳市嘉润源电子有限公司等 -
    12深圳市高辉创科技有限公司
    421.93 深圳市德立风行科技有限公司等 -
    13上海微伦电子有限公司
    413.10 浙江特康电子科技有限公司等 40.08
    14深圳市超利维实业有限公司
    407.58 比亚迪股份有限公司等 160.00
    15深圳市港晟电子有限公司
    404.79 湖南炬神电子有限公司等 63.00
    16明凯诺科技发展(深圳)有限公司
    403.21 深圳市杰特能电子有限公司等 108.78
    17深圳市金碧电子科技有限公司
    381.65 东莞市铭汉电子有限公司等 -
    18深圳泰科源商贸有限公司
    351.63 中山格智美电器有限公司等 -
19
    WING ON
    (JAPAN)TRAD
    ING LIMITED
    320.09 ELENTEC CO. LTD.等 -
    20苏州恒益祥电子有限公司
    318.32 南通隆力电子科技哟有限公司等 60.00
    数据来源:经销客户调查表及访谈记录;
    注:“-”表示该经销客户未回函具体库存金额等信息。
    2017 年,公司前二十大经销商终端销售及期末存货情况如下:
    单位:万元
    序号 经销商名称当期销售金额产品主要最终流向期末库存金额
    1 WING ON 1189.97 ELENTEC CO. LTD.等 -
    2深圳市嘉龙腾电子有限公司
1081.36
    深圳市海帕特光伏科技有限公司、深圳市中易腾达科技股份有限公司等
57
    3苏州工业园区东南科技有限公司
    670.56 秦皇岛纳川电子有限公司等 62.20
    4深圳市润得源电子有限公司
    602.22 深圳万润科技股份有限公司等 10.00
    5无锡川本飞龙电子科技有限公司
    591.42苏州爱特朗电气驱动技术有限公司等
0
    6徐州鑫洁能电子科技有限公司
    440.91 徐州格骊电子科技有限公司等 0.00
    7深圳市粤嘉鸿电子有限公司
    415.12 佛山电器照明股份有限公司等 48.00
    8深圳市泰科达科技有限公司
    408.86 深圳瑞鼎电子有限公司等 0.00
    9深圳市欧仕捷电子有限公司
    369.25 深圳市嘉润源电子有限公司等 -
    10高拓国际贸易(上海)有限公司
    313.61 深圳欧陆通电子有限公司等 -
    11无锡晶坤电子有限公司
    286.68 潍坊聚德电子有限公司等 0.00
    12深圳市凯泰电子有限公司
    285.30 深圳市蓉芯微电子有限公司等 0.00
    13无锡市民扬电器有限公司
    264.54 - -
    14深圳市富士邦电子有限公司
    263.67 深圳市华宝电子科技有限公司等 -
    15深圳稳远电子科技有限公司
    262.57 - -
    16东莞市盛锋电子有限公司
    253.09 深圳市麦迪瑞科技有限公司等 15.00
    17深圳市创润达科技有限公司
    245.17 深圳市瑞晶实业有限公司等 -
    18深圳市金科盛世科技有限公司
    228.76 深圳市和德盛科技有限公司等 -
    19深圳市港晟电子有限公司
    205.37 湖南炬神电子有限公司等 68.00
    20常州鼎先电子有限公司
    200.05 江苏恒信和安电子科技有限公司等 0.00
    数据来源:经销客户调查表及访谈记录;
    注:“-”表示该经销客户未回函具体库存金额等信息。
    综上,公司经销商的期末存货结存金额整体较小且主要为安全库存,占当期经销商收入的比例较小,对终端销售情况良好。
    ③经销商新增与退出情况报告期内,规模以上经销商(即三年合计销售额 100 万元以上)收入是公司经销收入的主要来源。2017 年至 2019 年,公司规模以上经销商数量分别为 104
    家、126 家和 129 家,对应相关经销商的销售额分别为 13982.56 万元、26637.25
    万元和 27823.09 万元,占公司经销收入的比例分别为 85.58%、88.83%和
    83.06%,占比较高,报告期各期,规模以上经销商的新增和退出情况如下:
    2019 年较 2018 年规模以上经销商新增与退出情况如下:
    项目
    2018 年经销商
    2019 年增加经销商
    2019 年增加经销商
    2019 年经销商
    增加额 占比 减少额 占比经销商数量
    (家)
    126 8 6.20% 5 3.97% 129客户销售额(万元)
    26637.25 1704.59 6.13% 274.26 1.03% 27823.09平均销售额(万元)
    211.41 213.07 - 54.85 - 215.68
    注 1、本年新增规模以上经销商是指上年度与公司未发生交易,本年度与公司发生交易的经销商,对应的增加额为对该规模以上经销商本年度的销售额,相应占比为新增规模以上经销商数量、增加额对本年度规模以上经销商数量、本年度规模以上经销商销售额的占比;
    2、本年退出规模以上经销商是指上年度与公司发生交易,本年度与公司未发生交易的经销商,对应的减少额为对该规模以上经销商上年度的销售额,相应占比为退出规模以上经销商数量、减少额对上年度规模以上经销商数量、上年度规模以上经销商销售额的占比;
    3、以下关于规模以上经销商新增与退出情况均采用相同计算方法。
    2018 年较 2017 年规模以上经销商新增与退出情况如下:
    项目
    2017 年经销商
    2018 年增加经销商 2018 年减少经销商 2018 年经
    销商 增加额 占比 减少额 占比
    经销商数量
    (家)
    104 24 19.05% 2 1.92% 126客户销售额(万元)
    13982.56 2824.85 10.60% 578.16 4.13% 26637.25平均销售额(万元)
    134.45 117.70 - 289.08 - 211.41根据上表,根据上表,公司规模以上经销商数量逐年增加,且新增和退出整体变动较小。其中,2018 年国内 MOSFET 市场整体供不应求,公司规模以上经销商增加数量相对较多。
    ④是否存在个人等非法人实体
    2017 年至 2019 年,公司经销商中个人等非法人实体的数量分别为 3 家、2
    家和 2 家,各期销售收入分别为 19.39 万元、0.90 万元和 18.39 万元,占当期经
    销收入的比例分别为 0.119%、0.003%和 0.055%,占比极低。
    ⑤经销商回款是否存在大量现金和第三方回款;
    报告期各期,公司经销商不存在直接通过现金形式的回款之情形,存在极少
    量第三方回款的情况如下:
    单位:万元
    项目 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    第三方回款金额 - - 7.22
    经销收入 33498.65 29983.76 16338.47
    第三方回款占经销收入比例 - - 0.044%报告期内,公司经销商不存在直接通过现金形式的回款,通过第三方回款的金额和比例均极小,且均已取得代付说明函。
    ⑥公司经销占比与毛利率与同行业对比情况
    公司主要同行业可比上市公司均披露了其采用经销模式,但上述公司均未在招股意向书及定期报告中披露其 2017 年至 2019 年的经销收入占比;根据查询国
    内半导体上市公司公开信息,聚辰股份、晶丰明源及晶晨股份披露了其经销占比,具体对比如下:
    公司 项目 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    聚辰股份经销商模式销售比例
    - 89.12% 86.75%
    晶丰明源 - 73.09% 79.36%
    晶晨股份 - 65.32% 56.84%
    公司 43.42% 41.93% 32.46%根据上表,2017 年、2018 年公司通过经销商模式实现的销售比例未大于上述公司。
    同行业可比上市公司未披露其经销商模式下毛利情况,仅富满电子和韦尔股份披露了 MOSFET 产品的毛利率,公司经销毛利率及综合毛利率与同行业可比上市公司对比如下:
    公司 项目 2019 年 2018 年度 2017 年度
    富满电子 MOSFET 产品毛利率 15.17% -23.29% 38.46%
    韦尔股份 MOSFET 产品毛利率 36.91% 44.52% 33.06%公司
    经销毛利率 22.79% 30.43% 25.42%
    综合毛利率 20.73% 31.63% 24.69%根据上表,公司通过经销商模式实现的毛利率未大于同行业可比上市公司
    MOSFET 产品毛利率。
    (四)报告期内主要产品的产量、销量及销售收入情况
    1、主要产品的产量、销量及产销率
    项目 2019 年度 2018 年度 2017 年度芯片产量(片) 258677.00 240384.00 219605.00销量(片) 93980.74 82873.55 114734.00
    自用量(片) 180466.18 151748.38 103183.79(销量+自用量)/产量 106.10% 97.60% 99.23%功率器件产量(千只) 1378028.73 1055736.48 625051.84销量(千只) 1284901.04 981931.80 624385.08
    产销率 93.24% 93.01% 99.89%
    注:自用量为用于生产功率器件及研发领用的芯片数量之和。
    公司功率器件主要由封测服务供应商依据公司提供的封测规格书,对公司提供的芯片进行封装测试而成。封测规格书记录了要求的封测形式、工艺参数和测
    试规范等。不同的芯片、不同的封测形式以及不同的工艺参数要求,产出的封测成品均存在差异。功率器件的产量主要与封装耗用的芯片数量以及封装形式相关。
    从总体情况看,2017 年至 2019 年,公司芯片领用量和功率器件产量配比关系如下:
    项目 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    芯片领用量(片) 180466.18 151748.38 103183.79
    其中:封装芯片领用量(片) 173121.54 143737.38 96921.12
    功率器件产量(千只) 1378028.73 1055736.48 625051.84
    片产出(千只/片) 7.96 7.34 6.45
    注:片产出=功率器件产量/封装芯片领用量报告期内,随着公司业务规模的扩大,以及主动调整芯片产品和功率器件的比例结构,逐步提高功率器件的销售占比,公司功率器件产量及封装芯片领用量逐年上涨。片产出整体有所增加主要系下游消费电子等应用领域逐步向小型化发展,小型号的功率器件市场需求增加,公司功率器件的封装形式结构发生变化所致。综上,功率器件产量及封装芯片领用量整体匹配。
    2、主要产品的销售收入情况
    单位:万元项目
    2019 年度 2018 年度 2017 年度
    金额 比例 金额 比例 金额 比例
    主营业务收入 77147.55 99.86% 71508.23 99.90% 50329.92 99.91%
    芯片 20246.66 26.21% 21462.91 29.98% 21478.31 42.64%
    功率器件 56900.89 73.65% 50045.32 69.92% 28851.61 57.27%
    其他业务收入 106.14 0.14% 70.80 0.10% 46.06 0.09%
    合 计 77253.69 100.00% 71579.03 100% 50375.98 100%
    3、主要产品的销售单价情况
    项 目 2019 年度 2018 年度 2017 年度芯片(元/片) 2154.34 2589.84 1872.01
    功率器件(元/千只) 442.84 509.66 462.08
    (五)公司前五名客户情况
    单位:万元
    2019 年度
    序号 客户名称 销售金额 占销售收入比例
    1 无锡市晶汇电子有限公司 4444.19 5.75%
    2 常州力森电子有限公司注
    2244.00 2.90%
    3 深圳市高斯宝电气技术有限公司 2230.13 2.89%
    4 WING ON(JAPAN)TRADING LIMITED 2150.31 2.78%
    5 星恒电源股份有限公司 1832.11 2.37%
    合 计 12900.74 16.70%
    2018 年度
    序号 客户名称 销售金额 占销售收入比例
    1 无锡市晶汇电子有限公司 4255.25 5.94%
    2 常州力森电子有限公司注
    4190.16 5.85%
    3 星恒电源股份有限公司 1798.17 2.51%
    4 长电科技 1741.47 2.43%
    5 广东科通电子实业有限公司注
    1542.27 2.15%
    合 计 13527.33 18.90%
    2017 年度
    序号 客户名称 销售金额 占销售收入比例
    1 长电科技 2204.92 4.38%
    2 无锡市晶汇电子有限公司 1688.68 3.35%
    3 WING ON(JAPAN)TRADING LIMITED 1189.97 2.36%
    4 灿升实业 1181.10 2.34%
    5 徐州科亚机电有限公司 1099.30 2.18%
    合 计 7363.96 14.62%
    注 1:常州力森电子有限公司、常州勤益电子有限公司和苏州艾昕电子科技有限公司为同一
    控制下企业,此处合并披露。
    注 2:广东科通电子实业有限公司与揭阳市中晶电子科技有限公司为同一控制下企业,此处合并披露。
    除本招股意向书“第七节 同业竞争与关联交易”之“三、(一)关联方与关联关系”披露的关联方外,公司董事、监事、高级管理人员和核心技术人员以及主要关联方和持有 5%以上股份的股东中,在上述客户中没有其他占有权益的
    情况。
    (1)公司直销、经销的前五名客户情况
    报告期各期,公司直销前五大客户销售情况如下:
    单位:万元
    2019 年度
    序号 客户名称 具体产品 销售金额占销售收入的比例占直销收入的比例
    1 无锡市晶汇电子有限公司
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 4389.73 5.68% 10.06%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 54.46 0.07% 0.12%
    小计 4444.19 5.75% 10.18%
    2深圳市高斯宝电气技术有限公司
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 2102.64 2.72% 4.82%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 127.49 0.17% 0.29%
    小计 2230.13 2.89% 5.11%
    3 星恒电源股份有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 1830.95 2.37% 4.19%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 1.16 0.00% 0.00%
    小计 1832.11 2.37% 4.20%
    4广州视源电子科技股份有限公司
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 765.45 0.99% 1.75%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 564.08 0.73% 1.29%
    超结功率 MOSFET 功率器件 271.09 0.35% 0.62%
    小计 1600.62 2.07% 3.67%
5
    杰华特微电子(杭州)有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 芯片 853.91 1.11% 1.96%
    超结功率 MOSFET 芯片 681.64 0.88% 1.56%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 16.09 0.02% 0.04%
    屏蔽栅功率 MOSFET 芯片 0.30 0.00% 0.00%
    小计 1551.95 2.01% 3.56%
    合计 11659.00 15.09% 26.71%
    2018 年度
    序号 客户名称 具体产品 销售金额占销售收入的比例占直销收入的比例
    1 无锡市晶汇电子有限公司
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 4058.17 5.67% 9.77%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 197.08 0.28% 0.47%
    小计 4255.25 5.94% 10.25%
    2 星恒电源股份有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 1745.40 2.44% 4.20%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 52.77 0.07% 0.13%
    小计 1798.17 2.51% 4.33%
    3 长电科技
    沟槽型功率 MOSFET 芯片 1674.22 2.34% 4.03%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 67.19 0.09% 0.16%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 0.02 0.00% 0.00%
    超结功率 MOSFET 功率器件 0.05 0.00% 0.00%
    小计 1741.47 2.43% 4.19%
    4 广东科通电子实业有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 芯片 1542.27 2.15% 3.71%
    小计 1542.27 2.15% 3.71%
    5深圳市高斯宝电气技术有限公司
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 1283.32 1.79% 3.09%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 24.62 0.03% 0.06%
    超结功率 MOSFET 功率器件 7.52 0.01% 0.02%
    小计 1315.46 1.84% 3.17%
    合计 10652.62 14.88% 25.66%
    2017 年度
    序号 客户名称 具体产品 销售金额占销售收入的比例占直销收入的比例
    1 长电科技
    沟槽型功率 MOSFET 芯片 2161.93 4.29% 6.36%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 19.27 0.04% 0.06%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 18.59 0.04% 0.05%
    屏蔽栅功率 MOSFET 芯片 5.13 0.01% 0.02%
    小计 2204.92 4.38% 6.49%
    2 无锡市晶汇电子有限公司
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 1526.33 3.03% 4.49%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 162.35 0.32% 0.48%
    小计 1688.68 3.35% 4.97%
    3 灿升实业
    沟槽型功率 MOSFET 芯片 1181.10 2.34% 3.47%
    小计 1181.10 2.34% 3.47%
    4 徐州科亚机电有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 1099.30 2.18% 3.23%
    小计 1099.30 2.18% 3.23%
5
    杰华特微电子(杭州)有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 芯片 684.49 1.36% 2.01%
    超结功率 MOSFET 芯片 285.08 0.57% 0.84%
    屏蔽栅功率 MOSFET 芯片 5.31 0.01% 0.02%
    其他芯片 0.69 0.00% 0.00%
    小计 975.57 1.94% 2.87%
    合计 7149.56 14.19% 21.03%
    注:以上客户按同一控制口径合并披露。
    截至本招股意向书签署日,上述客户的基本情况如下:
    直销
    序号 简称 客户名称成立时间注册资本(万元)
    主营业务/经营范围
    股权结构 经营规模
    1晶汇电子无锡市晶汇电子有限公司
    2003 年
    7 月
    951.00控制类产品的开
    发、制造及销售陈中恒持股 34%,杨振荣持股 33%,史息荣持股 33%
    4.2 亿元左右
    2星恒电源星恒电源股份有限公司
    2003 年
    12 月
    26250.00动力锂电池的开发,生产和销售泉州市启源纳川新能源产业股权投资合伙企业(有限合伙)持
    股 61.589%,苏州袍泽企业投资管理中心(有限合伙)持股
    9.775%,苏州晟迈股权投资中心(有限合伙)持股 6.72%,陈志江持股 6.667%,德清华创资产管理有限
    公司持股 6.613%,其他股东单一持股低于
5%
    30 亿元左右
    星恒电源(滁州)有限公司
    2018 年
    3 月
287755.1
    锂电池、动力电池的研发、生产和销售星恒电源控股子公司
    3长电科技江苏长电科技股份有限公司
    1998 年
    11 月
160287.46
    集成电路、分立器件的封装与测试以及分立器件的
    芯片设计、制造上 市 公 司
    (600584.SH)
    238.56 亿元江阴芯长电子材料有限公司
    2009 年
    6 月
5000
    电子产品的制造、加工、销售长电科技全资子公司
    长电科技(宿迁)有限公司
    2010 年
    11 月
    25000.00 半导体封装测试 长电科技全资子公司深圳长电科技有限公司
    2007 年
    9 月
3000
    二、三极管及集成
    电路的研发销售,微电子芯片电子产品及配件等开发设计与销售等
    长 电 科 技 原 持 股
    80.67%的企业。截至本招股意向书签署日,江苏长晶科技有限公司持有其 100%股份
    4科通电子广东科通电子实业有限公司
    2010 年
    7 月
3000
    设计、生产、制造、销售:半导体芯
    片、半导体设备;
    半导体封装等
    魏伟江持股 78%,魏芬持股 22%
    3900 万元左右揭阳市中晶电子科技有限公司
    2014 年
    1 月
198
    设计、制造、销售:
    半导体芯片、半导体设备、半导体封装等
    王立群持股 60%,魏汉波持股 40%
    5高斯宝电气深圳市高斯宝电气技术有限公司
    2003 年
    8 月
    8000.00专注于电力电子
    及相关核心技术,
    为 ICT 应用提供端到端的电源供应解决方案
    阮世良持股 22.30%,珠海宝博投资合伙企业(有限合伙)持股
    18.92% ,刘潭爱持股
    11.34% , 高 晖 持 股
    9.45%,珠海高瑞投资
    合伙企业(有限合伙)
    8.47% ,肖伟云持股
    8.26%,林海扬持股
    7.02% ,深圳高视伟业创业投资有限公司
    持股 6.32% ,其他股
    东单一持股低于 5%
    12 亿元左右
    6灿升实业深圳市灿升实业发展有限公司
    2002 年
    5 月
    800.00半导体器件的研
    发、生产、销售刘创升持股 60%,洪雪君持股 40%
    1 亿元以上
    7科亚机电徐州科亚机电有限公司
    2011 年
    11 月
200
    电三、四轮电轿控
    制器开发、研制、生产、销售王在峰持股 100%
    1.3 亿元左右
    8杰华特微电子
    【注】杰华特微电子(杭州)有限公司
    2013 年
    3 月
    1148.36 万美元功率管理芯片的研发
    Joulwatt Technology
    Inc. Limited、上海鑫沅股权投资管理有限
    公司、浙江华睿富华创业投资合伙企业(有限合伙)等合计
    20 名股东
    3.2 亿元左右
    9视源股份广州视源电子科技股份有限公司
    2005 年
    12 月
    65565.96液晶显示主控板
    卡、工业电源、交互智能平板、移动智能终端和医疗
    等产品的设计、研发和销售上市公司
    (002841.SZ) 169.84 亿元广州视琨电子科技有限公司
    2015 年
    8 月
    15200.00液晶显示主控板卡的研发和营销视源股份全资子公司
    注 1:经营规模数据来源于各家公司年报或通过邮件、访谈形式确认的数据。
    注 2:杰华特微电子未公示各股东具体持股比例。
    报告期各期,公司经销前五大客户销售情况如下:
    单位:万元
    2019 年度
    序号 客户名称 具体产品 销售金额占销售收入的比例占经销收入的比例
    1 常州力森电子有限公司
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 1313.67 1.70% 3.92%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 467.29 0.60% 1.39%
    超结功率 MOSFET 功率器件 463.04 0.60% 1.38%
    小计 2244.00 2.90% 6.70%
2
    WING ON (JAPAN)TRADING
    LIMITED
    超结功率 MOSFET 功率器件 2065.23 2.67% 6.17%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 65.63 0.08% 0.20%
    IGBT 等芯片 14.84 0.02% 0.04%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 4.44 0.01% 0.01%
    其他功率器件 0.17 0.00% 0.00%
    小计 2150.31 2.78% 6.42%
    3 南京高上美电子有限公司
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 1293.99 1.67% 3.86%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 29.31 0.04% 0.09%
    小计 1323.29 1.71% 3.95%
    4苏州工业园区东南科技有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 755.35 0.98% 2.25%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 128.41 0.17% 0.38%
    沟槽型功率 MOSFET 芯片 79.35 0.10% 0.24%
    超结功率 MOSFET 功率器件 14.79 0.02% 0.04%
    其他功率器件 2.54 0.00% 0.01%
    小计 980.44 1.27% 2.93%
    5 上海微伦电子有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 567.95 0.74% 1.70%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 211.97 0.27% 0.63%
    超结功率 MOSFET 功率器件 32.07 0.04% 0.10%
    小计 811.98 1.05% 2.42%
    合计 7510.03 9.72% 22.42%
    2018 年度
    序号 客户名称 具体产品 销售金额占销售收入的比例占经销收入的比例
    1 常州力森电子有限公司
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 3668.63 5.13% 12.23%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 306.96 0.43% 1.02%
    超结功率 MOSFET 功率器件 214.56 0.30% 0.72%
    小计 4190.16 5.85% 13.97%
    2苏州工业园区东南科技有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 902.41 1.26% 3.01%
    沟槽型功率 MOSFET 芯片 256.68 0.36% 0.86%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 110.75 0.15% 0.37%
    其他功率器件 1.98 0.00% 0.01%
    超结功率 MOSFET 功率器件 0.01 0.00% 0.00%
    小计 1271.83 1.78% 4.24%
    3 深圳市嘉龙腾电子有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 1119.30 1.56% 3.73%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 104.76 0.15% 0.35%
    超结功率 MOSFET 功率器件 23.26 0.03% 0.08%
    小计 1247.32 1.74% 4.16%
    4 无锡雅思特半导体科技有限公 超结功率 MOSFET 功率器件 962.22 1.34% 3.21%
    司 屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 0.04 0.00% 0.00%
    小计 962.26 1.34% 3.21%
    5 杭州铀坤电子科技有限公司
    超结功率 MOSFET 功率器件 610.54 0.85% 2.04%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 255.69 0.36% 0.85%
    小计 866.23 1.21% 2.89%
    合计 8537.79 11.93% 28.47%
    2017 年度
    序号 客户名称 具体产品 销售金额占销售收入的比例占经销收入的比例
1
    WING ON (JAPAN)TRADING
    LIMITED
    超结功率 MOSFET 功率器件 1001.45 1.99% 6.13%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 147.36 0.29% 0.90%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 37.20 0.07% 0.23%
    超结功率 MOSFET 芯片 3.56 0.01% 0.02%
    其他芯片 0.40 0.00% 0.00%
    小计 1189.97 2.36% 7.28%
    2 深圳市嘉龙腾电子有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 1062.26 2.11% 6.50%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 15.02 0.03% 0.09%
    超结功率 MOSFET 功率器件 4.08 0.01% 0.02%
    小计 1081.36 2.15% 6.62%
    3苏州工业园区东南科技有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 626.56 1.24% 3.83%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 43.93 0.09% 0.27%
    其他功率器件 0.05 0.00% 0.00%
    超结功率 MOSFET 功率器件 0.02 0.00% 0.00%
    小计 670.56 1.33% 4.10%
    4 深圳市润得源电子有限公司
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 545.72 1.08% 3.34%
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 34.97 0.07% 0.21%
    超结功率 MOSFET 功率器件 21.53 0.04% 0.13%
    小计 602.22 1.20% 3.69%
    5无锡川本飞龙电子科技有限公司
    屏蔽栅功率 MOSFET 功率器件 384.72 0.76% 2.35%
    沟槽型功率 MOSFET 功率器件 205.93 0.41% 1.26%
    超结功率 MOSFET 功率器件 0.77 0.00% 0.00%
    小计 591.42 1.17% 3.62%
    合计 4135.53 8.21% 25.31%
    注:以上客户按同一控制口径合并披露。
    截至本招股意向书签署日,上述客户的基本情况如下:
    经销
    序号 简称 客户名称成立时间注册资本(万元)
    主营业务/经营范围
    股权结构 经营规模
    1力森电子常州力森电子有限公司
    2017 年 7月
500
    MOS 管、二极管、
    三极管的代理销售
    刘武西持股 99.00%,其他股东单一持股低
    于 5%
    6000 万元左右常州勤益电子有限公司
    2018 年 6月
200
    沈秀丽持股 90.00%,沈雷持股 10.00%苏州艾昕电子科技有限公司
    2010 年 5月
50
    沈秀丽持股 99.00%,其他股东单一持股低
    于 5%
    2东南科技苏州工业园区东南科技有限公司
    2003 年 4月
150
    MOS 管等产品代理销售
    陈建波持股 57.14%,康传兵持股 42.86%
    5100 万元左右
    3嘉龙腾电子深圳市嘉龙腾电子有限公司
    2003 年 1月
500
    MOS 管销售、集成电路 IC 类等产品销售
    高榕持股 65.00%,庄小平持股 25.00%,高君毅持股 10.00%
    8700 万元左右
    4雅思特半导体无锡雅思特半导体科技有限公司
    2012 年 9月
    300.00 MOS 管销售
    刘兰芝持股 60.00%,肖步文持股 40.00%
    5500 万元左右
    5铀坤电子杭州铀坤电子科技有限公司
    2015 年 8月
    1000.00 电子元器件销售
    刘爱芳持股 50.00%,袁正义 50.00%
    9000 万元左右
6
    WING
    ON
    WING ON
    (JAPAN)TRADING
    LIMITED
    1987 年 5月
    7000 万日元
    贸易、批发盧庄司持股 50.77%,有限会社日下レアメ
    タ ル 研 究 所 持 股
    15.38% 慶 基 浩 持 股
    7.69%盧 泰一持股
    5.38%,其他股东单一
    持股低于 5%
    338 亿日元左右
    WING ON STS
    LIMITED
    1998年 10月
    40000 万韩元半导体贸易
    WING ON
    (JAPAN)TRADING
    LIMITED 持股 100%
    74.5 亿韩元左右
    7润得源电子深圳市润得源电子有限公司
    2000 年 5月
200
    元器件设计、销售
    叶旭奎持股 90.00%,叶锐城持股 10.00%
    2000 万元左右
    8川本飞龙电子无锡川本飞龙电子科技有限公司
    2014 年 3月
    50.00 电子元器件分销 顾红霞持股 100%
    200 万元左右
    9 高上美南京高上美电子有限公司
    2009 年 8月
    1200.00 电子元器件分销
    许明霞持股 56.44%
    朱恩平持股 43.56%
    2.2 亿元左右
    10微伦电子上海微伦电子有限公司
    2001 年 7月
    500.00 电子元器件分销威伦电子股份有限公
    司持股 76.00%,方绍钧持股 9.60%,林松柏
    持股 5.00%其他股东
    单一持股低于 5%
    7000 万左右
    注 1:经营规模数据来源于各家公司年报或通过邮件、访谈形式确认的数据。
    注 2:川本飞龙电子经营规模为其 2019 年数据,2017 年和 2018 年其经营规模为 1000 万元左右。
    (2)报告期内发行人客户增减变动情况及原因报告期内,规模以上客户(即三年合计销售额 100 万元以上)收入是公司销售收入的主要来源。2017 年至 2019 年,规模以上客户数量分别为 258 家、294
    家和 290 家,对应相关客户的销售额分别为 43959.81 万元、62888.89 万元和
    65948.80 万元,占公司销售收入的比例分别为 87.26%、87.86%和 85.37%,占比较高。报告期各期,规模以上客户的增减变动情况如下:
    2019 年较 2018 年规模以上客户增减变动情况如下:
    项目 2018 年客户
    2019 年增加客户
    2019 年
    减少客户 2019年客户
    增加额 占比 减少额 占比客户数量
    (家)
    294 16 5.52% 20 6.80% 290客户销售额(万元)
    62888.89 4561.80 6.92% 1270.81 2.02% 65948.80平均销售额(万元)
    213.91 285.11 - 63.54 - 227.41
    注 1、本年增加规模以上客户是指上年度与公司未发生交易,本年度与公司发生交易的客户,对应的增加额为对该规模以上客户本年度的销售额,相应占比为增加规模以上客户数量、增加额对本年度规模以上客户数量、本年度规模以上客户销售额的占比;
    2、本年减少规模以上客户是指上年度与公司发生交易,本年度与公司未发生交易的客户,对应的减少额为对该规模以上客户上年度的销售额,相应占比为减少规模以上客户数量、减少额对上年度规模以上客户数量、上年度规模以上客户销售额的占比;
    3、以下关于规模以上客户增减变动情况均采用相同计算方法。
    2018 年较 2017 年规模以上客户增减变动情况如下:
    项目 2017 年客户
    2018 年增加客户 2018 年减少客户
    2018 年客户
    增加额 占比 减少额 占比客户数量
    (家)
    258 42 14.29% 6 2.33% 294客户销售额(万元)
    43959.81 4211.27 6.70% 1616.11 3.68% 62888.89平均销售额(万元)
    170.39 100.27 - 269.35 - 213.91
    2017 年至 2018 年,公司规模以上客户新增数量较多,减少数量较少,整体较为稳定,主要原因为:一方面,公司积极开拓优质客户,目前已拥有包括晶汇电子、星恒电源、力森电子(下游为纳恩博、飞毛腿)、雅思特半导体(下游为台达电子)、视源股份等众多下游行业内的知名客户,规模以上客户数量不断增多。另一方面,凭借先进的技术、丰富的产品种类、卓越的品质和优质的服务,公司取得了客户的广泛好评和较好的市场口碑,并与客户保持了良好的商业合作关系,规模以上客户减少数量较少。2019 年,公司规模以上客户数量较 18 年基
    本保持稳定,规模以上客户的平均销售额较 2018 年有所增长。
    综上,公司规模以上客户变动具有合理性,整体较为稳定。
    (3)发行人主要客户销售额变动的原因报告期内,公司积极进行市场开拓,完善产品销售渠道。对于直销客户,公司有重点地进行细分行业龙头客户的开发,以提升产品在细分行业的影响力,并逐步向行业内其他客户进行拓展;对于经销客户,公司重点考察其终端客户资质,加强与具有优质终端的经销商的合作关系。
    报告期内,公司各年前五大客户产品销售额变动情况如下表所示:
    单位:万元
    序号 简称 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    1 无锡市晶汇电子有限公司 4444.19 4255.25 1688.68
    2 常州力森电子有限公司 2244.00 4190.16 171.95
    3 深圳市高斯宝电气技术有限公司 2230.13 1315.46 251.02
    4 WING ON (JAPAN) TRADING LIMITED 2150.31 320.09 1189.97
    5 星恒电源股份有限公司 1832.11 1798.17 698.36
    6 长电科技 2.32 1741.47 2204.92
    7 广东科通电子实业有限公司 785.16 1542.27 899.36
    8 灿升实业 934.36 473.80 1181.10
    9 徐州科亚机电有限公司 21.60 532.42 1099.30
    注:以上客户按同一控制口径合并披露。
    报告期内,公司与主要客户均保持了长期的合作关系。报告期各期因受客户需求变化、产品种类和细分型号丰富等因素的影响,公司与主要客户之间的销售额有所变动,具体原因如下:
    ①无锡市晶汇电子有限公司、星恒电源股份有限公司和深圳市高斯宝电气技术有限公司销售额整体呈上升趋势无锡市晶汇电子有限公司为国内排名前列的两轮电动车控制器制造龙头企业;星恒电源股份有限公司为国内知名的动力锂电池供应商;高斯宝电气为国内
    知名的专业电源和 ODM 定制服务提供商。公司进入上述客户需要经过严格的资质审核和产品小批量试用阶段,一般需要一定的周期。报告期内,随着相关客户
    通过对屏蔽栅功率MOSFET功率器件和沟槽型功率MOSFET功率器件的前期试用,以及公司产品知名度的提高和细分型号的丰富,上述客户对公司产品认可度提高,向公司的采购金额逐年增加。
    ②长电科技、徐州科亚机电有限公司销售金额逐年下降公司主要向长电科技销售芯片产品,销售金额逐年下降的原因为:一方面随着公司功率器件细分型号不断丰富、品牌知名度不断提升以及公司逐步具备满足芯片产品进一步封装所需的资金实力,公司主动调整芯片产品和功率器件的比例结构,逐步降低了芯片的销售占比,提高了功率器件的销售占比,从而能够获得更多产品毛利,对上述客户的销售金额也随之下降;另一方面,2017 年起,公司 MOSFET 芯片销售逐渐出现供不应求的状况,加之公司优化客户结构,逐步加大与采购公司芯片用于 IC 合封的客户的合作,减少了对上述等采购公司芯片用于直接封装的客户的金额及占比。2019 年,公司向长电科技销售收入大幅下降,主要原因为长电科技自身业务转型,主动减少功率器件的销售业务所致。
    徐州科亚机电有限公司为电动车电轿控制器企业,其产品主要应用于三、四轮电动车行业。公司对其销售的产品毛利率相对较低,且回款周期相对较长,报告期内公司不断优化客户结构,逐步减少了对其销售金额。
    ③广东科通电子实业有限公司、WING ON (JAPAN)TRADING LIMITED、灿升实业、常州力森电子有限公司销售金额有所波动广东科通电子实业有限公司为华南地区知名的半导体元器件制造与销售企
    业,2017 年因其厂房装修部分月份停产引致对公司的采购减少,2018 年因其恢
    复生产且受其下游需求旺盛的影响加大了公司的采购。2019 年受中美贸易摩擦及市场竞争等因素影响,科通实业对公司的采购需求下降。
    WING ON (JAPAN)TRADING LIMITED 为公司境外经销商,2018 年其下游终端客户产品结构发生变化,对原向其销售的主要细分型号需求下降,引致 2018年采购金额有所降低。2019 年公司产品达到其下游终端客户韩国三星集团的要求,产品成功适配于三星的手机充电器,引致当期该产品的销售金额有所增加。
    公司主要向灿升实业销售芯片产品,灿升实业采购公司芯片后用于封装测试
    后销售。2018 年因公司 MOSFET 芯片销售整体供不应求,加之公司优化客户结构,逐步加大与采购公司芯片用于 IC 合封的客户的合作,减少了对采购公司芯片用于直接封装的客户的金额及占比,引致 2018 年公司向灿升实业的销售金额有所下降。2019 年,灿升实业加大了手机数据线类市场开拓的力度,产品型号及品类有所增加,其对公司芯片采购需求有所增长,加之当期 MOSFET 芯片市场供求关系有所改善,公司芯片供应较为充裕,因此 2019 年公司向灿升实业销售金额有所增加。
    常州力森电子有限公司为公司近两年新开拓的经销商,其实际控制人拥有十余年的半导体行业销售从业经验,核心员工亦拥有多年的半导体行业从业经验,下游终端主要为纳恩博(常州)科技有限公司、飞毛腿(福建)电子有限公司等行业龙头企业,纳恩博(常州)科技有限公司为国内领先的智能短途代步设备运营商,为小米生态成员,其推出的平衡车产品遍布全球 80 多个国家和地区。飞毛腿(福建)电子有限公司为国内知名的锂电池模组供应商,其生产的锂电池产品具有较高的市场认可度。上述产品需要使用屏蔽栅功率 MOSFET 等产品进行电压控制,随着下游终端需求提升,2018 年其向公司的采购金额增加较多。2019年,力森电子的销售金额有所下降的主要原因系:一方面,半导体行业整体竞争有所加剧,其下游终端客户纳恩博将部分采购份额转移给国外 MOSFET 供应商;此外,纳恩博根据其生产经营计划,在 2018 年期末备货相对较多,因此在
    2019 年减少了对力森电子的采购;另一方面,其下游终端客户飞毛腿不再与力
    森电子合作,而通过其他经销商向公司采购 MOSFET 产品,综合引致 2019 年力森电子的销售金额有所下降。
    五、发行人的采购情况及主要供应商
    (一)主要采购内容和能源供应情况
    1、采购内容报告期内,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司是专业化垂直分工厂商,芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。因此,公
    司主要对外采购芯片代工及封测服务。
    2、能源
    公司能源消耗主要为办公用水、电等,该等能源供应稳定且整体金额较小。
    (二)主要采购内容及能源价格变动趋势
    1、主要采购和能源供应情况公司主要采购内容包括芯片代工和封测服务等;公司能源消耗主要为办公用水、电等,整体金额较小,其价格波动对公司盈利能力不构成重大影响。报告期各期,公司芯片代工、封测服务等采购金额和占比情况如下:
    2019 年度
    序号 采购内容 采购金额(万元) 占总采购金额的比例
    1 芯片代工 49041.95 74.86%
    2 封测服务 12838.65 19.60%
    3 光刻板 371.71 0.57%
    4 芯片 1633.00 2.49%
    5 减薄背金 426.08 0.65%
    6 中测 145.57 0.22%
    7 封装材料 777.46 1.19%
    8 封装耗材 179.42 0.27%
    9 其他 97.46 0.15%
    合计 65511.31 100.00%
    2018 年度
    序号 采购内容 采购金额(万元) 占总采购金额的比例
    1 芯片代工 43509.68 76.40%
    2 封测服务 12559.94 22.06%
    3 光刻板 246.30 0.43%
    4 芯片 157.68 0.28%
    5 减薄背金 148.26 0.26%
    6 中测 116.84 0.21%
    7 其他 209.50 0.37%
    合计 56948.21 100.00%
    2017 年度
    序号 采购内容 采购金额(万元) 占总采购金额的比例
    1 芯片代工 32124.10 79.41%
    2 封测服务 7752.58 19.16%
    3 光刻板 275.01 0.68%
    4 芯片 81.32 0.20%
    5 减薄背金 8.24 0.02%
    6 中测 130.12 0.32%
    7 其他 80.41 0.20%
    合计 40451.79 100.00%
    2、主要采购内容价格变动情况报告期内,公司主要采购内容的采购单价波动情况如下:
    项目 2019年度 2018年度 2017年度
    芯片代工(元/片) 1895.88 1812.66 1469.55
    封测服务(元/千只) 112.32 114.92 117.54
    (三)公司前五大供应商报告期内,公司前五大供应商的主要采购内容、采购金额及比例,如下所示:
    单位:万元
    2019 年度
    序号 供应商名称 主要采购内容 采购金额占采购总额比重
    1 华虹宏力
    芯片代工 38385.75 58.59%
    光刻板 358.05 0.55%
    2 华润上华
    芯片代工 8783.05 13.41%
    辅料等 6.11 0.01%
    3 长电科技 封装测试 3936.98 6.01%
    4 成都集佳科技有限公司 封装测试 2520.60 3.85%
    5 江阴苏阳电子股份有限公司 封装测试 2049.10 3.13%
    合计 56039.64 85.54%
    2018 年度
    序号 供应商名称 主要采购内容 采购金额 占采购总额
    比重
    1 华虹宏力
    芯片代工 34891.23 61.27%
    光刻板 160.80 0.28%
    辐照等 118.90 0.21%
    2 华润上华
    芯片代工 6857.75 12.04%
    辅料等 5.95 0.01%
    3 长电科技
    封装测试 4083.44 7.17%
    芯片 24.35 0.04%
    4 成都集佳科技有限公司 封装测试 1834.08 3.22%
    5 江阴苏阳电子股份有限公司 封装测试 1786.03 3.14%
    合计 49762.52 87.38%
    2017 年度
    序号 供应商名称 主要采购内容 采购金额占采购总额比重
    1 华虹宏力
    芯片代工 26503.27 65.52%
    光刻板 207.75 0.51%
    辐照等 4.35 0.01%
    2 华润上华
    芯片代工 4598.57 11.37%
    光刻板 58.85 0.15%
    辅料等 5.90 0.01%
    3 长电科技
    封装测试 4301.33 10.63%
    芯片 5.64 0.01%
    4 中航微
    芯片代工 1022.26 2.53%
    光刻板 8.42 0.02%
    芯片等 38.65 0.10%
    5 江阴苏阳电子股份有限公司 封装测试 1011.82 2.50%
    合计 37766.81 93.36%
    截至本招股意向书签署日,上述供应商的基本情况如下表所示:
    序号 简称 供应商名称 成立时间 注册资本 主营业务 股权结构经营规模
    (2018 年)
    1华虹宏力上海华虹宏力半导体制造有限公司
    2013 年 1月
    782857.776万元主要专注于研发及制造专业应用
    的 200mm 晶圆半导体,尤其是嵌入华虹半导体
    (1347HK)持股
    100.00%母公司华虹半导体的营业收
    入达 9.303
    式非易失性存储器及功率器件。
    亿美元
    2华润上华华润上华
    2002 年 7月
    66801.147万美元负责晶圆制造业务,为客户提供广泛的特色晶圆制造技术服务。
    华润微电子控股有限公司持股
100.00%
    33.96 亿元
    3长电科技江苏长电科技股份有限公司
    1998年 11月
    160287.46万元半导体封装测试上市公司
    (600584.SH)
    238.56亿元江阴新顺微电子有限公司
    2002 年 7月
    9503.47万元
    开发、设计、制造半导体芯片原为长电科技控股子公司江阴长电先进封装有限公司
    2003年 10月
    5100.00万美元
    开发、生产半导体芯片凸块及其封装测试后的产品长电科技持股
    96.488%;长电国际(香港)贸易投资有限公司持股
3.51%
    4成都集佳成都集佳科技有限公司
    2015 年 6月
    18000.00万元致力于专业半导体封装与测试代工的企业成都士兰半导体制造有限公司持股
100.00%
    1.93 亿元
    5苏阳电子江阴苏阳电子股份有限公司
    2011 年 7月
    10000.00万元
    专注于高性能、高可靠性中大功率半导体分立器件和多芯片电源管理集成电路的封装和测试业务;
    诸伟持股 50%;
    无锡旭景投资管理企业(有限合伙)
    持股 32%;
    江阴华旭投资有限
    公司持股 18%
    1 亿元以上
    6 中航微华润微电子(重庆)有限公司,(原名:中航(重庆)微电子有限公司)
    2007 年 4月
    198920.00万元主要从事功率半
    导体产品的设计、研发、制造及销售服务,主要产品有
    MOSFET、IGBT、
    SBD 等。
    华润微电子控股有限公司持股
    52.69%;
    重庆西永微电子产业园区开发有限公
    司持股 47.31%
    11.56 亿元
    注:经营规模数据来源于各家公司年报、预披露的招股意向书或通过邮件、访谈形式确认的数据。
    公司向华虹宏力、华润上华、中航微主要采购芯片代工,芯片代工的原材料主要为硅晶圆材料片。其中,公司向芯片代工企业提交光刻版以及材料规格文件、工艺流程文件、主要单项工艺文件、实验分片文件、晶圆测试规范文件等在内的设计方案。硅晶圆材料片主要由芯片代工企业根据公司对材料片的电阻、厚度、衬底材料等需求,向晶圆材料片制造企业采购所得。因此,在采购芯片代工过程中的原材料主要来源于芯片代工企业的自身采购。
    公司向长电科技、苏阳电子、成都集佳采购封测服务,其原材料主要为芯片、
    塑封料、引线等。其中,芯片主要由公司设计方案并由芯片代工企业代工完成后,并与公司研发设计出的封装规格书一并提供给封装测试企业;塑封料、引线(铜线)由封装测试企业依据公司的封测规格书要求自行采购。因此,在采购封装测试过程中的原材料中的芯片来源于公司提供,塑封料、引线等来源于封装测试企业的自身采购。
    除本招股意向书“第七节 同业竞争与关联交易”之“三、(一)关联方与关联关系”披露的关联方外,公司董事、监事、高级管理人员和核心技术人员以及主要关联方和持有 5%以上股份的股东中,在上述供应商中没有其他占有权益的情况。
    (四)公司委外加工情况
    1、公司委外加工具体明细及流转情况报告期内,公司主要委外加工费的构成、具体金额以及比例如下:
    单位:万元序号委外工序名称
    2019 年度 2018 年度 2017 年度金额占采购总额比例金额占采购总额比例金额占采购总额比例
    1 芯片代工 49041.95 74.86% 43509.68 76.40% 32124.10 79.41%
    2 封装测试 12838.65 19.60% 12559.94 22.06% 7752.58 19.16%
    3 芯片中测 145.57 0.22% 116.84 0.21% 130.12 0.32%
    4 减薄背金 426.08 0.65% 148.26 0.26% 8.24 0.02%
    合计 62452.26 95.33% 56334.72 98.93% 40015.05 98.91%
    报告期内公司主要采用 Fabless 业务模式,主要负责半导体功率器件的研发设计及销售环节,芯片代工、封装测试以及芯片中测、减薄背金等环节主要通过委外代工的方式完成,其中芯片代工、封装测试为公司主要的委外加工内容,芯片中测、减薄背金等在客户提出特定要求后再进行委外加工。
    对于芯片代工,计划部根据历史订单、市场需求状况以及产品的库存情况制定销售预测,运营处据此制定委外代工计划,研发处负责提供核心技术文件(包括原材料规格、工艺流程文件、关键单项工艺参数、测试规范、实验分片条件等)
    以及质量控制。公司与芯片代工企业签订框架合作协议,运营处将订单发给芯片代工企业进行制造。芯片代工完成后,公司研发处对代工芯片电参数确认合格后,由公司运营处安排回货。回货后公司仓管部对其外观、数量、规格等进行验收并入库。
    对于封装测试,公司与封装测试供应商签订合作协议,运营处将封装订单、封装规格书以及芯片提供给封装测试供应商进行封装测试后发回公司,公司研发处进行产品抽测检验,在检验合格后由仓管部安排产品入库。
    芯片中测和减薄背金等系公司在部分客户提出特定要求后再进行零星的委外加工,报告期内该类委外加工金额及占比很小。
    对于芯片中测,公司与中测供应商签订合作协议,根据客户订单需求运营处将中测订单、测试规格书以及芯片提供给中测供应商进行测试,测试数据由供应商反馈给公司,待公司相关产品工程师确认测试数据后安排打点,完成后发回公司,公司对中测后产品进行检验,在检验合格后由仓管部安排产品入库。
    对于减薄背金,公司与减薄背金供应商签订合作协议,根据客户订单需求运营处将背金订单(包含产品加工的具体工艺要求)与芯片提供给背金供应商进行加工,公司对减薄背金后的产品进行检验,在检验合格后由仓管部安排产品入库。
    公司主要委外加工工序的原材料采购、加工流转情况以及公司财务处理等情况如下所示:
    加工工序原材料供应(采购方)
    物料采购、生产及销售环节流转情况公司财务处理芯片代工
    1、公司向芯片代工企业提供原材料规
    格、版图方案、工艺流程文件、关键单项工艺文件、测试规范文件、实验分片条件等设计方案。
    2、主要原材料晶圆材料片由芯片代工企业根据新洁能材料规格要求代采购
    1、公司将具体芯片订单、光刻版以
    及工艺流程文件、主要单项工艺文件、测试规范文件、实验分片条件等设计方案提交至芯片代工企业;
    公司对不同规格、型号的芯片设置了单独的物料代码进行管理;
    2、芯片代工企业按照公司要求采购加工过程中所需的晶圆材料片等原材料;
    3、芯片制造完成后,由芯片代工企
    业发货至公司,公司根据不同物料编码进行查验,并在验收合格后入公司按照向芯片代工企业支付的采购金额核算芯片成本,并在收到芯片入库后,作为半成品记账。
    库管理。
    封装测试公司向封测服务供应商提供已经完成代工的芯片及封装规格书;封测用其余原材料由供应商采购
    1、公司将封装订单、封装规格书以及芯片代工厂完成制造后的芯片提供给封测供应商;公司将芯片提供给封测供应商作出库管理;公司对
    发出的芯片在 ERP/SAP 系统内转入委托加工物资核算。
    2、封测供应商按照公司要求采购加工过程中所需的其他原材料;
    3、封测供应商完成加工测试后,按照公司要求将功率器件发送至公司仓库并同时提交封装订单明细表;
    4、公司仓管部核对后进行入库管理,并在 ERP/SAP 系统中作产成品入库管理。
    1、公司在芯片发往封测供应商后,将其在系统内由半成品转入委托加工物资处理;在功率器件入库后,由委托加工物资转入产
    成品管理;2、在功率器件入库时,公司根据入库数量及封装订单价格确认加工费用,并计入产品成本。
    芯片中测公司向中测供应商
    提供代工完成、待测试的芯片及测试规格书;测试所用其余原材料由供应商采购
    1. 公司将中测订单、测试规格书以及芯片代工厂完成制造后的芯片提
    供给中测供应商:公司将芯片提供
    给中测供应商作出库管理,公司对发出的芯片在 ERP/SAP 系统内转入委外加工物资核算。
    2.中测供应商按照公司要求采购加工过程中所需的其他原材料。
    3.中测供应商完成产品中测后,按照公司要求将中测后产品发回我司仓库同时提交回货清单并把产品测试数据上传至数据库。
    4.公司仓管部核对后进行入库管理,并在 ERP/SAP 系统中作中测后产品入库管理。
    1、公司在芯片发往中测供应商后,将其在系统内由半成品转入委托加工物资处理;在中测产品入库后,由委托加工物资转入中测后产品管理;
    2、在中测后产品入库时,公司根据入库数量及中测订单价格确认加工费用,并计入产品成本。
    减薄背金公司向背金供应商提供代工完成后的芯片及产品加工的具体工艺要求;背金所用其余原材料由供应商采购
    1.公司将背金订单、代工厂完成制造后的芯片及产品加工的具体工艺
    要求提供给背金供应商:公司将芯
    片提供给背金供应商作出库管理,公司对发出的芯片在 ERP/SAP 系统内转入委外加工物资核算。
    2.背金供应商按照公司要求采购加工过程中所需的其他原材料。
    3.背金供应商完成产品加工后,按照公司要求将背金后产品发回我司仓库同时附回货清单。
    4..公司仓管部核对后进行入库管理,并在 ERP/SAP 系统中作背金后
    1、公司在芯片发往背金供应商后,将其在系统内由半成品转入委托加工物资处理;在背金产品入库后,由委托加工物资转入背金后产品管理;
    2、在背金后产品入库时,公司根据入库数量及背金订单价格确认
    产品入库管理。 加工费用,并计入产品成本。
    六、发行人的主要固定资产及无形资产情况
    (一)主要固定资产
    1、与业务相关的主要固定资产
    (1)房屋建筑物
    截至本招股意向书签署日,公司及子公司拥有房屋建筑物 1 处,具体情况如下表:
    序号 房屋所有权证号 地址建筑面积
    (m2)
    所有权人 用途取得方式
1
    苏(2019)无锡市不动产权第
    0071063新吴区研发一路以
    东、研发二路以南
    8888.8 电基集成 工业 自建
    (2)租赁的房屋建筑物
    截至本招股意向书签署日,公司租赁的房屋建筑物共 3 处,具体情况如下表:
    序号 出租方 租赁位置租赁面积
    (㎡)
    租赁价格 租赁期限
    1深圳市伯广投资咨询有限公司深圳市宝安区西乡街道西乡大道
    与前进二路交汇处美兰商务中心
    802、807 房
    240、158月租金总额为人民
    币 25888 元、16906元
    2017.12.17-
    2020.12.17 和
    2018.07.09-
    2020.12.17
    2无锡龙世太湖科技发展有限公司无锡市高浪东路
    999 号 B1 号楼 2层
    74 每平方米 1 元/日
    2019.11.1-
    2020.10.31
    3浙江升和资产管理有限公司宁波市金融硅谷
    产业园 8 号楼
    1007 室
    153.4 每平方米 1.9 元/日
    2019.09.24-
    2022.10.03
    公司所有租赁房产的产权人与公司实际控制人、一致行动人、董事、监事、高级管理人员及其家庭关系密切成员之间不存在关联关系。
    (3)主要设备
    截至 2019 年 12 月 31 日,公司拥有的主要设备情况如下:
    序号 设备名称 单位 数量 成新率注
    1 半导体动静态一体测试设备 台 1 80.00%
    2 测试分选机 台 2 89.17%
    3 K&S 球焊键合机 台 10 94.17%
    4 SOT23 塑封设备 套 1 94.17%
    5 TO252 4*28 全自动切筋成形系统 套 1 92.50%
    6 BESTEM-D310 高晶度固晶机 台 3 94.17%
    7 全自动装片机 AD832i 台 2 94.17%
    8 铝线键合机 台 10 92.50%
    9 F206 SOT23 Handler 测试分选机 台 2 94.17%
    10 SOT23 24*64 切筋成形系统 台 1 94.17%
    11 切割机 DISCO DFD6341 台 2 92.50%
    12 全自动装片机 SD832D 台 3 92.50%
    13 SOT23 模具 套 2 94.17%
    14 F246 TO252 Handler 测试分选机 台 3 92.50%
    15 全自动键合机 台 5 99.17%
    注:成新率=设备剩余可使用年限/(设备已使用年限+设备剩余可使用年限)
    (二)主要无形资产
    1、土地使用权
    截至 2019 年 12 月 31 日,公司拥有 1 项土地使用权,具体情况如下:
    序号
    土地使用证号 地址 面积(㎡) 终止日期 颁证日期 权属
1
    苏(2017)无锡市不动产权
    第 0167038 号
    研发二路以南、
    研发一路以东
15271.7
    2067 年 9 月 3日
    2017 年 9 月
    6 日电基集成
    2、与业务相关的知识产权
    (1)专利权
    截至 2020 年 1 月 19 日,公司拥有 97 项专利,其中发明专利 35 项、实用新
    型 59 项,外观设计 3 项,具体情况如下:
    序号 名称 专利号 专利申请日 授权公告日 申请类型 专利权人 取得方式
1
    一种深沟槽功率
    MOS 器件及其制造方法
    ZL 2010 1
4030.1
    2010.01.08 2011.05.11 发明专利 新洁能 转让取得
    2沟槽型大功率
    MOS 器件及其制造方法
    ZL 2010 1
3953.5
    2010.01.08 2011.05.11 发明专利 新洁能 转让取得
3
    一种具有改进型终端保护结构的
    沟槽型功率 MOS器件
    ZL 2009 1
215280.7
    2009.12.29 2011.06.22 发明专利 新洁能 转让取得
4
    一种具有改进型终端的半导体器件及其制造方法
    ZL 2010 1
    0169959.X
    2010.05.04 2011.06.22 发明专利 新洁能 转让取得
5
    一种沟槽型大功
    率 MOS 器件及其制造方法
    ZL 2010 1
5206.5
    2010.01.15 2011.07.20 发明专利 新洁能 转让取得
6
    一种超势垒半导体整流器件及其制造方法
    ZL 2010 1
135350
    2010.03.17 2011.10.26 发明专利 新洁能 转让取得
7
    一种沟槽功率
    MOS 器件及其制造方法
    ZL 2010 1
160987.5
    2010.04.23 2012.01.11 发明专利 新洁能 转让取得
8
    一种沟槽型功率
    MOS 器件及其制造方法
    ZL 2010 1
    0136934.X
    2010.03.30 2012.02.29 发明专利 新洁能 转让取得
    9沟槽型肖特基势垒整流器及其制造方法
    ZL 2010 1
124527.7
    2010.03.04 2012.05.30 发明专利 新洁能 转让取得
    10具有改进型终端
    的 IGBT 及其制造方法
    ZL 2010 1
509621.4
    2010.10.15 2012.07.25 发明专利 新洁能 转让取得
    11低栅极电荷低导通电阻深沟槽功
    率 MOSFET 器件及其制造方法
    ZL 2011 1
241525
    2011.08.22 2012.11.07 发明专利 新洁能 转让取得
12
    一种改进型终端结构的沟槽功率
    MOS 器件
    ZL 2010 1
158456.2
    2010.03.12 2012.11.21 发明专利 新洁能 转让取得
13
    一种具有改善型集电极结构的
    IGBT
    ZL 2010 1
191133.3
    2010.06.04 2013.01.02 发明专利 新洁能 转让取得
    14具有超结结构的平面型功率
    MOSFET 器件及其制造方法
    ZL 2011 1
210968.3
    2011.07.26 2013.01.23 发明专利 新洁能 转让取得
15
    一种沟槽结构的
    功率 MOSFET 器件及其制造方法
    ZL 2011 1
241526.5
    2011.08.22 2013.01.30 发明专利 新洁能 转让取得
16
    一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法
    ZL 2011 1
132941.7
    2011.05.20 2013.04.24 发明专利 新洁能 原始取得
    17超高元胞密度深
    沟槽功率 MOS 器件及其制造方法
    ZL 2011 1
405658.7
    2011.12.08 2013.06.05 发明专利 新洁能 原始取得
    18具有超结结构的半导体器件及其制造方法
    ZL 2011 1
367643.6
    2011.11.18 2014.03.19 发明专利 新洁能 原始取得
19
    一种具有低导通
    饱和压降的 IGBT及其制造方法
    ZL 2012 1
58109.1
    2012.03.08 2014.08.13 发明专利 新洁能 原始取得
    20具有终端结构的超结半导体器件及其制造方法
    ZL 2012 1
88330.1
    2012.03.29 2015.03.04 发明专利 新洁能 原始取得
    一种新型结构的
    VDMOS 器件及其制造方法
    ZL 2013 1
142008.7
    2013.04.22 2015.06.17 发明专利 新洁能 原始取得
    一种超结
    MOSFET 器件及其制造方法
    ZL 2013 1
408434
    2013.09.06 2016.06.08 发明专利 新洁能 原始取得
    一种具有改进型封装结构的半导体器件及其制造方法
    ZL 2014 1
75114.2
    2014.03.03 2016.06.15 发明专利 电基集成 转让取得
    一种单周期电流控制功率模块装置
    ZL 2014 1
274393.5
    2014.06.18 2016.08.24 发明专利 新洁能 原始取得
    沟槽型 IGBT 器件及其制造方法
    ZL 2014 1
247145.1
    2014.06.05 2016.10.05 发明专利 新洁能 原始取得
    一种具有精确检
    测功能的 IGBT 及其制造方法
    ZL 2014 1
201967.6
    2014.05.13 2017.01.11 发明专利 新洁能 原始取得功率半导体器件及其制造办法
    ZL 2014 1
247892.5
    2014.06.05 2017.01.11 发明专利 新洁能 原始取得
    具有低特征导通电阻的功率
    MOSFET 器件及其制造方法
    ZL 2014 1
500191.8
    2014.09.25 2017.02.01 发明专利 新洁能 原始取得利用电荷耦合实现耐压的功率
    MOS 器件及其制备方法
    ZL 2015 1
149864.4
    2015.03.31 2017.09.05 发明专利 新洁能 原始取得
    沟槽功率 MOS 器件及其制造方法
    ZL2015 1
45005
    2015.01.28 2017.10.20 发明专利 新洁能 原始取得
    31 半桥驱动电路
    ZL 2015 1
726410.9
    2015.10.30 2018.07.27 发明专利 新洁能 原始取得
    32改善反向恢复特性及雪崩能力的
    超结 MOS 器件及其制造方法
    ZL 2016 1
21133.6
    2016.01.13 2019.02.15 发明专利 新洁能 原始取得
    33具有载流子存储
    结构的 IGBT 器件及其制造方法
    ZL 2016 1
170267.4
    2016.03.23 2019.02.15 发明专利 新洁能 原始取得
34
    一种大电流功率半导体器件的封装结构及制造方法
    ZL2016 1
852313.9
    2016.09.26 2019.10.11 发明专利 新洁能 原始取得
35
    一种优化开关特性的超结半导体器件及制造方法
    ZL2016 1
729581.1
    2016.08.25 2019.12.06 发明专利 新洁能 原始取得
36
    一种深沟槽的功率半导体器件
    ZL2018 2
164326.1
    2018.01.30 2018.09.11 实用新型 新洁能 原始取得
37
    一种沟槽型半导体整流器
    ZL 2010 2
131168.3
    2010.03.04 2010.11.10 实用新型 新洁能 转让取得
    38具有超结结构的半导体器件
    ZL 2010 2
188114
    2010.05.04 2010.12.15 实用新型 新洁能 转让取得
39
    一种改进型终端
    结构的功率 MOS器件
    ZL 2012 2
92694.2
    2012.03.13 2012.10.03 实用新型 新洁能 转让取得
40
    功率 MOSFET 器件
    ZL 2011 2
476787
    2011.11.25 2012.10.03 实用新型 新洁能 转让取得
    41能实现电流双向流通的功率
    MOSFET 器件
    ZL 2015 2
    0016806.X
    2015.01.09 2015.06.03 实用新型 新洁能 原始取得
    42提高截止效果的
    沟槽型功率 MOS器件
    ZL 2012 2
743.5
    2012.01.04 2012.11.14 实用新型 新洁能 转让取得
43
    一种超结半导体器件
    ZL 2015 2
408572.3
    2015.06.12 2015.10.14 实用新型 新洁能 原始取得
    44具有防静电保护结构的低压
    MOSFET 器件
    ZL 2016 2
9622.5
    2016.01.06 2016.06.15 实用新型 新洁能 原始取得
    45 一种引线框架
    ZL 2014 2
72897.4
    2014.02.19 2014.07.23 实用新型 新洁能 原始取得
    46集成磁路多电平开关电源装置
    ZL 2014 2
129205.5
    2014.03.20 2014.07.23 实用新型 新洁能 原始取得
47
    一种半导体器件封装引线框架
    ZL 2014 2
112295.7
    2014.03.13 2014.08.27 实用新型 新洁能 原始取得
    48具有电流采样功能的沟槽型功率
    MOSFET 器件
    ZL 2014 2
274024.1
    2014.05.26 2014.09.24 实用新型 新洁能 原始取得
    49沟槽型功率
    MOSFET 器件
    ZL 2016 2
629808
    2016.06.23 2016.12.07 实用新型 新洁能 原始取得
50
    一种大电流功率半导体器件的封装结构
    ZL 2016 2
733119.4
    2016.07.12 2017.02.22 实用新型 新洁能 原始取得
    51电动车过流保护装置
    ZL 2014 2
326953.2
    2014.06.18 2014.11.05 实用新型 新洁能 原始取得
    52具有终端结构的
    场截止型 IGBT 器件
    ZL 2014 2
464575.4
    2014.08.15 2014.12.17 实用新型 新洁能 原始取得
    53利用电荷耦合实现耐压的肖特基
    二极管
    ZL 2015 2
190631.4
    2015.03.31 2015.08.12 实用新型 新洁能 原始取得
    54 薄型功率模块
    ZL 2015 2
572096.9
    2015.07.31 2015.11.18 实用新型 新洁能 原始取得
    55采用功率模块的电机控制器
    ZL 2015 2
559228.4
    2015.07.29 2015.12.16 实用新型 新洁能 原始取得
    56功率端子以及利用所述功率端子的功率模块
    ZL 2015 2
647805.5
    2015.08.25 2016.01.13 实用新型 新洁能 原始取得
    57适用于电荷耦合器件的半导体结构
    ZL 2016 2
267014.4
    2016.03.31 2016.08.17 实用新型 新洁能 原始取得
58
    适用于三端功率器件的薄型封装模块
    ZL 2016 2
130576.4
    2016.02.19 2016.08.17 实用新型 新洁能 原始取得
    59 功率模块
    ZL 2016 2
306528.6
    2016.04.13 2016.08.31 实用新型 新洁能 原始取得
61
    一种优化开关特性的超结半导体器件
    ZL 2016 2
945153.8
    2016.08.25 2017.04.19 实用新型 新洁能 原始取得
    62高集成度的低压
    沟槽栅 DMOS 器件
    ZL 2016 2
1188364.8
    2016.11.04 2017.04.26 实用新型 新洁能 原始取得
    63具有低导通压降的绝缘栅双极型晶体管器件
    ZL 2016 2
1309158.8
    2016.12.01 2017.05.24 实用新型 新洁能 原始取得
    64功率模块用底板及功率模块
    ZL 2016 2
992712
    2016.08.30 2017.05.24 实用新型 新洁能 原始取得
    65 沟槽 DMOS 器件
    ZL 2016 2
1188365.2
    2016.11.04 2017.05.24 实用新型 新洁能 原始取得
    66具有终端保护区的超结半导体器件
    ZL2017201
    32638.X
    2017.02.14 2017.09.05 实用新型 新洁能 原始取得
67
    一种电荷耦合功
    率 MOSFET 器件
    ZL 2017 2
413251.1
    2017.04.19 2017.11.10 实用新型 新洁能 原始取得
    68电荷耦合功率
    MOSFET 器件
    ZL 2017 2
412542.9
    2017.04.19 2017.12.01 实用新型 新洁能 原始取得
69
    一种降低导通电阻的功率半导体器件
    ZL 2017 2
802726.6
    2017.07.04 2018.02.06 实用新型 新洁能 原始取得
70
    一种优化终端结构的沟槽型半导体器件
    ZL 2017 2
877752.5
    2017.07.19 2018.02.06 实用新型 新洁能 原始取得
    71适用于深沟槽的功率半导体器件结构
    ZL 2017 2
905927.9
    2017.07.25 2018.02.06 实用新型 新洁能 原始取得
    72晶体管器件的终端结构
    ZL 2017 2
978114.2
    2017.08.07 2018.03.13 实用新型 新洁能 原始取得
73
    一种具有多个浓度中心的超结半导体器件
    ZL 2017 2
1047506.3
    2017.08.21 2018.04.03 实用新型 新洁能 原始取得
74
    一种功率半导体器件
    ZL 2017 2
    1223304.X
    2017.09.22 2018.04.03 实用新型 新洁能 原始取得
75
    一种晶圆级功率半导体器件
    ZL 2017 2
1303825.6
    2017.10.10 2018.04.17 实用新型 新洁能 原始取得
76
    一种优化器件特性的半导体结构
    ZL 2017 2
1423121.2
    2017.10.31 2018.05.04 实用新型 新洁能 原始取得
77
    一种抗耐压冲击
    软关断的 IGBT 器件结构
    ZL 2017 2
1875361.6
    2017.12.27 2018.08.03 实用新型 新洁能 原始取得
78
    一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件
    ZL 2018 2
487064.2
    2018.04.08 2018.10.12 实用新型 新洁能 原始取得
79
    一种带沟槽的终端结构
    ZL 2018 2
487063.8
    2018.04.08 2018.10.12 实用新型 新洁能 原始取得
80
    一种功率半导体器件终端结构
    ZL 2018 2
486621.9
    2018.04.08 2018.10.12 实用新型 新洁能 原始取得
81
    一种屏蔽栅功率
    MOSFET 器件
    ZL 2018 2
1288168.7
    2018.08.10 2019.02.12 实用新型 新洁能 原始取得
82
    一种绝缘栅双极型半导体器件
    ZL 2018 2
1320354.4
    2018.08.16 2019.03.01 实用新型 新洁能 原始取得
    83高浪涌电流能力
    碳化硅二极管
    ZL 2018 2
1397087
    2018.08.29 2019.03.15 实用新型 新洁能 原始取得
84
    一种高浪涌电流能力碳化硅二极管
    ZL 2018 2
1397084.7
    2018.08.29 2019.03.15 实用新型 新洁能 原始取得
85
    一种SiC功率器件终端
    ZL 2018
21482781.2
    2018.09.11 2019.04.05 实用新型 新洁能 原始取得
86
    一种高耐压的碳化硅肖特基二极管
    ZL 2018
21666677.9
    2018.10.15 2019.04.12 实用新型 新洁能 原始取得
87
    耗尽型 MOSFET器件
    ZL 2018 2
1564557.8
    2018.09.21 2019.05.03 实用新型 新洁能 原始取得
    88优化热分布的碳化硅肖特基二极管
    ZL 2018 2
1843868.8
    2018.11.09 2019.05.03 实用新型 新洁能 原始取得
89
    一种碳化硅肖特
    基二极管
    ZL 2018 2
1843834.9
    2018.11.09 2019.05.03 实用新型 新洁能 原始取得
59
    一种半封闭式屏
    蔽栅 IEGT 器件结构
    ZL 2018 2
1851832.4
    2018.11.09 2019.05.03 实用新型 新洁能 原始取得
90
    一种多次外延的超结终端结构
    ZL 2018 2
2023624.1
    2018.12.04 2019.07.09 实用新型 新洁能 原始取得
91
    一种具有低热阻的半导体器件封装结构
    ZL2019 2
247774.2
    2019.02.27 2019.09.06 实用新型
    新洁能、电基集成原始取得
    92 一种 IGBT 结构
    ZL2019 2
759868.8
    2019.05.24 2019.12.06 实用新型 新洁能 原始取得
    93大电流半导体功率器件
    ZL2019 2
813483.5
    2019.05.31 2019.12.20 实用新型 电基集成 原始取得
    94利于焊接的大电流半导体功率器件
    ZL2019 2
812348.9
    2019.05.31 2019.12.17 实用新型 电基集成 原始取得
    95 封装引线框架
    ZL 2014 3
49102.3
    2014.03.13 2014.09.10 外观设计 新洁能 原始取得
    96封装框架(TO-220)
    ZL 2014 3
30111.8
    2014.02.19 2014.09.24 外观设计 新洁能 原始取得
    97封装引线框架(TO-220)
    ZL 2014 3
39432.4
    2014.03.03 2015.02.11 外观设计 新洁能 原始取得
    注 1:第 1 项至第 15 项发明专利、第 37 项至第 40 项和第 42 项实用新型专利为新洁能从新洁能半导体转让取得;
    注 2:第 23 项发明专利为新洁能原始取得后转让至全资子公司电基集成。
    (2)商标权
    截至本招股意向书签署日,公司拥有 12 项商标权,具体情况如下:
    序号
    注册证号 注册商标 注册类别 注册公告日 有效期至 权利人
    1 7962650
    第 9 类
    2011 年 10 月
    28 日
2021年10月
    27 日新洁能
    2 7962678
    第 9 类
    2011 年 6 月
    14 日
    2031 年 6 月
    13 日新洁能
    3 7962696
    第 9 类
    2011 年 10 月
    28 日
2021年10月
    27 日新洁能
    4 9700201
    第 9 类
    2012 年 8 月
    21 日
    2022 年 8 月
    20 日新洁能
    5 12789607
    第 9 类
    2014 年 12 月
    14 日
2024年12月
    13 日新洁能
    6 32978713
    第 9 类
    2019 年 5 月
    14 日
    2029 年 5 月
    13 日电基集成
    7 32978714A
    第 9 类
    2019 年 7 月
    14 日
    2029 年 7 月
    13 日电基集成
    8 32287895A
    第 9 类
    2019 年 8月 7日
    2029 年 8 月
    6 日电基集成
    9 32287896A
    第 9 类
    2019 年 8月 7日
    2029 年 8 月
    6 日电基集成
    10 32287897
    第 9 类
    2019 年 10 月
    7 日
2029年10月
    6 日电基集成
    11 38627474A
    第 9 类
    2020 年 3月 7日
    2030 年 3 月
    6 日新洁能
    12 40427995
    第 9 类
    2020 年 4月 7日
    2030 年 4 月
    6 日新洁能
    (3)发表的核心期刊
    截至本招股意向书签署日,公司参与在 IEEE TDMR 等国际知名期刊中发表
    论文 13 篇,其中 SCI 收录论文 7 篇,具体如下:
    序号 论文名称 发表时间 发表期刊收录情况
1
    Investigation on the Breakdown Failure in Stripe
    Trench-Gate Field-Stop Insulated Bipolar
    Transistor With Low-Saturation Voltage
    2016 年 IEEE TDMR SCI
2
    Failure Analysis and Improvement for High Power
    Single-Phase Module
    2017 年 IEEE TDMR SCI
3
    1200 V FS-IGBT with electric field modulation
    layer to improve trade-off between avalanche
    ruggedness and on-state voltage drop
    2017 年 IET EL SCI
4
    Novel failure mechanism and improvement for
    split-gate trench MOSFET with large current under
    unclamped inductive switch stress
    2018 年
    Superlattices
    and
    Microstructures
    SCI
5
    A low loss IGBT with shallow p-well to adjust the
    carrier profiles at the emitter side
    2016 年 ISPSD 2016 EI
6
    Design criterion of the superjunction DMOS for
    low EMI noise in the flyback converter system
    2016 年 ISPSD 2016 EI
7
    A novel split-gate structure for 85V application
    with low output capacitance
    2016 年 EDSSC 2016 EI
8
    Investigations of inhomogeneous reverse recovery
    behavior of the Body Diode in Superjunction
    MOSFET
    2017 年 ISPSD 2017 EI
9
    Influence of forward current freewheeling time on
    di/dt robustness of SJ-MOSFET body diode
    2017 年 IPFA 2017 EI
10
    Failure Mechanism Investigations of Type II
    Short-Circuit in TrenchGate IGBT Device
    2018 年 ICSICT2018 EI
11
    SJ-MOSFET with wave-type field limiting ring for
    high di/dt robustness ofbody diode reverse recovery
    2018 年 SSE SCI
12
    Analysis and Optimization of the Switching Noise
    for Super-Junction MOSFET in Full Bridge
    Converter System
    2019 年 SSE SCI
13
    Breakdown Voltage Walk-in Phenomenon and
    Optimization for the Trench-gate P-type MOSFET
    under single avalanche stress.pdf
    2020 年 IEEE TED SCI
    (三)发行人获得的主要荣誉和资质
    截至本招股意向书签署日,公司获得的部分荣誉和资质情况如下表所示:
    序号 证书名称 获得时间 颁发机构
    1 2019 年中国半导体功率器件十强企业 2020 年 3 月 中国半导体行业协会
    2 江苏省科学技术一等奖 2020 年 3 月 江苏省人民政府
    3 2018 年中国半导体功率器件十强企业 2019 年 5 月 中国半导体行业协会
    4 江苏省功率器件工程技术研究中心 2018 年 10 月 江苏省科学技术厅
    5 2017 年中国半导体功率器件十强企业 2018 年 4 月 中国半导体行业协会
    6 2017 年度先进会员单位 2018 年 3 月 江苏省半导体行业协会
    7 2017 年度中国半导体行业协会会员证 2017 年 中国半导体行业协会
    8 中国电源学会理事单位 2017 年 6 月 中国电源学会
    9 无锡市功率器件工程技术研究中心 2017 年 6 月 无锡市科学技术局
    10 2016 年中国半导体功率器件十强企业 2017 年 3 月 中国半导体行业协会
    11 高新技术企业证书
    2017 年 11 月、
    2014 年 9 月江苏省科学技术厅江苏省财政厅江苏省国家税务局江苏省地方税务局
    12 2016 年度中国半导体行业协会会员证 2016 年 中国半导体行业协会
    13 第九届无锡市专利奖-优秀奖 2016 年 无锡市人民政府
    14 ISO 质量体系证书
    2016 年 10 月、
    2013 年 10 月
    英国标准协会(BSI)
    15 江苏省企业研究生工作站 2015 年 7 月 江苏省教育厅
    16 江苏省半导体行业协会会员证 2015 年 1 月 江苏省半导体行业协会
    (四)发行人产品获得的主要荣誉
    截至 2019 年 12 月 31 日,公司产品获得的部分荣誉和资质情况如下表所示:
    序号 项目名称 编号 获得时间 颁发机构
1
    高新技术产品认定证书-屏蔽栅沟槽型功率
    MOSFET
    150211G0050N 2015 年 6 月 江苏省科学技术厅
2
    高新技术产品认定证书-
    超结功率 MOSFET
    140211G0060N 2014 年 5 月 江苏省科学技术厅
3
    高新技术产品认定证书-
    沟槽型功率 MOSFET
    140211G0058N 2014 年 5 月 江苏省科学技术厅
4
    高新技术产品认定证书-绝缘栅双极型晶体管
    (IGBT)
    140211G0059N 2014 年 5 月 江苏省科学技术厅
    七、主要产品的核心技术和研发情况
    (一)主要产品生产技术所处的阶段
    序号 主要产品的技术 技术所处阶段
    1 Super Junction MOSFET 工艺技术 量产阶段
    2 SGT MOSFET 工艺技术 量产阶段
    3 弱穿通 IGBT 工艺技术 量产阶段
    4 高雪崩耐量提升技术 量产阶段
    5 超结功率 MOSFET 芯片产业化良率提升技术 量产阶段
    6 大电流芯片封装技术 量产阶段
    7 高可靠功率 MOSFET 芯片反向恢复 di/dt 能力提升技术 量产阶段
    8 高速低噪声功率 MOSFET 芯片及模块抗电磁干扰技术 量产阶段
    9 Super Junction MOSFET 高可靠终端耐压保护技术 量产阶段
    10 超结 MOSFET 抗雷击浪涌提升技术 小批量试产阶段
    11 功率集成器件封装技术 小批量试产阶段
    12 精细化高密度屏蔽栅功率 MOSFET 工艺技术 基础研发阶段
    13 功率器件短路能力提升技术 小批量试产阶段
    14 超薄晶圆高可靠性 IGBT 工艺技术 小批量试产阶段
    15 逆导型超低损耗 IGBT 设计技术 基础研发阶段
    16 IGBT 抗电磁干扰能力提升技术 小批量试产阶段
    17 高深宽比超低损耗 Super Junction MOSFET 工艺技术 小批量试产阶段
    18 智能功率 MOSFET 设计技术 基础研发阶段
    19 氮化镓功率器件设计技术 基础研发阶段
    (二)公司核心技术与关键生产工艺
    公司拥有完整的研发体系,核心技术来源于自主研发。公司已形成了包括屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、IGBT 工艺技术等共计 11 项核心技术。
    具体情况如下:
    技术名称 技术来源 技术特点 技术先进性
    Super Junction MOSFET工艺技术自主研发
    超结功率MOSFET是国际上领先的硅基高压功
    率 MOSFET 结构,基于超结电荷平衡理论技术(Super Junction),革命性的优化了器件的
    FOM,突破了传统硅基功率器件“硅限”,大幅
    度降低了器件的导通损耗和开关损耗,成为当
    今 500V~900V 电压范围内硅基 MOSFET 产品中的主流技术。
    国内领先
    SGT MOSFET 工艺技术 自主研发
    屏蔽栅功率MOSFET是国际上领先的低压功率MOSFET 结构,采用屏蔽栅沟槽技术(ShieldGate Trench,简称 SGT),运用超结理论,革命性的优化了器件的 FOM(Rdson * Qg),突国内领先
    破了传统硅基功率器件“硅限”,大幅度降低了器件的导通损耗和开关损耗,使得 MOSFET向高频领域拓展。
    弱穿通 IGBT 工艺技术 自主研发
    IGBT 集 Bipolar 器件通态压降小、电流密度大、耐压高和功率 MOSFET 驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身。
    作为电力电子变换器的核心器件之一,为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础。公司成功研发场截止型 IGBT 设计技术,拥有 650V、1200V、1350V IGBT 产品系列。
    国内领先
    高雪崩耐量提升技术 自主研发
    MOSFET 器件在电力电子系统中常常处于高频
    高速开关的工作状态,芯片漏源两端的电流变化速度非常快,在寄生电感的影响下,会产生较大的过冲电压,导致器件处于雪崩击穿状态,因此器件的雪崩耐量能力是最为关键的参数。
    公司通过采用电荷不平衡元胞结构设计技术,改善器件雪崩击穿均匀度,大幅提升了器件的雪崩耐量可靠性。
    国内领先
    超结功率 MOSFET 芯片产业化良率提升技术自主研发
    超结功率MOSFET芯片中的超结结构在电荷平衡时,产品性能最好。然而,在实际工艺制备过程中,离子注入剂量的偏差、沟槽刻蚀形貌
    均一性等工艺波动对超结电荷平衡影响较大。
    公司采用楔形超结结构制备工艺和混合绝缘介
    质层制备工艺,明显提升了产品产业化良率。
    国内领先
    大电流芯片封装技术 自主研发分立器件的电流能力取决于芯片本身电流能力
    和封装电流能力。芯片电流能力很大时,器件的电流能力受限于封装电流能力。公司创新提出“镰刀型”源极引脚结构,采用先进 Cu-Cilp铜片压接封装技术,在不改变封装类型基础上,提升了源极电流能力,并提升了芯片的散热能力,从而有效提升了产品电流能力。
    国内领先
    高可靠功率 MOSFET
    芯片反向恢复 di/dt 能力提升技术自主研发
    功率 MOSFET 在系统应用中会使用到其内部
    的寄生二极管,在器件开启时,寄生二极管会
    产生较大的反向恢复电流过冲和电压过冲,使器件极易发生击穿失效。公司创新性的提出结终端动态场限环技术,结合元胞电流分流技术,提高了器件在反向恢复条件下的电流导通路径,抑制了产品的动态击穿线性,大幅提升了产品的反向恢复 di/dt 能力。
    国内领先高速低噪声功率
    MOSFET 芯片及模块抗电磁干扰技术自主研发
    系统应用中,为了实现较小的开关损耗,往往会通过加快芯片的开关速度来实现,但是当芯片开关速度非常快时,系统中会产生较大的电压电流过冲和振荡,甚至出现芯片误开启或者误关断现象。公司创新性的提出网格栅超结MOSFET 结构,并通过增加栅氧厚度等技术,实现较强的 di/dt 控制能力,从而降低了系统电磁干扰噪声。
    国内领先
    Super Junction MOSFET高可靠终端耐压保护技自主研发
    超结功率 MOSFET 芯片的耐压及可靠性往往
    受限于其终端结构,这是由于超结芯片的终端国内领先
    术 结构需要承受纵向耐压和横向耐压,导致终端耐压低于元胞结构,在实际应用中极易出现“炸管”现象。公司创新性的提出渐变式直角终端结构,突破解决了传统超结终端电荷不平衡的问题,最终使得终端击穿电压有效提升,实现了高可靠性终端;
    SOT 高密度封装技术 自主研发
    SOT 产品采用高密度,矩阵式设计,每片框架的管体数量达到 1500 颗以上。引线框为行业内有引脚封装的最大尺寸,即 100mmX300mm,是目前市场常规的该封装形式的引线框架面积
    的 6 倍,密度是常规的 1.08 倍。该封装技术突
    破了从装片到塑封各工序的工艺、夹具和设备的瓶颈,提升了产品的一致性和封装良率,降低了产品的封装 Rdson 和封装成本。
    国内领先
    TO 大电流封装技术 自主研发
    TO220/TO263 封装的功率器件,因封装结构限制,电流能力只能达 180A,TO 大电流封装产品为客户提供一种电流能力达 300A 的封装,在电路板空间方面也具备显著优势,相较于目前的 TO220/TO263 封装,可减少 20%以上的体积
    及 50%的封装高度。该封装技术适用于大电流汽车应用,包括油电混合车电池管理、电子动力转向(EPS)、主动式交流发电机及其他高负载电力系统的应用。
    国内领先
    (三)研究开发情况
    1、正在从事的研发项目情况
    截至本招股意向书签署日,公司正在从事的主要研发项目如下:
    项目名称 拟达到的目标 进展情况
    超结 MOSFET 抗雷击浪涌提升技术
    超结 MOSFET 常用于户外 LED 照明系统、某些户外电源系统中,对器件的抗雷击浪涌能力有一定要求,器件的雷击浪涌能力直接决定了系统的可靠性。本项目旨在保证超结MOSFET导通损耗和开关损耗不变的条件下,提升超结 MOSFET 抗雷击浪涌能力,提高超结
    MOSFET 在户外设备中的可靠性。
    小批量试产阶段高深宽比超低损耗
    Super Junction
    MOSFET 工艺技术
    超结功率 MOSFET 技术核心在于高深宽比沟槽的刻蚀
    和填充工艺,刻蚀精度越高,深宽比越大,器件的导通损耗和开关损耗越小,芯片面积也越小。不断提高超结深沟槽的刻蚀深度,提高沟槽的深宽比是超结 MOSFET未来的主要发展趋势。公司现有最新一代 650V 超结
    MOSFET 产品特征导通电阻为 1.9ohm/mm2,拟开发下
    一代超结 MOSFET 产品进一步提高深宽比,使 650V 超
    结 MOSFET 产品特征导通电阻达到 1 ohm/mm2。
    小批量试产阶段
    功率集成器件封装技术
    功率器件不断朝着超低损耗、集成化、智能化的方向发展。本项目旨在开发功率集成芯片,将多颗功率器件以半桥、全桥的拓扑结构封装在一起,通过匹配不同功率等级的功率器件,设计均匀散热热分布封装框架,形成高功率密度高可靠性功率集成器件,提高系统集成度,与此同时,集成封装技术还可以降低系统 EMI 噪声,改善系统可靠性。
    小批量试产阶段精细化高密度屏蔽栅功
    率 MOSFET 工艺技术
    屏蔽栅功率 MOSFET 深沟槽氧化填充制备屏蔽栅的技术,大幅改善了器件的导通损耗和开关损耗特性,其屏蔽栅沟槽密度越高,产品的损耗特性越好。公司现有最
    新一代 85V屏蔽栅功率MOSFET 产品特征导通电阻为
    31mohm/mm2,拟开发下一代屏蔽栅功率 MOSFET 产品
    进一步提高屏蔽栅沟槽密度,使 85V 屏蔽栅功率
    MOSFET 产品特征导通电阻达到 24mohm/mm2。
    基础研发阶段功率器件短路能力提升技术
    为了确保电机驱动系统(如新能源汽车电机驱动)的可靠性,功率 MOSFET 在电机驱动系统中需要通过短路考核实验,即功率器件处于数十伏特,电流达到上百安培的工作条件,瞬时功率达到数千瓦,对功率器件可靠性要求极高。本项目旨在研究功率器件在短路过程中的电应力、热应力分布及失效机理,开发高短路能力功率器件,满足新能源汽车等高端行业的苛刻需求。
    小批量试产阶段超薄晶圆高可靠性
    IGBT 工艺技术
    IGBT 产品主要用于大功率电力电子系统中,被誉为功
    率变流装置的“CPU”,其开关损耗、导通损耗及可靠性是系统中最为关注的参数。IGBT 的晶圆厚度越薄,其损耗特性越好,但可靠性设计变的更加困难。国际上
    650V IGBT 产品晶圆厚度仅仅有 60μm,本项目旨在开
    发新一代超薄晶圆 IGBT 结构,实现高可靠性 60μm超
    薄晶圆 IGBT 设计。
    小批量试产阶段
    逆导型超低损耗 IGBT设计技术
    IGBT 在电力电子系统中用作开关管,需要其具备反向
    续流的能力,市面上所采用的 IGBT 产品大多数是并联
    了反向二极管,通过二极管实现反向续流。本项目正在
    研发的逆导型 IGBT 将集成二极管到 IGBT 芯片内部,提高 IGBT 集成度,改善 IGBT 在系统中的能耗特性。
    基础研发阶段
    IGBT 抗电磁干扰能力提升技术
    IGBT 常用于超大功率电力电子设备中,其应用环境恶劣,与此同时,由于 IGBT 结构本身的原因,其在系统工作中本身开启电流变化率不易控制,导致较大的二极管反向恢复电流,易产生 EMI 噪声,且易受电磁干扰影响。本项目旨在开发高抗电磁干扰能力 IGBT 芯片,提高 IGBT 芯片在系统中的易用性和可靠性。
    小批量试产阶段
    SiC 肖特基二极管工艺技术
    碳化硅是第三代半导体材料,与传统硅基材料相比,其临界击穿电场高、散热特性好、临界温度高,特别适用于高压、高温、高频、高速电力电子系统,如太阳能发电、新能源电动车、高效电源等等,革命性的优化了功率器件的品质因子,拓展了半导体功率器件的应用范基础研发阶段
    围。本项目拟开发基于 SiC 材料的肖特基二极管,抢占
    基于第三代半导体材料的功率器件高地,为我国新能源电力电子行业提供核心功率器件。
    宽安全工作区智能功率
    MOSFET
    功率器件不断朝着高集成度、智能化的方向发展,与此同时,随着功率 MOSFET 元胞密度的不断提升,特征导通电阻的不断减小,相同导通电阻下器件的安全工作区不断减小。本项目旨在开发智能功率 MOSFET 驱动
    IC芯片,并将 IC与MOSFET合封在一起,实现MOSFET的智能化及高可靠性。
    基础研发阶段
    氮化镓功率HEMT工艺技术
    氮化镓为第三代半导体材料,与传统硅基材料相比,其具有临界击穿电场高、电子迁移率高、频率特性好等特点,特别适用于中低压、高频、高速电力电子系统,如充电桩、5G 基站电源、新能源电动车、高效电源等,革命性地优化了功率器件的品质因子。本项目拟开发基于氮化镓材料的高电子迁移率晶体管,抢占基于第三代半导体材料的功率器件高地,为我国新能源电力电子行业提供核心半导体功率器件。
    基础研发阶段
    基于 12 英寸功率
    MOSFET 研发
    基于 12 英寸先进工艺技术开发性能优异的功率
    MOSFET 器件产品,进一步降低器件的导通损耗和开关损耗,提高产品的一致性、可靠性。
    小批量试产阶段智能功率集成器件产品
    功率集成器件是将 MOSFET、IGBT、功率 IC 芯片以特定的电路连接方式,采用特殊的表贴或直插封装外形以及先进的多芯片封装技术,形成微型系统,从而实现电路设计的模块化与智能化,能够在更小的封装体积下提供更大功率输出能力或更高的电能转换效率。
    基础研发阶段
    2、研发费用占营业收入比例报告期内,公司研发费用占营业收入的比重如下:
    单位:万元
    项目 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    研发费用 3449.53 3283.88 2162.27
    营业收入 77253.69 71579.03 50375.98
    占比 4.47% 4.59% 4.29%
    3、研发机构设置
    公司设有研发处,研发处下辖技术部、质量部和技术支持部三个部门,同时公司还建有动静态参数测试实验室、失效分析实验室、系统应用实验室、可靠性考核实验室。公司研发机构的组织结构如下:
    技术支持部研发处
    技术部 质量部
    技术研发分部 产品设计分部 芯片检测中心 产品应用分部可靠性考核实验室系统应用实验室失效分析实验室动静态参数测试实验室
    序号 部门 职能内容
    1 技术部
    研究最新技术,设计开发新产品、新技术;不断提升老产品的性能、降低成本,提高市场竞争力;研发设备的管理和维护,及定期校准。
    2 质量部
    处理客户投诉,提高顾客满意度;来料检验,处理不合格品;
    维护公司网站,更新技术资料;质量文件和记录的制定和归档;
    定期组织管理评审和内审;维护公司质量管理体系,应对客户审核及第三方审核。
    3 技术支持部负责客户投诉的确认分析及处理;负责客户投诉改善对策的跟踪及验证;负责新产品应用测试及方案设计与推广;负责对销售人员的定期技术培训;负责客户投诉处理流程的更新与维护。
    对芯片进行检测的。
    4、核心技术保护措施
    公司通过持续的自主创新,在沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 以及 IGBT 等设计研发方面拥有多项核心技术。为保持公司核心竞争力,避免技术流失,公司采取了严密的技术保护措施,并在实践中取得了良好效果。一方面,公司对主要核心技术申请专利,截至 2020 年 1 月 19日,公司拥有 97 项专利,其中发明专利 35 项。另一方面,公司制定了一系列保密措施:首先,公司制定并严格执行技术管理制度,作为日常研发和生产过程中相关流程和文件管理的依据;其次,公司及各子公司研发员工必须签订保密协议,严格遵守合同规定条款;再次,对于技术信息的保密,公司对涉密技术信息进行
    统一管理,技术信息资料的保密由技术负责人根据相关规定负责管理,对外发布
    的内容涉及本公司有关技术方面的经验、成果时,相关内容由技术负责人审核,总经理批准。
    (四)公司保持技术创新的机制和能力
    1、技术创新机制
    公司主要立足现有市场、现有产品,结合产学研合作,不断增加对半导体分立器件行业内新产品、替代产品的研发投入,把握产业的发展方向。同时,依托技术、品牌、渠道等综合优势,以国家政策导向、行业发展趋势和客户需求的不断提高为牵引,全力推进高端功率 MOSFET、IGBT 及模块的研发与产业化,并且持续布局功率器件领域最先进的技术和技术梯队,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
    (1)新产品开发
    公司主要以国家政策和行业发展趋势为导向,以客户需求为基础,重点选择产品技术含量高、应用市场需求广阔的新产品进行研发。针对高端半导体芯片主要依赖进口的问题,不断提升技术研发水平,实现 MOSFET、IGBT 等产品的进口替代。公司对研发相关部门和研发人员制定了清晰的考核指标,重点对其研发成果、质量控制和人员培训等进行考核,并将考核作为岗位绩效和奖惩的依据,纳入到研发人员档案,从而促进研发人员的创新动力,不断推进新产品和新型号的更新。
    (2)创新人才培养
    经过多年的技术积淀,公司已经组建了以行业专家为组织管理者的研发队伍,培养了一大批高素质的研发人才。截至 2019 年 12 月 31 日,公司研发人员占比超过 36%。公司建立了一整套创新技术人才培养体系,不仅通过与高等院校和科研机构建立广泛技术合作关系来培养创新技术人才,还购置先进的研发实验设备和软件,打造专业化、具备细分行业影响力的研发团队和研究中心。公司设有江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站,引进研究生实习,培养、选拔优秀人才,并持续加大专业人才的引进力度,尤其是行业技术专家、管理经验杰出的高端人才等,保持核心人才的竞争力。
    (3)技术攻关
    公司积极组织技术人员对新产品研发、设计存在的难题或是质量控制缺陷进行技术攻关,实行每年下达目标责任书的机制,责任分解到研发相关部门、各人,关注行业发展的动向,以及新材料产品的研发。年末由公司组织统一对年度的目标责任书落实情况进行逐级考评,根据考评结果对技术攻关责任人及工作团队进行奖励和惩罚,并把结果计入技术人员档案,作为岗位绩效的重要依据。
    2、技术创新战略
    公司致力于半导体分立器件行业的技术研发及创新,把发展高新技术以及长期的可持续发展摆在首要的战略位置,通过产学研方面的合作,不断加大对技术人才、研发设备和技术中心的资金投入。公司重视国内外半导体分立器件的技术发展趋势,紧跟国际先进水平,紧贴市场发展脉络;公司研发的产品紧跟国外一线品牌,并进一步涉足 SiC/GaN 宽禁带半导体的设计研发。公司重视新产品开发和现有技术创新,通过技术创新来提升产品质量,提高产品盈利水平,从而增强公司的产品市场竞争能力。
    3、技术创新能力
    公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一,在中国半导体行业协会发布的 2016 年、2017 年、2018 年和 2019 年中国半导体功率器件企业排行榜中,公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司是江苏省科技厅、财政厅、国税局、地税局联合认定的高新技术企业,且为中国半导体行业协会会员、中国电源学会理事单位。公司亦为江苏半导体行业协会 2017 年度先进会员单位,已建立了江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目已获得 2019 年度江苏省科学技术一等奖,并
    获得 2020 年度国家技术发明奖提名且已经通过初评。自成立以来,公司始终专
    注于半导体功率器件行业,具备独立的 MOSFET 和 IGBT 芯片设计能力和自主的工艺技术平台。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET的企业之一,公司新产品开发能力强,产品导入市场速度快,已经掌握了屏蔽栅
    功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、IGBT 等特色工艺技术以及相关的多项核心技术,形成了具有自主知识产权的核心技术体系。截至 2020 年 1 月 19 日,公司
    拥有 97 项专利,其中发明专利 35 项。公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作,针对重点项目成立了技术攻关小组,以全力推进高端功率 MOSFET和 IGBT 芯片及模块的研发与产业化,并且持续布局最新一代 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的前沿领域,紧跟最先进的技术梯队,提升公司核心产品竞争力。
    (五)公司核心技术人员情况公司核心技术人员情况参见本招股意向书“第八节 董事、监事、高级管理人员与核心技术人员”之“一、董事、监事、高级管理人员与核心技术人员简历”
    之“(四)核心技术人员”。
    八、发行人境外经营情况
    截至本招股意向书签署日,本公司除在香港全资控股新洁能香港开展产品销售活动外,未在中华人民共和国境外设立分支机构以及开展其他经营活动。
    新洁能香港的基本情况详见本招股意向书“第五节 发行人基本情况”之“六、公司控股子公司、参股子公司及分公司基本情况”。
    九、发行人发行当年和未来三年发展规划
    (一)发展规划与目标
    未来三年内,公司将巩固和加强在功率 MOSFET 和 IGBT 产品的国内领先地位,加快智能功率集成器件的研发及产业化,同时建成先进功率集成器件及模块产品特色封装产线,布局 SiC/GaN 新材料宽禁带半导体,树立中国半导体高端品牌形象,逐步成为国际先进的半导体功率研发设计企业,并具有一定的高端半导体分立器件封装能力。公司将通过建设研发中心,加强自主创新研发能力,不断开发高功率密度、低能耗、集成度更高的功率 MOSFET 和 IGBT 产品,提升公司核心竞争力;通过丰富现有系列产品规格型号,拓宽公司产品应用领域,满足下游客户多样化需求;通过深化功率 MOSFET 和 IGBT 产品在系统层面的
    应用特性,为客户提供产品整体解决方案,大力推进贴近客户的应用支持团队的建设和布局;通过适度延伸产业链,加强核心技术保密,保障产品品质、降低产品成本;通过完善销售网络,提升公司的品牌影响力和市场美誉度,扩大行业和区域覆盖面,积极开拓境内外市场。
    (二)发行人拟采取的措施
    为达成公司的总体发展战略和目标,公司拟定了五大措施,作为实现公司总体发展战略和目标的保障,具体措施如下:
    1、产品开发措施
    公司将基于已掌握的新一代屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、IGBT等核心技术,进一步开发全系列、高品质的新一代产品,以满足更广泛的下游应用需求。另外,公司将加强产业链协作,寻找更多优质的合作伙伴,保障现有产品的生产和新产品的开发。同时,未来公司将基于自建的封装测试产线,提升新产品的自主研发效率,保障产品品质的稳定性,并进一步扩大封装测试产能,实现封装环节完全自主生产。
    2、市场开发措施
    公司将针对客户具体应用,编撰定制化的产品宣传手册,方便客户了解和使用公司产品,加快产品的市场推广速度。此外,公司将优化现场应用工程师团队结构,指导客户使用产品,为客户提供专业化的整体解决方案。同时,公司将深化与现有客户合作关系,配合客户实现产品升级换代,增大公司产品的市场供应份额,并通过内部培训和销售人才引进,加强销售团队建设,提高业务水平,开发优质新客户。
    3、技术开发措施
    公司将依托于现有的研发设计团队,进一步完善研发设计体系,持续加大产品研发投入。同时,公司将以建设半导体功率器件研发中心为契机,在重点项目上培养和引进一批高水平研发人才,购置先进的研发实验设备和软件,打造专业化、具备细分行业影响力的研发团队和研究中心。此外,公司还将进一步加强与
    科研院所的合作,时刻关注半导体功率器件前沿技术,提前布局公司下一代半导体功率器件产品。
    4、人才培养与招聘措施首先,公司将继续加强员工培训,加快培育一批素质高、业务能力强的半导体分立器件设计人才、管理人才;其次,公司将基于已建立的江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站,引进研究生实习,培养、选拔高素质人才,并持续加大专业人才的引进力度,尤其是行业技术专家、管理经验杰出的高端人才等,保持核心人才的竞争力。此外,公司将通过建立多层次的激励机制,充分调动员工的积极性、创造性,提升员工对企业的忠诚度。
    5、管理提升措施
    公司将严格按照《公司法》、《证券法》等法律法规的要求规范运作,进一步完善法人治理结构,建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制,充分发挥股东大会、董事会等在重大决策、人员聘用等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度,强化各项决策的科学性和透明度,保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化,及时调整组织结构,促进公司的体制机制创新。此外,公司将在现有的产品质量控制体系基础上,进
    一步优化业务流程,提高管理效率,持续改善服务品质。
    (三)发行人拟定上述计划所依据的假设条件
    公司实现上述计划所依据的假设条件为:
    1、公司股票发行与上市工作进展顺利,募集资金及时到位,募集资金投资项目如期实施;
    2、公司募集资金项目的建设与运作达到预期效益;
    3、公司所在行业及所处领域的市场处于正常发展状态,没有出现重大市场变化;
    4、公司各项经营业务所遵循的国家及地方政策、法规无重大改变,国家宏
    观经济、政治、社会环境处于正常状态;
    5、公司现有管理层、核心技术人员继续保持稳定性;
    6、无其他人力不可抗拒及不可预见因素造成的重大不利影响。
    (四)实现上述计划可能面临的主要困难
    实现上述计划可能面临如下主要困难:
    1、资金问题
    上述计划的实施,需要投入大量资金,依靠银行贷款或者企业自身积累具有
    一定困难。因此本次公开发行股票募集资金对公司健康、稳定、持续的发展十分重要。如未能如期发行上市成功,在日益激烈的市场竞争中,公司将可能失去发展先机,从而影响上述计划的有效实施。
    2、人力资源问题
    随着上述计划的实施,公司生产规模的扩大,对经营管理、新产品研发及市场拓展提出了更高要求,培养和引进专业人才过程中,如人才市场中缺乏复合型人才或人才培养速度不及预期,将会影响公司上述计划措施的实施进度。
    3、公司规模扩大后的管理问题
    随着经营规模的快速扩张,对公司的管理水平不断提出新的要求,特别是在公司发行上市并迅速扩大经营规模以后,公司的组织结构和管理体系势必进一步复杂化。在上述计划的实施和未来的运作过程中,公司各项内部控制制度和组织管理体系都需要不断完善和创新,以适应公司的发展。
    (五)实现上述规划和目标拟采用的方法和途径
    1、公司本次发行股票为实现上述业务目标提供了资金支持,也是公司上述
    发展计划得以实现的重要前提。公司将认真组织项目的实施,争取尽快投产,保证公司的规模化经营,促进产品结构的优化升级,进一步增强产品的核心竞争能力。
    2、公司将严格按照上市公司的要求规范运作,进一步加强公司治理、风险管理和财务管理的能力。
    3、公司将以本次发行上市为契机,按照人力资源发展计划,加快对优秀人
    才尤其是专业技术人才和管理人才的引进,提高公司的人才竞争优势。
    4、提高公司的社会知名度和市场影响力,进一步提升公司的品牌影响力和
    市场美誉度,充分利用公司的现有资源,积极开拓国内外市场,提高公司产品的市场占有率。
    5、建立更规范的科学管理体系,从意识上增强创新意识、风险意识,符合现代企业管理要求。
    本公司声明:本公司将在上市后通过定期报告持续公告发展规划实施和目标实现的情况。
    十、主要产品的质量控制情况
    公司自成立以来即高度重视质量管理工作,始终将提升产品品质作为企业发
    展的第一目标。在产品的研发设计及销售过程中,公司通过制定严格的质量管理
    标准、科学的产品质量管理制度以确保质量管理体系的有效性,并通过了
    ISO9001 质量管理体系认证。
    (一)质量控制标准
    公司结合自身产品特点和实际管理需要,编制了公司的《质量手册》。手册阐明了公司的质量方针等目标,描述了公司的质量管理体系,明确了各部门在质量管理体系中的职责作用,并对公司所有质量管理体系的过程做了明确的规定。
    (二)质量管理措施
    公司结合行业和企业自身特点制定的《质量手册》对本公司接收顾客订单—
    按要求进行产品设计—委托供应商/代工厂生产、测试—入库—按订单数量、交期发货的全过程实行全面有效的控制,努力提高公司设计质量、产品质量。公司同时高度关注客户反馈,定期跟踪、动态反馈客户提出的问题和建议,从而达到持续改进质量的目的。
    (三)质量纠纷情况报告期内,公司未发生重大产品质量纠纷。

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