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立昂微(605358)经营总结    日期:
截止日期2020-06-30
信息来源招股意向书
经营评述
    第六节 业务和技术
    一、发行人主营业务、主要产品及设立以来的变化情况
    (一)主营业务和主要产品
    发行人主营业务为半导体硅片和半导体分立器件芯片的研发、生产和销售,以及半导体分立器件成品的生产和销售。
    发行人立昂微电自身主要从事半导体分立器件业务,半导体分立器件芯片主要产品包括肖特基二极管芯片、MOSFET 芯片等;半导体分立器件主要产品为
    肖特基二极管。
    发行人的子公司浙江金瑞泓、衢州金瑞泓主要从事半导体硅片业务(不包括
    12 英寸半导体硅片),主要产品包括硅研磨片、硅抛光片、硅外延片等。
    此外,发行人的子公司金瑞泓微电子主要从事 12 英寸半导体硅片业务,立昂东芯主要从事微波射频集成电路芯片业务。
    半导体硅片的产业链上游是多晶硅制造业,产业链下游主要是集成电路与分立器件制造业。半导体硅片属于半导体产业的核心基础材料,是作为生产制作包括集成电路、半导体分立器件等在内的各类半导体产品的载体。
    半导体分立器件芯片及半导体分立器件成品均属于半导体分立器件制造业,其上游为半导体硅材料制造业,其下游应用广泛,传统应用领域包括通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子等行业。伴随着分立器件芯片制造、器件封装等新技术、新工艺的发展,目前新能源汽车、人工智能、物联网等终端应用领域逐渐成长为半导体分立器件的重要增长点。公司生产的肖
    特基二极管芯片、MOSFET 芯片及肖特基二极管产品属于半导体分立器件制造
    业中的主要种类之一,广泛应用于通信、计算机、汽车产业、光伏产业、消费电子、人工智能、物联网等下游产业的功率处理领域。
    此外,立昂东芯生产的微波射频集成电路芯片的上游为第二代半导体材料(主要为砷化镓等化合物)制造业,下游主要为射频集成电路领域,主要应用于无线通讯设备、有线电视领域和光纤领域。立昂东芯生产的微波射频集成电路芯
    片系能够满足连续广域覆盖、热点高容量、低时延高可靠和低功耗大连接等场景的主要的射频集成电路芯片之一,广泛应用于 5G 手机中的射频前端芯片。
    (二)设立以来的变化情况
    发行人自设立以来,主营业务为半导体分立器件芯片的研发、生产和销售,主要产品包括肖特基二极管芯片、MOSFET 芯片等。自 2015 年收购同一实际控制人控制下的公司浙江金瑞泓后,公司的主营业务延伸至上游的半导体硅片的研发、生产和销售,半导体硅片主要产品包括硅研磨片、硅抛光片、硅外延片等。
    报告期内公司的主营业务和主要产品未发生重大变化。
    二、发行人所处行业的基本情况
    (一)主管部门、监管体制、主要法律法规及政策根据《国民经济行业分类》(GB/T 4754-2017),公司所处行业属于“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”之“C397 电子器件制造”。根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》(2012 年修订),公司所处行业属于“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。
    1、行业主管部门与行业监管体制公司所处的半导体硅片行业和半导体分立器件行业属于半导体行业的细分行业,为国家重点鼓励、扶持的战略性新兴行业。公司所处行业的主管部门为国家工业和信息化部,其主要职责为:提出新型工业化发展战略和政策,协调解决新型工业化进程中的重大问题,拟订并组织实施工业、通信业、信息化的发展规划,推进产业结构战略性调整和优化升级;制定并组织实施工业、通信业的行业规划、计划和产业政策;监测分析工业、通信业运行态势,统计并发布相关信息,进行预测预警和信息引导;指导行业技术创新和技术进步,以先进适用技术改造提升传统产业等。
    中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟为本公司所处行业的自律组织和协调机构。
    中国半导体行业协会成立于 1990 年,是由全国半导体界从事集成电路、半导体分立器件、半导体材料和设备的生产、设计、科研、开发、经营、应用、教学的单位、专家及其它相关的支撑企、事业单位自愿结成的行业性的全国性的非营利性的社会组织,下设 6 个分支机构:集成电路分会、半导体分立器件分会、
    半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS 分会。其主要职能有:贯彻落实政府有关的政策、法规,向政府行业主管部门提出本行业发展的经济、技术和装备政策的咨询意见和建议;开展信息咨询工作,对行业与市场情况进行调查研究与分析预测;开展经济技术交流和学术交流活动;开展国际
    交流与合作;协助政府制(修)订行业标准、国家标准及推荐标准等。
    中国电子材料行业协会成立于 1991 年,是国内从事电子材料的生产、研制、开发、经营、应用、教学的单位及其他相关的企、事业单位自愿结合组成的全国性的行业社会团体,下设 10 个分会:半导体材料分会、覆铜板材料分会、压电晶体材料分会、电子精细化工材料分会、真空电子与专用金属材料分会、磁性材料分会、电子陶瓷材料分会、电子锡焊料材料分会、电子铜箔材料分会、石英材料分会。其主要职能有:协助政府部门进行行业管理;开展信息咨询服务工作;
    协调行业内部和本行业与相关行业间的经济、技术合作与交流,推动企、事业的技术进步,产品质量和经营管理水平的提高等。
    集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟成立于 2012 年,是由国内从事集成电路材料和零部件制造、应用、科研、开发、教学等产学研企、事业单位在自愿基础上,以集成电路材料和零部件产业技术创新发展为主题共同发起组建的产业技术创新战略联盟。其主要职能有:制定联盟技术创新战略目标;发挥产学研用合作优势,承担重大科研课题,加快我国集成电路材料和零部件产业核心技术和关键产品的开发、应用及产业化;协调联盟技术资源;促进企业与用户间在技术开发等方面的合作;加强国际技术合作、人才培养和学术交流;开展战略研究,为国家技术和产业发展提供决策支撑等。
    截至本签署日,立昂微电是中国半导体行业协会半导体分立器件分会理事单位,浙江省半导体行业协会副理事长单位;浙江金瑞泓是中国半导体行业协会半导体支撑行业分会理事单位、中国电子材料行业协会常务理事单位、集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟理事单位。
    2、行业主要法律法规及政策近年来,国家各部门陆续出台了一系列政策法规,极大地促进和规范了公司所处行业的健康发展,具体情况如下:
    年份 颁布单位 政策法规名称 相关内容2011 全国人大 《国民经济和 “以重大技术突破和重大发展需求为基础,促进新兴科技与
  社会发展第十
    二个五年规划纲要》
    新兴产业深度融合,在继续做强做大高技术产业基础上,把战略性新兴产业培育发展成为先导性、支柱性产业。大力发展节能环
    保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料、新能源汽车等战略性新兴产业。新一代信息技术产业重点发展新
    一代移动通信、下一代互联网、三网融合、物联网、云计算、集成电路、新型显示、高端软件、高端服务器和信息服务。”
    2012工业和信息化部《电子信息制
    造业“十二五”发展规划》“关键电子元器件和材料重点支持微电子器件、光电子器
    件、MEMS 器件、半导体功率器件、电力电子器件等的技术升
    级及设备工艺研发。积极发展半导体材料、太阳能光伏材料、光电子材料等。半导体材料重点发展硅材料、化合物半导体材料、氮化镓和碳化硅等衬底材料、外延用原料、高性能陶瓷基板;高
    端 LED 封装材料,高亮度、大功率 LED 芯片材料;新型电力电子器件用关键材料;石墨和碳素系列保温材料。”
    2012工业和信息化部《集成电路产
    业“十二五”发展规划》“调整优化集成电路产业结构,着力发展芯片设计业,重点开发高性能集成电路产品;壮大芯片制造业规模,持续支持 12英寸先进工艺制造线和 8 英寸/6 英寸特色工艺制造线的技术升
    级和产能扩充;提升封装测试层次,增强关键设备、仪器、材料的自主开发和供给能力。按照“扶优、扶强、扶大”的原则,优化企业组织结构,推进企业兼并、重组、联合。”
    2012工业和信息化部《新材料产业
    “十二五”发展规划》“在半导体材料方面,以高纯度、大尺寸、低缺陷、高性能和低成本为主攻方向,逐步提高关键材料自给率。开发电子级多晶硅、大尺寸单晶硅、抛光片、外延片等材料,积极开发氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、锗、绝缘体上硅(SOI)等新型半导体材料。实现 8 英寸、12 英寸硅单晶生长及硅片加工产业化,
    突破 12 英寸硅片外延生长等技术。”
    2013国家发改委《产业结构调整 指 导 目 录
    (2011 年本)》
    (2013 年修正)
    “第一类鼓励类”: “九、有色金属”之“4、信息、新能源有色金属新材料生产”之“(1)信息:直径 200mm 以上的硅单晶及抛光片。”;“二十八、信息产业”之“21、新型电子元器件(片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等)制造”、“10、下一代互联网网络设备、芯片、系统以及相关测试设备的研发和生产”。
    2014 国务院《国家集成电路产业发展推进纲要》
    带动产业链协同可持续发展,努力实现集成电路产业跨越式发展;到 2020 年,集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小;到 2030 年,集成电路产业链主要环节达到国际先进水平。
    突破集成电路关键装备和材料,加强集成电路制造企业和装备、材料企业的协作,加快产业化进程,增强产业配套能力。设立国家产业投资基金。
    2015、
2016
    国务院、国家制造强国建设战略咨询委员会《 中 国 制 造2025》、《工业
    “四基”发展目
    录(2016 年版)》
    《中国制造 2025》是我国实施制造强国战略第一个十年的行动纲领,对强化工业基础能力做出战略部署。文件指出:“针对核心基础零部件(元器件)、先进基础工艺、关键基础材料和产业技术基础(统称“四基”)等工业基础能力薄弱现状,着力破解制约重点产业发展的瓶颈。到 2020 年,40%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障,受制于人的局面逐步缓解,
    到 2025 年,70%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保
    障,80 种标志性先进工艺得到推广应用,部分达到国际领先水平。”同时,大力推动十大重点领域突破发展,其中新一代信息技术产业列在首位。
    《工业“四基”发展目录(2016 年版)》将 8 英寸、12 英寸集成电路硅片列为新一代信息技术领域关键基础材料的首位,将功率半导体器件列入先进轨道交通装备领域的核心基础零部件(元器件)。
    2016 全国人大《国民经济和社会发展第十
    三个五年规划纲要》“支持战略性新兴产业发展,大力推进先进半导体等新兴前沿领域创新和产业化;培育一批战略性产业;设立国家战略性产
    业发展基金,充分发挥新兴产业创业投资引导基金作用,重点支持新兴产业领域初创期创新型企业。培育集成电路产业体系,培育人工智能、智能硬件、新型显示、移动智能终端、第五代移动
    通信(5G)、先进传感器和可穿戴设备等成为新增长点。”
    2016工业和信息化部《电子材料行
    业“十三五”发展路线图》“电子功能材料方面,重点突破 8-12 英寸集成电路用硅单晶和外延材料、三代半导体 SiC 和 GaN 材料等半导体材料。重点发展 8 英寸区熔硅单晶材料产业化及 12 英寸材料研发;6 英寸砷化镓材料产业化和 8 英寸材料研发等。”
2016
    科技部、财政部、国家税务总局关于修订印发《高新技术企业认定管理办法》的通知
    国家重点支持的高新技术领域: “一、电子信息”之“(六)新型电子元器件”之“3. 大功率半导体器件”; “四、新材料”
    之“(一)金属材料”之“6. 半导体新材料制备与应用技术”:
    大尺寸硅单晶生长、晶片抛光片、SOI 片及 SiGe/Si 外延片制备加工技术;大尺寸砷化镓衬底、抛光及外延片、GaAs/Si 材料制备技术。
    2017国家发改委《战略性新兴产业重点产品和服务指导目
    录》2016 版
    该目录明确了 5 大领域 8 个产业,进一步细化到 40 个重点方向下 174 个子方向,近 4000 项细分的产品和服务。其中包括:
    集成电路芯片产品、集成电路材料、电力电子功率器件及半导体材料等。
    (二)半导体硅片行业基本情况
    1、半导体硅片行业现状及发展前景
    (1)半导体硅片简介目前,全球半导体材料已经发展到第三代,包括以硅(Si)、锗(Ge)等为代表的第一代元素半导体材料,以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等为代表的
    第二代化合物半导体材料,以及以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第
    三代宽禁带半导体材料。
    硅材料因其具有单方向导电特性、热敏特性、光电特性、掺杂特性等优良性能,可以生长为大尺寸高纯度晶体,且储量丰富、价格低廉,故而成为全球应用最广泛、最重要的半导体基础材料。目前全球半导体市场中,90%以上的芯片和
   传感器都是基于硅材料制造而成。
    在自然界中,硅主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在于矿物、岩石中。二氧化硅经过化学提纯,成为多晶硅。多晶硅根据其纯度由低到高,一般可以分为冶金级、太阳能级和电子级。其中,电子级多晶硅的硅含量最高,一般要求达到
    99.9999999%至 99.999999999%(9-11 个 9),也是生产半导体硅片的基础原料。
    电子级多晶硅通过在单晶炉内的培育生长,生成硅单晶锭,这个过程称为晶体生长。半导体硅片则是指由硅单晶锭切割而成的薄片,又称硅晶圆(SiliconWafer)。通过在半导体硅片上进行加工制作,从而形成各种电路元件结构,可以使其成为有特定功能的集成电路或分立器件产品。
    作为生产制造各类半导体产品的载体,半导体硅片是半导体行业最核心的基础产品。
    总体而言,半导体硅片可以按照尺寸、工艺等方式进行划分。按照尺寸划分,
    一般可分为 12英寸(300mm)、8英寸(200mm)、6英寸(150mm)、5英寸(125mm)、
    4 英寸(100mm)等规格;按照工艺划分,一般可分为硅研磨片、硅抛光片、硅外延片等,其中以硅抛光片和硅外延片为主。
    半导体硅片行业处于产业链的上游,为半导体行业发展提供基础支撑。半导体硅片在半导体(硅基)产业链中的位置如下图所示(虚线方框部分):
    硅研磨片是指对硅单晶锭进行切割、研磨等加工得到的厚度小于 1mm 的圆形晶片,是制作硅抛光片及硅外延片的中间产品,也可以用于制作分立器件芯片。
    硅抛光片由硅研磨片经过后续抛光、清洗等精密加工而成,主要应用于集成
    电路和分立器件制造。硅抛光片按照掺杂程度不同分为轻掺硅抛光片和重掺硅抛光片,掺杂元素的掺入量越大,硅抛光片的电阻率越低。轻掺硅抛光片广泛应用于大规模集成电路的制造,也有部分用作硅外延片的衬底材料。重掺硅抛光片一般用作硅外延片的衬底材料。
    硅外延片是指在硅单晶衬底上外延生长一层或多层硅单晶薄膜的材料,用于制造半导体分立器件和集成电路。根据衬底片的掺杂浓度不同,分为轻掺杂衬底外延片和重掺杂衬底外延片。前者通过生长高质量的外延层,可以提高 CMOS 栅氧化层完整性、改善沟道漏电、提高集成电路可靠性,后者结合了重掺杂衬底片和外延层的特点,在保证器件反向击穿电压的同时又能有效降低器件的正向功耗。
    (2)全球半导体硅片市场现状及前景近年来,全球半导体硅片市场存在一定的波动。2009 年,受经济危机的影响,全球半导体硅片市场规模急剧下滑,出货量下降;2010 至 2013 年,半导体硅片市场随全球经济逐渐复苏而反弹,同时 12 英寸大尺寸半导体硅片技术逐渐
    普及;2014 年至今,受益于通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子等应用领域需求带动以及人工智能、物联网等新兴产业的崛起,全球半导体硅片出货量呈现上升趋势,直至 2019 年度出现小幅回落。
    资料来源:SEMI,2020.02根据 SEMI 统计,全球半导体硅片市场规模在 2018 年大幅增长至 113.8 亿美元后出现小幅回调,2019 年为 111.5 亿美元,预期 2020 年将达到 114.6 亿美元。
    从行业整体来看,根据 WSTS 统计,2018 年全球半导体市场规模达到
    4687.78 亿美元,同比增长 13.7%;在 2019 年回落至与 2017 年相当水平,为
    4123.07 亿美元,同比下降 12.0%。根据 WSTS 预测,2020 年至 2021 年,全球
    半导体规模仍将保持增长趋势,预计增速分别为 3.3%和 6.2%。
    资料来源:WSTS,2020.06
    从 2009 年起,12 英寸(300mm)半导体硅片逐渐成为全球硅片市场的主流产品,产量明显呈增长趋势,预计到 2020 年将占市场的 75%以上。到 2018 年,逻辑电路和存储器占据了全球半导体市场规模的一半以上,存储器连续两年贡献了全球半导体市场规模的主要增量,该等部分应用领域已主要采用 12 英寸半导体硅片进行生产。考虑到在模拟芯片、传感器及功率器件等领域,用 8 英寸硅片制作成本最低,2011 年以来,8 英寸(200mm)半导体硅片出货量逐年稳定上升。
    6 英寸(150mm)及以下尺寸半导体硅片的出货量相对稳定,但占全球硅片出货量的比例不断下降。
    资料来源:IC Mtia,2019.08
    (3)我国半导体硅片市场现状及前景
    自 2014 年以来,我国半导体硅片市场规模呈稳定上升趋势。根据 IC Mtia
    统计,2018 年中国半导体硅片市场需求为 172.1 亿元,预计 2019、2020 年的市
    场需求将分别达到 176.3 亿元、201.8 亿元,2014 年至 2019 年的复合增长率为
    13.74%。
    资料来源:IC Mtia,2019.08根据 IC Mtia 统计,2018 年我国半导体硅片年产能达到 2393 百万平方英寸,
    其中 12 英寸硅片产能约 201 百万平方英寸,8 英寸硅片产能约 870 百万平方英
    寸,6 英寸硅片产能约 886 百万平方英寸,5 英寸及以下硅片产能约 436 百万平方英寸。6 英寸及以下尺寸硅片产能占总产能比重为 55.24%,仍是目前国内市场的主要产品。未来随着我国半导体硅片制造企业研发及生产能力不断提升、国际化程度不断提高,预计我国 8 英寸及以上半导体硅片的产能将会有较大的提升。
    数据来源:IC Mtia,2019.08
    2、半导体硅片行业竞争格局
    (1)全球市场情况
    从全球市场来看,半导体硅片市场具有较高的垄断性,少数主要厂商占据了绝大多数市场份额,掌握着先进的生产技术。上述垄断性在大尺寸半导体硅片市场更为明显。根据中国半导体行业协会的统计,2017 年全球半导体硅片销售额
    前五名为日本 Shin-Etsu、日本 Sumco、台湾 Global Wafer、德国 Siltronic、韩国
    SK Siltron。全球前五大半导体硅片供应商的市场份额高达 92%。
    数据来源:Gartner,2019.06
    (2)我国市场情况
    从我国市场来看,由于我国从 20 世纪 90 年代才逐步开始加大对半导体产业的投入力度,同国外发达国家相比整体起步较晚,长期以来,我国半导体硅片供应商主要生产 6 英寸及以下半导体硅片,以满足国内需求,市场格局较为稳定。
    而近年来,大尺寸半导体硅片国产化成为我国半导体领域的重要战略目标和努力方向,国内企业在 8 英寸半导体硅片生产方面与国际先进水平的差距已得到较大程度的缩小,但 12 英寸半导体硅片由于核心工艺技术难度更高,尚无法实现大规模量产。
    根据 IC Mtia 统计,目前国内从事硅材料业务的公司主要包括浙江金瑞泓、有研半导体、中环股份、南京国盛、上海新昇、上海新傲、河北普兴、昆山中辰
    等十余家。截至 2018 年底,浙江金瑞泓具备月产 12 万片 8 英寸硅抛光片的生产能力,衢州金瑞泓正在建设的集成电路用 8 英寸硅片项目将增加月产能 10 万片;
    中环股份已实现月产 30 万片 8 英寸硅抛光片的生产能力;有研半导体具备月产
    10 万片 8 英寸硅片的生产能力,在建 8 英寸硅片生产线月产能将达到 15 万片。
    在 12 英寸硅片开发与产业化方面,上海新昇 12 英寸硅片生产线已达到月产能
    10 万片;发行人负责 12 英寸硅片产业化项目的子公司金瑞泓微电子正在建设年
    产 180 万片集成电路用 12 英寸硅片项目;重庆超硅已建成 12 英寸硅抛光片中试线。国产 8 英寸半导体硅片的量产在一定程度上缓解了我国对相关产品进口的依赖,弥补了国内技术上的空白,同时缩小了中国半导体硅片行业与世界先进水平之间的差距,在振兴民族半导体工业的发展目标上迈下重要一步。目前,虽然我
    国 12 英寸半导体硅片仅有个别企业初步实现量产,但整体来看,我国半导体硅
    片行业已取得了长足的发展。发行人、上海新昇等国内半导体硅片企业正在进行
    国产 12 英寸半导体硅片的产业化工作,有望在未来实现 12 英寸半导体硅片的大规模量产。
    综上,半导体硅片市场在全球范围内具有较高的垄断性,国内本土企业之间的市场竞争相对充分。未来在政策支持和国内部分企业的带动下,我国在半导体硅片、特别是大尺寸半导体硅片领域将不断缩小与国际领先水平之间的差距。
    国内半导体硅片行业主要上市公司的资产规模、销售规模、经营状况及研发水平等方面的情况如下表所示:
    行业类别 上市公司[
    注1]
    上市代码 总资产(万元) 营业收入(万元)归属母公司股东的净利润(万元)
    半导体硅片 中环股份 002129.SZ 4911851.97 1688697.13[
    注2] 90366.14
    [注 1]:表中数据来源于中环股份 2019 年年度报告。
    [注 2]:中环股份营业收入主要来源于新能源材料,包括太阳能硅片等产品;而包含半导体
    硅片、半导体硅棒等产品的半导体材料收入为 123739.08 万元。
    上述公司的研发水平如下:
    行业类别上市公司
    [注]
    上市代码 研发水平半导体硅片
    中环股份 002129.SZ
    2019年,研发投入116852.94万元,占营业收入的6.92%;
    拥有1个国家级技术中心、3个省部级研发中心、2个省部
    级重点实验室、8家高新技术企业、1个国家技术创新示范企业;累计拥有发明专利116项。
    [注]:上述资料来源于其 2019 年年度报告。
    3、半导体硅片行业壁垒
    (1)技术壁垒
    半导体硅片行业是一个技术高度密集型行业,其核心工艺包括单晶工艺、成
    型工艺、抛光工艺、外延工艺等,技术专业化程度颇高。半导体行业的飞速发展对半导体硅片的生产技术和制造工艺提出了更高的要求,主要体现在:①增大半导体硅片的尺寸;②减少半导体硅片晶体缺陷、表面颗粒和杂质;③提高半导体硅片表面平整度、应力和机械强度等方面。后进企业如果不具备相当的技术积累和研发实力,将很难跟上市场发展需求。
    (2)资金壁垒
    半导体硅片行业是一个资金密集型行业。要形成规模化、商业化生产,所需投资规模巨大,如一台关键生产设备价值就达数千万元人民币,大尺寸硅片生产线的投资规模更是以十亿元计,进入该行业的企业需要具有雄厚的资金实力。
    (3)人才壁垒
    半导体硅片的研发和生产过程较为复杂,涉及固体物理、量子力学、热力学、化学等多学科领域交叉,因此需要具备综合专业知识和丰富生产经验的复合型人才。国内相应人才供应不足,要打造一直高技术水平团队,需要大量的人力资源投入和时间积累,后进企业面临较高的人才壁垒。
    (4)认证壁垒
    鉴于半导体芯片的高精密性和高技术性,芯片生产企业对于半导体硅片的质量要求极高,因此对于半导体硅片供应商的选择相当谨慎,并设有严格的认证标准和程序。后进企业要进入主流芯片生产企业的供应商队伍,除了需要通过业内权威的质量管理体系认证以外,还需要经过较长时间的采购认证程序。
    4、半导体硅片行业市场供求状况及变动原因
    半导体硅片是重要的半导体基础材料,处于半导体产业链上游,其需求状况主要取决于产业链下游集成电路、分立器件等主要产品及其终端市场的拉动,供给主要受行业市场需求和技术水平的影响。
    (1)行业需求情况
    从需求来看,通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子等终端应用领域的快速发展以及人工智能、物联网等新兴产业的崛起极大地促进了集成电路和分立器件产业的发展,进而带动对上游半导体硅片需求的快速提升。近年来,我国集成电路和分立器件市场规模持续扩大,根据中国半导体行业协会统计及预测,2018 年我国集成电路行业销售额为 6532 亿元,同比增
    长 20.71%;2018 年中国半导体分立器件产业销售收入达 2716 亿元,同比增长
    9.79%。2018 年中国半导体硅片市场需求为 172.1 亿元,预计 2019、2020 年将分
    别达到 176.3 亿元、201.8 亿元。
    (2)行业供给情况
    从供给来看,我国 6 英寸及以下半导体硅片市场发展时间较长,技术较为成熟,因而近年来 6 英寸及以下半导体硅片的整体供给能力未出现明显变化,供给格局较为稳定。在 8 英寸半导体硅片方面,国内仅有少数厂商掌握 8 英寸半导体硅片量产技术,供给能力较为有限,国内供给难以满足自身需求,缺口部分从国外进口。在 12 英寸半导体硅片方面,国内企业尚未能实现量产,主要靠进口来满足国内需求。
    5、半导体硅片行业利润水平的变动趋势及变动原因
    (1)行业周期的影响
    由于半导体硅片行业处于半导体产业链的上游环节,因此半导体行业的周期性波动对半导体硅片行业利润水平影响较大,在半导体行业景气上升阶段,行业利润水平呈现上升趋势,反之则呈下降趋势。2014 年至今,受益于通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子等应用领域需求带动以及人工智能、物联网等新兴产业的崛起,全球半导体硅片行业的景气度逐年上升,行业整体的利润水平向好。
    (2)原材料价格波动的影响
    多晶硅的制造是半导体硅片的产业链上游环节,对半导体硅片行业利润率影响较大。近年来,随着产能的不断扩张和技术的持续进步,多晶硅原材料供应日趋充足。根据工信部数据,2018 年我国多晶硅产量达 25.9 万吨,同比增长 7.02%。
    目前多晶硅原材料价格处于相对低位,若未来多晶硅价格上涨,尤其是电子级多晶硅材料价格上涨,则半导体硅片行业利润空间将受到挤压。
    (3)产成品销售价格波动的影响
    全球半导体硅片销售价格的波动直接影响行业利润,而半导体硅片价格又受到其供给和需求的影响。总体看,全球半导体硅片销售价格呈下降趋势,但 2017年以来随着下游需求的快速增长,部分半导体硅片如 12 英寸、8 英寸产品由于供给不足的情况各生产厂商均进行了产品提价。若未来需求增速放缓或行业竞争
   加剧,则产成品销售价格存在下降的风险,进而影响半导体硅片行业的利润空间。
    6、影响半导体硅片行业发展的有利和不利因素
    (1)有利因素
    ①国家产业政策的支持
    公司所处半导体硅片行业是我国重点鼓励、扶持发展的产业。作为我国实施制造强国战略第一个十年的行动纲领,《中国制造 2025》明确指出,针对核心基础零部件(元器件)、先进基础工艺、关键基础材料和产业技术基础(统称“四基”)等工业基础能力薄弱现状,着力破解制约重点产业发展的瓶颈。到 2020 年,40%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障,受制于人的局面逐步缓解,
    到 2025 年,70%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障,80 种标志性先进工艺得到推广应用,部分达到国际领先水平。而《工业“四基”发展目录(2016年版)》将 8 英寸、12 英寸集成电路硅片列为新一代信息技术领域关键基础材料的首位。半导体硅片行业作为振兴民族半导体工业、促进国民经济转型的重要一环,各监管部门通过制定产业政策和颁布法律法规,从鼓励产业发展、支持研究开发、加强人才培养、保护知识产权等各方面,对半导体硅片行业发展给予了大力扶持,并成立了国家集成电路产业投资基金,积极推动大尺寸半导体硅片的国产化进程。
    ②国际半导体产业转移的影响
    二十一世纪以来,国际半导体产业开始向亚洲发展中国家特别是中国大陆转移。根据 WSTS 统计,2019 年全球半导体市场规模为 4123.07 亿美元,其中中国大陆半导体市场规模占比三成以上,是目前全球最大的集成电路和分立器件市场。伴随着下游市场的蓬勃发展,国际半导体产能也正加速向中国大陆转移,几乎所有国际大型半导体公司均在中国大陆进行布局,与此同时国际半导体专业人才也正在流向中国大陆。中国大陆已经成为半导体产业转移的需求中心和产能中心,国内半导体硅片生产企业面临广阔发展空间。
    ③产品格局的转换
    伴随着硅片大尺寸化发展趋势,半导体硅片的产品格局正在发生变化。目前,国际市场上 12 英寸半导体硅片主要用于逻辑电路、存储器等半导体产品,而在模拟芯片、传感器及功率器件等领域,仍以 8 英寸半导体硅片为主,8 英寸及以
    下的半导体硅片市场需求也十分旺盛。由于发达国家主要对 12 英寸半导体硅片进行投资,6 至 8 英寸半导体硅片已不再新增产能,这为我国硅片生产企业占领
    8 英寸及以下半导体硅片市场份额提供了机会。
    (2)不利因素
    ①国际垄断已经形成
    从全球市场来看,半导体硅片市场具有较高的垄断性,日本、德国、中国台湾等少数国家和地区的少数主要厂商占据了绝大多数市场份额,掌握着先进的生产技术,特别是大尺寸半导体硅片的生产技术,且不轻易进行技术输出。这种格局不利于我国半导体硅片生产企业追赶先进技术水平、抢夺市场份额以及提升国际竞争力。
    ②产业基础薄弱
    我国半导体硅片产业发展起步较晚,在关键设备与硅单晶拉制、抛光、外延等核心技术上与国际先进水平存在较大差距。经过国内企业的多年努力,我国半导体硅片行业的技术水平有了显著提高,但整体而言与国际先进水平相比还存在
    一定差距。资金、技术、人才等壁垒也在很大程度上限制了我国半导体硅片行业的发展。此外,国内半导体硅片企业较为分散,与国外企业相比单体实力薄弱、科研投入有限,尚未能形成具有国际竞争力的企业。总体而言,我国半导体硅片产业仍处于成长期,仍需要大量的资源投入和时间积累形成坚实的产业基础。
    7、半导体硅片行业技术水平及技术特点
    半导体硅片的核心工艺包括单晶工艺、成型工艺、抛光工艺、外延工艺等,技术专业化程度颇高。其中,单晶工艺是指原材料多晶硅通过单晶炉中的晶体生长后形成硅单晶锭的过程,技术难度较大;成型工艺是指切割、倒角、磨片、酸碱腐蚀后形成硅单晶片的过程;抛光工艺和外延工艺分别指通过抛光工序和外延
    生长工序最终形成硅抛光片、硅外延片的过程。
    半导体的飞速发展对半导体硅片技术提出了更高的要求。主要体现在以下三个方面:
    (1)增大半导体硅片的尺寸
    半导体硅片的大尺寸化是集成电路厂商降低生产成本、提高芯片收得率和提升芯片性能的主要手段,但大尺寸硅片的工艺路线和机器设备均有所不同,因而
    带来了更高的技术难度。日本、美国、德国等国家的先进半导体硅片生产企业对
    于 12 英寸半导体硅片的生产技术已较为成熟。在此基础上,上述国际先进半导
    体硅片生产企业正在积极研发 12 英寸以上更大尺寸的半导体硅片,目前研发水平已经达到 18 英寸。我国目前尚处于攻克 12 英寸大尺寸半导体硅片技术难关的阶段,包括公司在内的国内部分半导体硅片厂商在大尺寸半导体硅片国产化的进程中发挥着积极的推进作用。
    (2)减少半导体硅片晶体缺陷、表面颗粒和杂质
    随着集成电路集成度的不断提高,其加工线宽逐步缩小,从而对半导体硅片的晶体缺陷控制,以及半导体硅片的加工、清洗、包装、储运工作提出了更高的要求,特别是对表面附着颗粒和铁、铜、铬、镍、铝、钠等微量金属杂质都要求控制在目前分析技术的检测极限以下,难度较大。
    (3)提高半导体硅片表面平整度、应力和机械强度等
    硅片的局部平整度一般要求为设计线宽的三分之二,目前的后续加工工艺要求半导体硅片表面达到更大的平整度,并且半导体硅片应力不能过分集中、机械强度需达到更高标准,从而使得半导体器件的稳定性和可靠性得到保证。此外,根据器件工艺的需要,半导体器件厂商也会对半导体硅片表面和内部结晶特性以及氧含量提出特殊的要求。
    8、半导体硅片行业经营模式、周期性、季节性和区域性特征
    (1)半导体硅片行业的经营模式
    由于半导体硅片行业的高度专业性和垄断性,以及半导体硅片产品品种、规格、技术要求的多样性,业内企业一般采取产品定制并直销的经营模式。
    (2)半导体硅片行业的周期性
    半导体硅片行业景气周期与宏观经济环境、下游需求状况以及自身产能库存等因素密切相关。例如,2009 年,受经济危机的影响,全球半导体硅片市场规模急剧下滑,硅片出货量下降;2010 至 2013 年,半导体硅片市场随全球经济逐渐复苏而反弹;2014 年至今,受益于通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子等应用领域需求带动以及人工智能、物联网等新兴产业的崛起,全球半导体硅片出货量呈现上升趋势。
    (3)半导体硅片行业的季节性
    半导体硅片行业的生产和销售受季节影响较小,行业的季节性特征不明显。
    (4)半导体硅片行业的区域性半导体硅片行业区域性特征体现为国内半导体硅片企业相对集中地分布于
    长三角、环渤海等地区。
    9、半导体硅片行业与上下游行业的关系
    半导体硅片的产业链上游是多晶硅制造业,电子级多晶硅是制造半导体硅片所需的重要原材料,上游行业对于半导体硅片企业的影响主要表现在原材料的价格上,原材料价格变化会影响半导体硅材料生产企业的生产成本和销售毛利。
    半导体硅片的产业链下游主要是集成电路与分立器件制造业,绝大部分的集成电路与分立器件以半导体硅片为基础进行制造,集成电路与分立器件市场的景气程度直接影响半导体硅片的市场需求,而通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等终端应用领域的迅速发展为其上游的集成电路与分立器件制造业提供了广阔的市场空间。
    10、产品进口国市场情况
    (1)产品进口国有关进口政策、贸易摩擦对产品进口的影响
    公司出口的半导体硅片产品主要发往马来西亚、日本、美国、中国香港、中国台湾等国家和地区(境外客户或其关联企业所在地)。2018 年 9 月 17 日,美国宣布对从中国进口的价值约 2000 亿美元的商品加征额外关税,征税商品范围包括半导体硅片。额外关税自 2018 年 9 月 24 日起征,税率为 10%;2019 年 5
    月 10 日,税率上调至 25%。报告期各期,公司直接销往美国的硅片数量占公司
    硅片总销量的比例低于 1%,该等情况对公司半导体硅片业务影响较小。除此以外,报告期初至今,上述国家和地区未制定过其他不利于相关产品进口的政策,亦未与我国发生过相关产品进出口方面的贸易摩擦。
    (2)产品进口国同类产品的竞争格局情况
    具体情况可详见本节“二、(二)、2、(1)全球市场情况”部分相关内容。
    (三)半导体分立器件行业基本情况
    1、半导体分立器件行业现状及发展前景
    (1)半导体分立器件简介
    分立器件是指具有单一功能的电路基本元件,如二极管、晶体管、电阻、
    电容、电感等,主要实现电能的处理与变换,是半导体市场重要的细分领域。
    根据功能用途,可以将能够进行功率处理的半导体器件定义为功率半导体器件(Power Semiconductor Device),又称电力电子器件(Power Electronic Device)。
    典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是弱电控制与强电运行间的桥梁。除保证设备正常运行以外,功率半导体器件还起到有效的节能作用。典型的功率半导体器件包括二极管(普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等)、晶体管(双极结型晶体管、电力晶体管、MOSFET、IGBT 等)、晶闸管(普通晶闸管、IGCT、门极可关断晶闸管等)。
    作为分立器件最重要和最广泛的应用领域,功率半导体器件在大功率、大电流、高反压、高频、高速、高灵敏度等特殊应用场合具有显著性能优势,因此可替代性较低。功率半导体器件目前几乎应用于所有的电子制造业,如通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等领域,应用范围广阔。半导体分立器件行业处于产业链的中游,其产品被广泛应用于各终端领域。半导体分立器件在半导体(硅基)产业链中的位置如下图所示(虚线方框部分):
    从具体制造流程上来看,可以进一步将半导体分立器件划分为芯片设计、芯片制造、封装测试等环节。
    芯片设计是指通过系统设计和电路设计,将设定的芯片规格形成设计版图的过程。在对芯片进行寄存器级的逻辑设计和晶体管级的物理设计后,设计出不同
   规格和效能的芯片。
    芯片制造是指在制备的硅片材料上构建完整物理电路的过程,具体包括外延、光刻、蚀刻、离子注入、扩散等核心工艺。
    封装测试是指将生产出来的合格芯片进行切割、焊线、塑封等加工工序,使芯片电路与外部器件实现电气连接,并且为芯片提供机械物理保护,以及对封装完毕的芯片进行功能和性能测试的过程。
    (2)全球半导体分立器件市场现状及前景近年来,全球分立器件市场销售规模基本保持稳定。根据 WSTS 统计,2018年全球半导体分立器件销售额达 241.02 亿美元,同比增长 11.3%;2019 年为
    238.81 亿美元,同比下降 0.92%。根据 WSTS 预测,全球半导体分立器件市场规
    模将在 2020 年至 2021 年基本保持稳定。
    资料来源:WSTS,2020.06
    (3)我国半导体分立器件市场现状及前景
    受益于国家产业政策对新兴产业的大力支持和对传统行业的升级改造,我国半导体分立器件行业的市场规模稳步增长,销售收入占全球比重逐年上升。根据中国半导体行业协会统计,2018 年中国半导体分立器件(该分类还包含光电器件、传感器)的销售收入为 2716 亿元,同比增长 9.79%。
    数据来源:中国半导体行业协会,2019.08。中国半导体行业协会对“半导体分立器件”的定义范围较广,上图半导体分立器件的数据统计范围涵盖了除集成电路以外的所有部分,包括国际上通常定义的分立器件、光电器件、传感器。
    2、半导体分立器件行业竞争格局
    (1)全球市场情况全球来看,美国和欧洲半导体分立器件行业目前居于全球领先地位,随后是日本和中国台湾,各地区半导体分立器件行业代表厂商和主要市场状况如下:
    地区 全球地位 代表企业 主要市场
    美国 领先;厂商众多
    德州仪器公司、安森美半导体公司、威世半导体公司
    美国、亚太地区欧洲 领先;产品线齐全
    英飞凌科技公司、恩智浦半导体公司、意法半导体公司
    亚太地区、欧洲
    日本 一流;略落后于欧美
    东芝公司、瑞萨电子公司、罗姆半导体集团、富士电机控股公司日本中国台湾中等;近年发展较快
    富鼎先进电子股份有限公司、茂达电子股份有限公司、崇贸科技股份有限公司、强茂股份有限公司中国
    (2)我国市场情况
    相较于国际半导体分立器件行业,我国半导体分立器件行业起步较晚,主要通过国外引进及国内企业自主创新,逐步提升行业的国产化程度,满足日益增长的下游需求。虽然在国内企业的不断努力下,我国半导体分立器件制造行业取得了很大的发展,但在高端半导体分立器件芯片的设计和制造方面,目前与全球领先水平尚存在差距。
    目前,国内的半导体分立器件企业大致可分为三个梯队,具体构成情况及特征如下:
    市场地位 构成企业 特征
    第一梯队
    国际大型半导体公司,如意法半导体公司、恩智浦半导体公司等在中国市场有较强的竞争优势
    第二梯队少数突破了半导体分立器件芯片技术瓶颈的国内企业,如士兰微、华微电子、立昂微电、扬杰科技等研发设计制造能力较强,品牌知名度较高,利润空间较高
    第三梯队 大量的半导体分立器件封装企业
    缺乏芯片设计制造能力,利润空间低,竞争激烈综上,发行人半导体分立器件业务的市场竞争较为充分。
    国内半导体分立器件行业主要 A 股上市公司的资产规模、销售规模、经营状况及研发水平等方面的情况如下表所示:
    行业类别 上市公司[
    注]
    上市代码 总资产(万元) 营业收入(万元)归属母公司股东
    的净利润(万元)半导体分立器件
    华微电子 600360.SH 575163.11 165648.56 6499.64
    士兰微 600460.SH 891326.02 311057.38 1453.20
    扬杰科技 300373.SZ 352872.52 200707.50 22515.29
    苏州固锝 002079.SZ 224380.10 198055.33 9645.41
    [注]:上述数据来源于各公司 2019 年年度报告。
    上述公司的研发水平如下:
    行业类别 上市公司[
    注]
    上市代码 研发水平半导体分立器件
    华微电子 600360.SH 2019年,研发投入10503.23万元,占营业收入的6.34%。
    士兰微 600460.SH
    2019年,研发投入42589.48万元,占营业收入的13.69%;
    国家规划布局内重点软件和集成电路设计企业;累计拥有发明专利416项。
    扬杰科技 300373.SZ
    2019年,研发投入9968.82万元,占营业收入的4.97%;
    中国半导体功率器件十强企业;2019年新增发明专利4项。
    苏州固锝 002079.SZ
    2019年,研发投入8110.01万元,占营业收入的4..09%;
    中国半导体功率器件十强企业、中国电子行业半导体十大知名企业、中国电子信息行业创新能力50强企业、江苏省高新技术企业。
    [注]:上述资料来源于各公司 2019 年年度报告
    3、半导体分立器件行业壁垒
    (1)技术壁垒
    半导体分立器件的研发生产过程涉及量子力学、微电子、半导体物理、材料学等诸多学科,需要综合掌握外延、微细加工、封装等多领域技术工艺,并加以整合集成,属于技术密集型行业。随着通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子等下游领域快速发展以及人工智能、物联网等新兴产业的崛起,对半导体分立器件的性能要求越来越高,这对芯片设计、制造和封装等环节的技术工艺都提出更高要求。后进企业面临较高技术壁垒,同时大量缺
    乏核心技术的生产厂商将逐步被市场淘汰。
    (2)资金壁垒
    半导体分立器件行业涉及芯片设计、芯片制造、封装测试等环节,其中外延、光刻、蚀刻、离子注入、扩散等主要生产工序所必须的高技术生产加工和测试设备仍主要依赖于进口,价格昂贵。在技术研发、人力资源、环境保护等方面,企业也需要大量资金投入。此外,作为电子信息产业的基础元器件,半导体分立器件具有应用领域广、用量大等特点,来自不同终端应用领域的客户群体对其品种、规格、性能有着多元化需求,因此芯片生产厂商需要具备相当的规模化供应能力。
    综上,后进企业需具备较强的资金实力。
    (3)客户认证壁垒
    鉴于半导体分立器件芯片的高精密性和高技术性,芯片生产厂商除需要通过业内权威的质量管理体系认证以外,还需要经过下游终端领域客户长期的采购认证程序。为确保产品质量的稳定性,下游终端领域客户通常将器件供应商(封装测试厂商)连同芯片制造厂商一并进行认证,设有严格的认证标准和程序。一旦通过认证,芯片厂商与下游客户可以建立起较为稳定的合作关系,后进企业面临较高的客户认证壁垒。
    4、半导体分立器件行业市场供求状况及变动原因
    半导体分立器件是半导体产业中的重要组成部分,其需求状况主要取决于产业链下游终端市场的拉动,供给主要受行业市场需求和生产能力的影响。
    (1)行业需求情况近年来,受益于下游终端应用领域的快速发展,我国半导体分立器件行业的市场规模稳步增长。通信、计算机、消费电子等产业是半导体分立器件的传统应用领域。汽车产业是目前发展最快的半导体分立器件应用领域,随着汽车产业由传统内燃机汽车向新能源汽车加速转换,半导体分立器件具有广阔的需求增长空间。在车体电控装置和车载电控装置等传统应用场景方面,单台新能源汽车的分立器件需求量远高于单台传统内燃机汽车,同时作为直流交流转换的基础元件,半导体分立器件也是新能源汽车直流充电桩的核心器件。新能源产业是未来半导体分立器件具有较大增长潜力的领域,随着以太阳能、风能、核能等为代表的清洁能源对传统能源的替代趋势愈加明显,光伏产业、智能电网等领域的快速发展,
    为半导体分立器件行业提供了广阔的发展空间。此外,人工智能、物联网、医疗电子等终端应用领域也逐渐成为半导体分立器件的重要增长点。根据 IC Mtia 统
    计,2010 年至 2018 年,我国半导体分立器件销售收入从 1135.4 亿元增长至
    2716.0 亿元,复合增长率 11.52%。根据国家统计局数据,2006 年至 2018 年,我国半导体分立器件出口数量从 2093.08 亿只增长至 5952.64 亿只,复合增长率
    8.88%;出口金额从 51.01 亿美元增长至 265.43 亿美元,复合增长率 14.74%。
    (2)行业供给情况半导体分立器件行业供给主要受到行业下游需求和产业转移等因素的影响。
    近年来,半导体分立器件行业下游需求旺盛,同时全球半导体分立器件产能逐步向我国转移。受此影响,我国半导体分立器件行业产能持续扩张,行业销售收入和出口规模持续增长。我国半导体分立器件行业供给情况可详见本节“二、(三)、
    2、(2)我国市场情况”部分相关内容。
    5、半导体分立器件行业利润水平的变动趋势及变动原因
    (1)经济周期的影响
    半导体分立器件行业利润水平主要受终端应用产业的景气周期性影响,会出
    现一定波动。2009 年受国际金融危机影响,半导体分立器件下游终端应用领域
    景气程度下降,半导体分立器件行业利润水平明显降低。随后,受益于国际半导体产业转移,以及下游领域需求的拉动,半导体分立器件价格出现比较明显的趋势性上涨,行业利润水平随行业景气回暖逐步回升。
    (2)生产模式的影响
    2009 年经济危机后,半导体分立器件行业整体对低迷行情及时作出反应,
    2010 年以来,半导体产业从宽产品线的生产模式逐步转向专业化分工,有效地
    避免产能过剩,半导体分立器件行业整体利润水平在一定程度上保持稳定。
    6、影响半导体分立器件行业发展的有利和不利因素
    (1)有利因素
    ①国家产业政策支持半导体分立器件行业属于国家重点鼓励、支持发展的行业。《国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要》提出,深入实施《中国制造 2025》,支持核心基础零部件(元器件)、先进基础工艺、关键基础材料和产业技术基础等工业基础
    能力的发展,着力解决制约重点产业发展的瓶颈问题。电力电子功率器件等新型元器件也被列入《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》。国家产业政策的支持为行业快速发展营造了良好的政策环境。
    ②市场需求不断增长近年来,随着我国通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子等相关终端领域的快速发展以及人工智能、物联网等新兴产业的崛起,极大地促进了对半导体分立器件的市场需求,为半导体分立器件行业的发展提供了有力支撑。
    ③产业集群效应明显
    随着包括上海、江苏和浙江在内的长江三角洲地区投资环境的不断完善,国内外电子信息制造业正在向该地区集中,进而带动该地区对各类电子元器件采购的迅速增长。长三角地区电子信息相关产业的集群效应不断显现,有利于我国半导体分立器件的规模化、集约化发展,也有利于地区内企业的做大做强。
    (2)不利因素
    ①缺乏核心技术
    核心技术的缺失仍是制约我国分立器件生产企业的主要瓶颈。目前,国内企业的产品主要集中在中低端领域,缺乏市场急需的高附加值产品的生产技术与工艺,如微米、亚微米线条加工技术等。因此我国半导体分立器件厂商的利润空间受到压缩,对行业的持续健康发展不利。在市场比重更大、成长速度更快的
    MOSFET、IGBT 等高端产品领域,我国大陆厂商仍与国外厂商有较大的技术差距,该部分产品仍然主要由美国、欧洲和日本的企业所主导。
    ②缺乏市场主导地位
    我国已经成为全球最大的半导体分立器件市场,但国际领先半导体公司仍占据我国半导体分立器件市场的主导地位,欧美发达国家企业凭借着产品质量和技术优势,牢牢占据我国半导体分立器件市场竞争中的第一梯队。相较而言,我国半导体企业技术水平相对落后,优势产品种类相对单一,和国际领先半导体公司在高端半导体分立器件市场上的竞争能力尚存在一定差距,因而在我国市场难以取得主导地位。
    7、半导体分立器件行业技术水平及技术特点
    半导体分立器件的技术涉及电气工程中的多种领域,随着终端产品的整体技术水平要求越来越高,功率半导体分立器件技术也在市场的推动下不断发展,计算机辅助设计、离子注入、溅射、多层金属化、亚微米光刻等先进工艺技术已应用到半导体分立器件生产流程,行业内产品的技术含量日益提高,制造难度也相应增大。目前,日本和美国等发达国家的半导体分立器件领域,很多 MOSFET、
    IGBT 产品已采用超大规模集成电路的微细加工工艺进行制作,生产线已大量采
    用 8 英寸、0.18 微米工艺技术,极大地提高了半导体分立器件产品的性能。同时,现代半导体分立器件正向大功率、易驱动和高频化方向发展,晶闸管、MOSFET和 IGBT 在其各自领域实现技术和性能的不断突破,新型产品如 IGCT、碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体分立器件陆续研发成功,并开始产业化应用,且应用领域也有所拓展,延伸至能源技术、激光技术等前沿领域。
    就国内而言,目前半导体分立器件产业仍具有规模小、技术低、产业集中度不高的特点,自主研发能力薄弱、技术水平相对落后,产品主要集中在低端领域。
    但由于半导体分立器件生产线更新周期较长、技术上不追求先进制程,存在利用资本优势快速赶超国际先进水平的可能,例如通过自主研发和海外并购结合的方式,实现对国际领先半导体企业的追赶。
    8、半导体分立器件行业经营模式、周期性、季节性和区域性特征
    (1)半导体分立器件行业的经营模式
    根据专业化分工和经营模式的不同,半导体器件企业可以分为集成器件制造模式和垂直分工模式。集成器件制造(Integrated Device Manufacture,IDM)是指通过产业链的延伸与上下游整合,利用内部整合优势与技术研发优势来统一设计、开发、制造并销售市场所需产品的经营模式。垂直分工是指随着专业化分工的深入形成的各厂商分工合作的经营模式,具体包括芯片设计公司(Fabless)、专门从事芯片制造的晶圆代工厂(Foundry)以及封装测试厂商(Package&Test)。
    (2)半导体分立器件行业的周期性
    半导体分立器件行业受宏观经济影响存在一定周期性,但由于其产业成熟度相对较高,且下游应用领域广泛、受单一行业需求变动影响有限,因此行业周期性相对并不明显。2008 年三季度以来,受全球金融危机迅速波及实体经济的影响,国内市场对半导体下游产品的需求有所萎缩,我国半导体分立器件行业的增速回落。2010 年以来,随着国内宏观经济的回暖以及一系列促消费保增长政策效应的显现,下游终端市场的需求回升,半导体分立器件市场呈现稳定的发展态势。目前,新能源汽车、人工智能、物联网等终端应用领域为分立器件市场需求提供了新的增长点。
    (3)半导体分立器件行业的季节性
    半导体分立器件的下游应用市场广阔,不具有显著的季节性特征。总体来看,每年下半年的销售额要略高于上半年,这主要是由于每年第四季度为消费电子产品的销售旺季,而消费电子产品是半导体分立器件的下游主要应用领域之一。
    (4)半导体分立器件行业的区域性
    国内半导体分立器件生产商主要集中在经济较发达、工业基础配套完善的电子信息产业集聚地区。经过多年发展,我国已初步形成三大电子信息产业集聚带,分别是以上海为中心的长三角地区,以广州、深圳为龙头的珠三角地区以及以北京、天津为轴线的环渤海地区。
    9、半导体分立器件行业与上下游行业的关系
    半导体分立器件上游产业为半导体硅材料制造业,半导体硅材料的技术能力、供应情况和价格水平直接对其下游分立器件行业产生影响。
    半导体分立器件下游应用广泛,传统应用领域包括通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子等行业。伴随着分立器件芯片制造、器件封装等新技术、新工艺的发展,目前新能源汽车、人工智能、物联网等终端应用领域逐渐成长为半导体分立器件的重要增长点。
    10、产品进口国市场情况
    (1)产品进口国有关进口政策、贸易摩擦对产品进口的影响
    公司出口的半导体分立器件产品主要发往新加坡、马来西亚、中国香港、中国台湾等国家和地区(即境外客户或其子公司所在地)。报告期初至今,上述国家和地区未制定过不利于相关产品进口的政策,亦未与我国发生过相关产品进出
   口方面的贸易摩擦。
    (2)产品进口国同类产品的竞争格局情况
    具体情况可详见本节“二、(三)、2、(1)全球市场情况”部分相关内容。
    三、发行人在行业中的竞争地位
    (一)半导体硅片行业竞争格局及发行人所处地位
    1、发行人在行业中的竞争地位
    发行人控股子公司浙江金瑞泓长期致力于技术含量高、附加值高的半导体硅片的研发与生产,具有硅单晶锭、硅研磨片、硅抛光片、硅外延片的完整工艺和生产能力。2004 年,公司 6 英寸半导体硅抛光片和硅外延片开始批量生产并销售,成为国内较早进行 6 英寸硅片量产的企业;2009 年,公司 8 英寸半导体硅外延片开始批量生产并销售,实现我国 8 英寸硅片正片供应的突破;通过承担十
    一五国家 02 专项,公司具备了全系列 8 英寸硅单晶锭、硅抛光片和硅外延片大
    批量生产制造的能力,并开发了 12 英寸单晶生长核心技术,以及硅片倒角、磨片、抛光、外延等一系列关键技术,上述 8 英寸半导体硅片的大规模产业化和
    12 英寸半导体硅片相关技术已于 2017 年 5 月通过国家 02 专项正式验收,标志着浙江金瑞泓已走在我国大尺寸半导体硅片生产工艺研发的前列。
    浙江金瑞泓所生产的半导体硅片产品广泛应用于集成电路、半导体分立器件等领域,浙江金瑞泓已经成为 ONSEMI、AOS、日本东芝公司、台湾汉磊等国际知名跨国公司以及中芯国际、华虹宏力、华润微电子等国内知名企业的重要供应商。
    根据中国半导体行业协会的统计,报告期内浙江金瑞泓在 2015 年至 2017 年中国半导体材料十强企业评选中均位列第一名。作为国内主要的半导体硅片生产
    厂商之一,公司在国内半导体硅片行业具有较高的行业地位及较强的行业影响力,具备一定的竞争优势。
    2、主要竞争对手的情况目前,中国大陆和中国台湾与公司半导体硅片业务存在竞争关系的主要公司具体情况如下:
    公司名称 成立年份 地区 简要情况
    有研半导体 2001 中国大陆
    国内主要的半导体硅材料生产厂商之一,主要产品为
    6-8 英寸硅单晶锭及硅抛光片、3-6 英寸区熔硅单晶
    锭、大尺寸硅单晶锭及切片环片等。
    中环股份 1988 中国大陆
    深圳中小板上市企业,证券代码 002129,国内主要的半导体硅材料生产厂商之一,主要产品为 3-8 英寸区熔硅单晶、直拉硅单晶、区熔硅片、硅抛光片等。
    南京国盛 2003 中国大陆
    国内主要的半导体硅材料生产厂商之一,主要产品为
    4-8 英寸硅外延片。
    上海新傲 2001 中国大陆
    国内主要的 SOI 和硅外延片生产厂商之一,主要产品
    为 4-8 英寸 SOI 晶片、SOI 外延片、硅外延片等。
    合晶 1997 中国台湾
    台湾上市公司,主要产品为 4-8 英寸硅抛光片、硅外延片等。
    嘉晶 1998 中国台湾
    台湾上市公司,主要产品为 4-8 英寸硅外延片、碳化硅、氮化镓外延片等。
    (二)半导体分立器件行业竞争格局及发行人所处地位
    1、发行人在行业中的竞争地位
    经过多年发展,公司已拥有完整的肖特基二极管芯片生产线,产品以中高端
    肖特基二极管芯片为主,在生产技术、产品质量、成本控制等方面具有较强竞争优势,长期以来公司一直是 ONSEMI 的合作伙伴,公司的肖特基二极管芯片产品广泛应用于各类电源管理领域。近年来,公司积极进行产业链的延伸和新产品、新技术的研发工作,2013 年,公司成功引进日本三洋半导体 5 英寸 MOSFET 芯片生产线及工艺技术;2015 年,公司收购浙江金瑞泓后横跨半导体分立器件和半导体硅片两大细分行业,成为国内颇具竞争力的半导体产业平台之一;2016年,公司顺利通过了国际一流汽车电子客户博世(Bosch)和大陆集团
    (Continental)的体系认证,成为国内少数获得车载电源开关资格认证的肖特基
    二极管芯片供应商;2017 年,公司以委外加工模式将产品线拓展延伸至半导体
    分立器件成品,从而实现对半导体分立器件生产流程的完整布局。
    根据中国半导体行业协会的统计,公司在 2017 年中国半导体功率器件十强企业评选中位列第八名。作为国内重要的分立器件生产厂商,公司在国内半导体分立器件行业具有较高的行业地位及较强的行业影响力,具备一定的竞争优势。
    2、主要竞争对手的情况目前,中国大陆和中国台湾与公司半导体分立器件芯片及成品业务存在竞争关系的主要公司有:
    公司名称 成立年份 地区 简要情况
    华微电子 1999 中国大陆
    上海主板上市企业,证券代码 600360,国内主要的半导体分立器件生产企业之一,主要产品为双极型晶体管、
    MOSFET、肖特基二极管、快恢复二极管等。
    士兰微 1997 中国大陆
    上海主板上市企业,证券代码 600460,国内主要的综合型半导体企业之一,主要产品包括集成电路、半导体分立器件、发光二极管等三大类,其中半导体分立器件芯片及成品包括瞬态电压抑制二极管、MOSFET、肖特基二极管、
    快恢复二极管等。
    扬杰科技 2006 中国大陆
    深圳创业板上市企业,证券代码 300373,国内主要的功率半导体芯片及器件生产企业之一,主要产品为各类功率器件芯片、二极管、整流桥、大功率模块等。
    强茂 1986 中国台湾
    台湾上市公司,证券代码 2481,主要产品为整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分立器件产品。
    (三)发行人的竞争优势和竞争劣势
    1、竞争优势
    (1)技术与研发优势
    ①专业的技术研发团队
    公司拥有一支高度专业化的技术团队,主要研发人员具有在国内外知名半导体企业担任重要技术岗位的从业背景,具有较强的自主研发和创新能力,目前公司拥有多项具有自主知识产权的发明专利。截至 2020 年 3 月末,公司拥有研发与技术人员超过 300 人,其中 1 人获国务院政府特殊津贴专家荣誉。
    ②承担多项重大科研项目
    公司先后承担并成功完成了科技部国家 863 计划、国家火炬计划、国家发改委高技术产业化示范工程、信息产业技术进步与产业升级专项、工信部电子信息产业发展基金、集成电路产业研发专项资金等国家重大科研项目。公司还牵头承担了国家 02 专项的“200mm 硅片研发与产业化及 300mm 硅片关键技术研究项目”,并于 2017 年 5 月通过国家正式验收。目前,公司是经浙江省经济和信息化委员会认定的省级重点企业研究院单位,子公司浙江金瑞泓是经浙江省科学技术厅、浙江省发展和改革委员会、浙江省经济和信息化厅联合认定的省级企业研究院,市级院士工作站,也是经科技部、国务院国资委和中华全国总工会联合认定的国家创新型试点企业。公司目前已成为行业内产、学、研、用一体化的半导体产业平台。
    ③荣获各类行业奖项
    2020 年 1 月,浙江金瑞泓凭借“微量掺锗直拉硅单晶”荣获国务院设立的
    国家科学技术奖五大奖项之一的“国家技术发明奖二等奖”。2016 年 3 月,浙江金瑞泓凭借“微量掺锗直拉硅单晶”荣获浙江省人民政府颁发的 2015 年浙江省技术发明一等奖。2014 年 1 月,浙江金瑞泓凭借“重掺磷直拉硅单晶的制备技术及应用”荣获中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会、中国电子报社共同评选出的第八届中国半导体创新产品和技术奖。
    2015 年至 2017 年,在中国半导体行业协会举办的中国半导体材料十强企业评选中,浙江金瑞泓均位列第一名;在中国半导体行业协会举办的 2017 年中国半导体功率器件十强企业评选中,立昂微电位列第八名。
    总体上,与国内同行业企业相比,公司拥有较为显著的技术与研发优势。公司技术与研发优势具体体现在研发、生产、销售等环节。在研发方面,公司较强的技术储备和丰富的研发经验为公司研发提供了坚实的基础,确保自主研发的连续性、稳定性与有效性。在生产方面,公司产品具有较高的技术附加值,产品质量水平、稳定性及良品率得到有效保障。在销售方面,公司已经在客户群中形成良好口碑,公司面向客户具有较强的议价能力。
    公司自成立以来,一直将技术创新作为重要的发展战略,建立了较为完善的技术创新机制。公司在多年积累的研发管理经验的基础上,已经形成了一套系统的自主研发管理标准,建立了包含市场需求分析、研发立项管理、实施与检查等多环节在内的研发流程体系。报告期内,公司每年用于技术研发的费用占当年营业收入比例分别达到 5.63%、7.08%、8.14%和 7.31%。未来,公司的研究方向主要为“大尺寸半导体硅片”、“肖特基二极管芯片”、“MOSFET 芯片”、“射频集成电路芯片”等领域,以期在原有技术积累的基础上实现突破,优化产品结构,提高产品质量,增强公司盈利能力。
    (2)行业先发优势和规模优势
    公司成立于 21 世纪初,是我国较早从事半导体硅片和半导体分立器件芯片研发、生产和销售的企业。多年来,公司一直专注于主营业务的开拓与发展,逐渐成为国内细分行业的领先企业,与国内同行业企业相比,在技术积累、经营管理、客户维系与开发等诸多方面,具有一定的先发优势,公司目前是主要的本土硅片生产企业之一。同时,本次发行募集资金投资项目“年产 120 万片集成电路
    用 8 英寸硅片项目”投产后,将进一步巩固公司产销规模和产品档次在国内同行
  业中的优势地位。
    公司行业先发优势与规模优势主要体现在研发、生产等环节。在研发方面,作为国内较早从事半导体硅片和半导体分立器件业务的企业,公司已经积累了一定的技术储备和丰富的研发经验。在生产方面,公司具有较高的产品档次和产销规模,公司生产具有一定的规模经济效应。
    未来,随着公司募集资金投资项目及其他建设项目的逐步实施,公司产销规模将进一步扩大,同时产品结构得以优化,公司市场地位及竞争能力得以提升,有利于公司进一步巩固和加强先发优势和规模优势。
    (3)一体化优势立昂微电作为横跨半导体硅片和半导体分立器件两个行业的半导体制造企业,涵盖了包括硅单晶锭拉制、硅抛光片、硅外延片、分立器件芯片及分立器件成品等半导体行业上下游多个生产环节,形成了一条相对完整的半导体产业链。
    这有利于发挥产业链上下游整合的优势,即充分利用子公司浙江金瑞泓半导体硅片的制造优势,贯通半导体硅片与分立器件芯片的上下游产业链,使公司能够从原材料端就开始进行质量控制与工艺优化,缩短研发验证周期,保障研发设计弹性,在保证盈利水平的同时抵御短期供需冲击。这具体表现在以下三方面:
    ①有利于保证公司产品的优良品质。从硅材料生产与器件生产相结合的角度看,公司掌握半导体两个细分行业之间的业务衔接和技术衔接,一方面有利于从硅片行业的上游直接控制和保证下游的产品质量,即从单晶拉制的源头就可以控制、调整相关工艺和技术参数,以生产符合市场需要的硅抛光片、硅外延片以及分立器件芯片;另一方面也有利于根据下游产品的技术要求和工艺要求及时上溯
    调整、优化上游环节的生产工艺和技术参数,从而实现产业链上下游之间的双向、互动调节,保证了上下游产品的优良品质。
    ②缩短了新产品开发和市场推广的周期。公司上游产品直接供给下游生产使用,特别是新开发的产品可以在最短的时间内得到认证、使用,从而大大缩短上游新产品的开发、市场推广的时间;公司下游新产品的研制开发可对材料环节直接提出新的要求、进行技术改进,也可以大大缩短下游新产品的开发时间。这种优势在技术更新迅速的半导体产业中具有突出价值。
    ③有利于提高公司抗风险能力。通过产业链的合理延伸,可以实现公司主要
    产品所需主要原材料的供给内部化,降低生产成本,提高公司的盈利能力和抗风险能力;另外,公司通过产业链的合理延伸,可以在拓展企业生存空间、提高盈利水平的同时,有效平抑上下游生产环节之间的供求波动或结构失衡。
    公司一体化优势广泛体现在业务模式的各个环节。在研发方面,公司横跨半
    导体硅片和半导体分立器件两个细分领域,涵盖了包括硅单晶锭拉制、硅抛光片、硅外延片、分立器件芯片及分立器件成品等半导体行业上下游多个生产环节,形
    成了一条相对完整的半导体产业链。一方面,公司根据上下游市场整体需求情况
    进行针对性研发,并保持一定的前瞻性;另一方面,公司根据下游产品的技术工艺要求及时上溯调整,优化上游产品的研发方向和技术工艺要求。同时,上下游产品双向互动、反馈调节的研发机制可以缩短研发周期,提高时效性。在采购方面,发行人掌握了上下游之间的业务衔接和技术衔接,从而可以从源头确保原材料的生产工艺和技术参数,确保上游产品对下游产品供应的稳定性,主要原材料的供给内部化有利于抵御原材料市场供求失衡所带来的冲击。在生产方面,发行人从原材料端就开始进行质量控制,有利于优化技术参数和生产工艺,提高上下游产品的质量稳定性。在销售方面,发行人涵盖包含半导体硅片与半导体分立器件产业链上多种产品的生产,具备为下游客户提供多元化产品和服务的能力。
    公司未来三年的经营目标是在保持现有半导体硅片业务和半导体分立器件
    业务的基础上,通过实现 8 英寸半导体硅片的扩产、12 英寸半导体硅片的产业化、以及砷化镓微波射频集成电路芯片的产业化,实现半导体硅片业务、半导体分立器件业务、集成电路芯片业务互为支撑的产业链布局,进一步优化公司的产品结构,逐步形成新的利润增长点,提升公司的行业地位与核心竞争力。随着公司各项具体业务发展计划的开展和经营目标的实现,公司将实现更大范围的生产要素整合和优势互补,有利于一体化优势的进一步巩固和加强。
    (4)质量与客户优势
    公司自设立以来,始终坚持高品质标准,在技术上满足半导体行业高端客户的要求。为此,公司成立伊始就建立了严格的质量保证体系,先后通过
    ISO9001:2015、IATF16949:2016、ISO14001:2015 等体系认证。目前,公司能够
    分别按国际 SEMI 标准、中国国家标准、销售目的地国家标准及客户特定要求控制产品质量。在严格和高标准的品质保证之下,公司已经成为部分国际知名跨国
    公司的稳定供应商,并通过了其对产品质量体系、产品工艺和产品质量的严格审核和认证。同时,这些客户的严苛要求和新的需求也进一步推动了公司管理水平、质量控制水平的不断提高。
    半导体硅片行业及半导体分立器件行业的客户开发周期较长、供应商认证门槛较高,这主要是由于客户对产品的品质要求较高,一般需要长达半年以上的质量考察,才能确定是否选定为供应商。经过多年的努力,公司已开发出一批包括ONSEMI、AOS、日本东芝公司、台湾半导体、台湾汉磊等国际知名跨国公司,以及中芯国际、华虹宏力、华润微电子、士兰微等国内知名公司在内的稳定客户群,同时已顺利通过诸如博世(Bosch)、大陆集团(Continental)等国际一流汽车电子客户的 VDA6.3 审核认证。
    公司质量与客户优势主要体现在采购、生产、销售等环节。在采购方面,公司执行严格的质量控制体系,制定了严格的采购管理制度,从采购内容、供应商选择、采购计划编制和具体采购方式等方面对采购工作进行了规范,确保原材料符合质量要求。在生产方面,公司产品符合相关国家标准、行业标准、企业标准及特定客户要求,产品具有较高的质量水平、稳定性及良品率,能够满足客户对不同产品的特定要求。在销售方面,在严格和高标准的质量控制之下,公司通过了国内外高端客户对公司产品质量体系、产品工艺和产品质量的严格审核和认证。半导体硅片行业及半导体分立器件行业的客户开发周期较长、供应商认证门槛较高,客户在完成对供应商的考察和认证后,通常会与之建立较为稳定的合作关系。
    未来,公司将通过实施重点客户销售策略、强化销售团队建设、建立完善市场信息搜集分析机制等方式进一步进行市场拓展。
    综上,发行人核心竞争优势具体包括技术与研发优势、行业先发优势与规模
    优势、一体化优势、质量与客户优势等方面,上述竞争优势广泛体现在发行人业
    务模式的各个环节,发行人具有一定的市场竞争力。
    2、竞争劣势
    (1)半导体硅片业务国际竞争力有待提高半导体硅片大尺寸化是目前行业发展的主要趋势。国际先进半导体硅片生产企业自主开发了 12 英寸半导体硅片的生产技术,且正在积极研发 12 英寸以上的
   半导体硅片。目前,包括公司在内的国内企业尚不能形成大规模的 12 英寸半导体硅片产能,与国际先进水平存在一定的差距,国际竞争力有待提高。
    (2)融资渠道有限目前,公司业务发展的资金来源主要为自有资金积累和银行贷款,融资渠道较为有限,一定程度上对公司的业务拓展和生产规模扩大造成制约。
    四、发行人主营业务的具体情况
    (一)发行人的主要产品
    1、半导体硅片产品
    公司半导体硅片产品主要是硅抛光片、硅外延片,具体情况如下:
    产品名称 产品图片 用途
    4~8 英寸半导体硅抛光片(轻掺硼、轻掺磷)主要用于微处理器、存储芯片、数字芯片、电源管理芯片、指纹识别芯片等的制造。其
    中 8 英寸硅抛光片还应用于线宽 0.13/0.11 微米及更大线宽集成电路产品和器件的制造。
    4~8 英寸半导体硅抛光片(重掺砷、重掺磷、重掺锑、重掺硼)主要用作硅外延片的衬底,以及用于制造稳压(隧道击穿)二极管等器件。
    4~8 英寸半导体硅外延片
    主要用于分立器件以及集成电路的制造,可用于制备 MOSFET、双极型晶体管、IGBT、
    肖特基二极管、电荷藕合器件、CIS 等多种产品。
    2、半导体分立器件芯片产品
    公司半导体分立器件芯片产品主要是肖特基二极管芯片和 MOSFET 芯片,具体情况如下:
    产品名称 产品图片 用途
    6 英寸平面
    肖特基二极管芯片
    具有低正向、反向恢复时间短等特点,广泛应用于高频整流、检波和混频等电路,同时也应用于电源适配器和光伏系统中的保护电路。
    6 英寸沟槽
    肖特基二极管芯片
    平面肖特基二极管芯片的升级产品,正向导通电压和反向漏电等参数性能有一定提升,其主要应用领域与平面肖特基二极管芯片相同。
    6 英寸平面
    MOSFET芯片
    广泛应用于电机调速、逆变器、不间断电源、开关电源、电子开关、LED 驱动、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等领域。
    6 英寸沟槽
    MOSFET芯片
    沟槽 MOSFET 有效的降低了导通电阻,且具有较强的电流处理能力和较快的开关速度,在电动车、充电器、电焊机、锂电池保护等领域有广泛的应用。
    3、半导体分立器件成品
    公司半导体分立器件成品主要为肖特基二极管,具体情况如下:
    产品名称 产品图片 用途
    肖特基二极管对肖特基二极管芯片进行封装测试形成分
    立器件成品,从而实际应用于相应领域,具体应用领域与上述肖特基二极管芯片相同。
    4、发行人主要产品与竞争对手产品在质量、技术、效果、定价、市场份额、用户评价等方面的差异情况发行人主要产品包括半导体硅片(主要为 6 英寸、8 英寸的硅抛光片与硅外延片)、半导体分立器件(主要包括肖特基二极管芯片与 MOSFET 芯片,以及肖
    特基二极管成品)。
    从半导体硅片市场来看,根据中国半导体行业协会统计,目前中国大陆从事半导体硅片业务的企业有十余家,其中在中国大陆和中国台湾与公司半导体硅片业务存在竞争关系的主要公司具体情况如下:
    公司名称 成立年份 地区 简要情况
    有研半导体 2001 中国大陆
    国内主要的半导体硅材料生产厂商之一,主要产品为
    6-8 英寸硅单晶锭及硅抛光片、3-6 英寸区熔硅单晶
    锭、大尺寸硅单晶锭及切片环片等。
    中环股份 1988 中国大陆
    深圳中小板上市企业,证券代码 002129,国内主要的半导体硅材料生产厂商之一,主要产品为 3-8 英寸区熔硅单晶、直拉硅单晶、区熔硅片、硅抛光片等。
    南京国盛 2003 中国大陆
    国内主要的半导体硅材料生产厂商之一,主要产品为
    4-8 英寸硅外延片。
    上海新傲 2001 中国大陆
    国内主要的 SOI 和硅外延片生产厂商之一,主要产品
    为 4-8 英寸 SOI 晶片、SOI 外延片、硅外延片等。
    合晶 1997 中国台湾
    台湾上市公司,主要产品为 4-8 英寸硅抛光片、硅外延片等。
    嘉晶 1998 中国台湾
    台湾上市公司,主要产品为 4-8 英寸硅外延片、碳化硅、氮化镓外延片等。
    从半导体分立器件市场来看,在中国大陆和中国台湾与公司半导体分立器芯片及成品业务存在竞争关系的主要公司具体情况如下:
    公司名称 成立年份 地区 简要情况
    华微电子 1999 中国大陆
    上海主板上市企业,证券代码 600360,国内主要的半导体分立器件生产企业之一,主要产品为双极型晶体管、
    MOSFET、肖特基二极管、快恢复二极管等。
    士兰微 1997 中国大陆
    上海主板上市企业,证券代码 600460,国内主要的综合型半导体企业之一,主要产品包括集成电路、半导体分立器件、发光二极管等三大类,其中半导体分立器件芯片及成品包括瞬态电压抑制二极管、MOSFET、肖特基
    二极管、快恢复二极管等。
    扬杰科技 2006 中国大陆
    深圳创业板上市企业,证券代码 300373,国内主要的功率半导体芯片及器件生产企业之一,主要产品为各类功率器件芯片、二极管、整流桥、大功率模块等。
    强茂 1986 中国台湾
    台湾上市公司,证券代码 2481,主要产品为整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分立器件产品。
    发行人主要产品与竞争对手产品在质量、技术、效果、定价、市场份额、用户评价等方面的差异情况如下:
    (1)质量差异
    产品 公司 质量差异半导体硅片产品发行人
    通过 IATF16949、ISO14001、OHSAS18000 等多项体系认证,先后上线 ERP、MES、SPC、EAP 和 RMS 等多套行业先进管控系统,产品符合相关国家标准和行业标准,部分产品参数领先于国内同行业厂家,且接近国际一流大厂水平。
    有研半导体
    通过 ISO/TS16949、ISO14001 等体系认证,产品符合相关国家标准和行业标准。
    中环股份
    通过 ISO/TS16949 质量管理体系、ISO9001 质量管理体系、
    ISO14001 环境管理体系、OHSAS18001 职业健康安全管理体系等
    四大国际权威认证,产品符合相关国家标准和行业标准。
    南京国盛
    通过 ISO9000、TS16949 及 ISO14001 等体系认证,产品符合相关国家标准和行业标准。
    上海新傲
    通过 ISO9001:2000、ISO14001:2004、OHSAS18001:1999、ISO/TS 16949-第二版体系的认证,产品符合相关国家标准和行业标准。
    合晶 通过 ISO9001:2015 及 IATF16949:2016 质量保证体系认证;在
    环保、安全及卫生管理方面,通过环境管理系统(ISO14001)及职业安全卫生管理系统(OHSAS18001)的验证;产品符合相关国家标准和行业标准。
    嘉晶
    通过 IATF16949,ISO9001,ISO 14001 及 ISO 45001 等体系认证,产品符合相关国家标准和行业标准。
    半导体分立器件芯片产品发行人
    通过 IATF16949、ISO14001、OHSAS18000 等多项体系认证,先后上线 ERP、MES、SPC、EAP 和 RMS 等多套行业先进管控系统,产品符合相关国家标准和行业标准,部分产品参数领先于国内同行业厂家,且接近国际一流大厂水平。
    华微电子
    通过 ISO9001 质量体系认证,通过内部控制制度的执行有效性进行自我评估,通过决策、执行和监督全过程管控,产品符合相关国家标准和行业标准。
    士兰微
    通过 ISO/TS16949 质量管理体系、ISO9001 质量管理体系、ISO14001 环境管理体系、索尼 GP、欧盟 ROSH、ECO 等认证,产品品质优良,产品符合相关国家标准和行业标准。
    扬杰科技
    通过 ISO9001 质量管理体系、ISO14001 环境管理体系等认证,对供应商选择流程进行严格控制,并依据对最终产品性能影响的程度将原辅材料按重要性进行分级管理,产品符合相关国家标准和行业标准。
    强茂
    通过 ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001 等认证,产品符合相关国家标准和行业标准。
    (2)技术差异
    产品 公司 技术差异半导体硅片产品发行人
    具有从硅单晶、硅研磨片、硅抛光片和硅外延片制造的完整产业链,截至 2020 年 3 月 31 日拥有发明专利 58 项。
    有研半导体
    主要产品为 6-8 英寸硅单晶锭及硅抛光片、3-6 英寸区熔硅单晶锭、大尺寸硅单晶锭及切片环片等。
    中环股份具有从半导体材料到半导体器件的全套理化分析设备和检测分析体系,产品由公司独立开发和生产,形成了区熔单晶硅、直拉单晶硅、区熔硅片、直拉硅片等四大系列产品,截至 2019 年底,其累计拥有发明专利 116 项。
    南京国盛
    主要产品为 4-8 英寸硅外延片,拥有多项外延核心技术和专利,可提供 VDMOS 器件用外延、IGBT 用外延等高质量外延片。
    上海新傲
    国内主要的 SOI 和硅外延片生产厂商之一,主要产品为 4-8 英寸SOI 晶片、SOI 外延片、硅外延片等。
    合晶
    主要产品为 4-8 英寸硅抛光片、硅外延片等。拥有独立自主的研发能力,其外延用硅片的生产和检测技术处于国内领先。
    嘉晶
    主要产品为 4-8 英寸硅外延片、碳化硅、氮化镓外延片等。
    100-200mm 的外延硅片产品,依据不同的特性与需求,会使用
    Batch Type 与 Single Type 两种不同的生产方式与工艺条件。
    半导体分立器件芯片产品发行人作为目前国内肖特基产品的主要生产厂商。立昂微电研发设计制造能力较强,品牌知名度较高,提供的产品良率、长期稳定性高于市场平均水平。截至 2020 年 3 月 31 日拥有发明专利 58 项。
   华微电子
    国内技术较为领先、产品种类最为齐全的功率半导体器件 IDM 公司,涵盖产品设计、工艺制造、封装和 IPM 模块。
    士兰微
    作为国家规划布局内重点软件和集成电路设计企业之一,其主要分立器件产品为低压 MOSFET、超结 MOSFET、IGBT、IGBT 大功率模块(PIM)、快恢复管等产品,截至 2019 年底,其累计拥有发明专利 416 项。
    扬杰科技
    作为中国半导体功率器件十强企业之一,其技术研发中心包含 SiC
    JBS 研发团队、MOSFET 研发团队、晶圆设计研发团队、WB 封
    装研发团队、Clip 封装研发团队,汽车电子研发团队、技术服务中心等 7 大核心团队,形成了从晶圆设计研发到封装产品研发,从售前技术支持到售后技术服务的完备的研发及技术服务体系。
    2019 年,新增发明专利 4 项。
    强茂
    主要产品为整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分立器件产品,具有较强的独立技术研发能力。
    (3)效果差异
    产品 公司 效果差异半导体硅片产品发行人
    产品符合相关国家标准和行业标准,部分产品参数领先于国内同行业厂家,且接近国际一流大厂水平。
    有研半导体
    产品种类和规格较为齐全,在国内外市场具有一定的知名度和影响力。
    中环股份 特色产品为半导体区熔单晶,其硅片综合实力位于国内前列。
    南京国盛
    是专业的硅外延生产商,质量稳定,规模领先,为国内优秀的硅外延材料供应商之一。
    上海新傲
    在国内较早开展硅外延业务,是国内产品质量、技术水平较为优秀的外延片生产企业之一。
    合晶 拥有长晶至外延的完整研发能力,产品质量稳定。
    嘉晶
    我国台湾地区规模较大的外延厂家之一,在单片式厚层外延产品方面有独特的优势。
    半导体分立器件芯片产品
    发行人 在肖特基芯片产品的质量稳定性及良率上表现优异。
    华微电子 产品质量稳定,市场认可度较高。
    士兰微 产品种类多,质量稳定,综合实力较强。
    扬杰科技 大尺寸晶粒产品市场认可度较高。
    强茂 产品质量可靠,凭借多年来积累的口碑,客户认可度较高。
    (4)定价差异
    产品 公司 定价差异半导体硅片产品发行人首先,因全球前五大硅片供应商占据了约 92%的市场份额,公司产品定价策略以跟随国际市场行情为主;其次,公司是基于从单晶到外延片的全产业链模式,采用自产单晶及抛光衬底片形成的产品体系更完整,规格门类更齐全,质量稳定性更高,故定价方面会略高于其他几家竞争对手;在重掺系列的某些优势品种上,定价会超过全球前五大硅片供应商。
   有研半导体
    产品定价策略以跟随国际市场行情为主,硅抛光片产品定价受外延客户约束较多。
    中环股份
    产品定价策略以跟随国际市场行情为主,硅抛光片产品定价受外延客户约束较多。
    南京国盛
    产品定价策略以跟随国际市场行情为主,产品以外延片为主,定价相对较高。
    上海新傲 产品定价策略以跟随国际市场行情为主,定价相对较高。
    合晶产品定价策略以跟随国际市场行情为主;已建立基于从单晶到外
    延片的全产业链模式,定价相对较高。
    嘉晶
    产品定价策略以跟随国际市场行情为主,其产品以外延片为主,大尺寸外延片的定价较高。
    半导体分立器件芯片产品发行人
    公司在品质管控、新品研发、客户服务投入较大,相对成本较高,同时由于公司肖特基芯片产品品质优良,尤其在产品的长期稳定性、交付的及时性方面均优于同行竞争者,客户认可度较高。同时,公司部分专用的、特规的、大尺寸晶粒规格的肖特基芯片产品,在性能、品质、良率的上,具有较强的市场竞争力,因此公司肖特基芯片的市场定价较高。
    华微电子
    其芯片产品以 MOSFET 芯片、肖特基芯片和快恢复管为主,产品定价策略以跟随市场行情为主。
    士兰微
    其主要产品为分立器件成品,该公司的分立器件成品规格多,性能好,市场认可度较高,故定价相对较高,而其芯片产品相对占比较低,定价策略以跟随市场行情为主。
    扬杰科技
    产品定价策略以跟随市场行情为主,其在大尺寸晶粒方面的产品定价较高。
    强茂
    其主要产品为分立器件成品,且凭借多年来的品牌和质量客户的认可度较高,故定价较高。
    (5)市场份额及用户评价
    产品 公司 市场份额 用户评价
    发行人 约占全球份额的 1%拥有直拉硅单晶到抛光片和外延片
    的全产业链产品生产能力,规模大于国内同行,客户评价良好有研半导体 占全球市场份额小于 1%拥有直拉硅单晶到抛光片的生产能力,无外延片产能,客户评价良好中环股份 约占全球份额的 1%拥有直拉硅单晶到抛光片的生产能力,无外延片产能,客户评价良好南京国盛 占全球市场份额小于 1%
    外延片生产为主,无直拉硅单晶到抛光片的生产能力,客户评价良好上海新傲 占全球市场份额小于 1%
    外延片生产为主,无直拉硅单晶到抛光片的生产能力,客户评价良好合晶 约占全球份额的 2%拥有直拉硅单晶到抛光片和外延片
    的生产能力,客户评价良好嘉晶 约占全球份额的 1%
    外延片生产为主,不拥有直拉硅单晶到抛光片的生产能力,客户评价
    良好半导体分立器件芯片产品
    公司 占全球市场份额小于 1%
    以芯片销售为主,尤其是肖特基产品的规模较大,客户评价良好。
    华微电子 约占全球份额的 1% 以芯片销售为主,客户评价良好士兰微 占全球市场份额小于 1%
    以分立器件成品销售为主体,其中以 MOS 相关的产品为销售主体,客户评价良好
    扬杰科技 约占全球份额的 1%
    以分立器件成品为主,客户评价良好;分立器件芯片产品对外销售以
    GPP芯片为主,客户评价良好。
    强茂 占全球市场份额小于 1%
    以分立器件成品销售为主,客户评价良好。
    (6)公司产品是否存在被替代或淘汰的风险
    公司产品不存在被替代或淘汰的风险,主要原因如下:
    A、公司产品所处行业在可预见的未来不存在被替代或淘汰。
    在半导体硅片方面,半导体硅片行业处于产业链的上游,为半导体行业发展提供基础支撑,作为生产制造各类半导体产品的载体,半导体硅片是半导体行业最核心的基础产品;在半导体分立器件方面,半导体分立器件几乎应用于所有的电子制造业,如通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等领域,应用范围广阔。
    B、公司主要产品具有较高的行业地位及较强的行业影响力,具备一定的竞争优势。
    在半导体硅片方面,浙江金瑞泓在 2015-2017 年中国半导体材料十强企业评选中连续三年位列第一。在半导体分立器件方面,公司传统优势产品肖特基二极管芯片在业内也具有较强的市场竞争力,在 2017 年中国半导体功率器件十强企业评选中位列第八。
    C、公司主要产品的客户认可度较高。
    公司半导体硅片产品广泛应用于集成电路、半导体分立器件等领域,公司已经成为 ONSEMI、AOS、日本东芝公司、台湾汉磊、中芯国际、华虹宏力、华润微电子等国内外知名企业的重要供应商;公司半导体分立器件产品广泛应用于
    信、计算机、汽车产业、光伏产业、消费电子、人工智能、物联网等下游产业的功率处理领域,公司已经成为 ONSEMI、扬州虹扬、阳信长威等国内外知名企业及众多下游分立器件生产厂商与终端行业应用客户的供应商。
   综上,公司主要产品不存在被替代或淘汰的风险。
    (二)主要产品的工艺流程图
    1、半导体硅片产品工艺流程图
    公司半导体硅片产品主要为硅抛光片、硅外延片,其生产工艺流程如下:
    2、半导体分立器件芯片产品工艺流程图
    公司半导体分立器件芯片产品主要为肖特基二极管芯片和 MOSFET 芯片,
    肖特基二极管芯片分平面肖特基二极管芯片和沟槽肖特基二极管芯片,MOSFET
    芯片分平面 MOSFET 芯片和沟槽 MOSFET 芯片。其生产工艺流程分别如下:
    (1)肖特基二极管芯片生产工艺流程图
    ①平面肖特基二极管芯片
    [注]:“势垒金属层淀积”工序涉及镍铂合金靶材的使用,“正面金属层淀积”工序少部分芯片涉及金靶材的使用,上述生产环节留下的废旧靶材通过委外加工更新后可以进行多次使用。
    ②沟槽肖特基二极管芯片
    [注]:1、“势垒金属溅射”工序涉及镍铂合金靶材的使用,该生产环节留下的废旧靶材通过委外加工更新后可以进行多次使用。
    2、由于产能限制,发行人曾将 “激光打标”至“CT 去胶”部分工序进行委外加工,
    至 2018 年 5 月后该部分工序完全实现自主生产。
    (2)MOSFET 芯片生产工艺流程图
    ①平面 MOSFET 芯片
    ②沟槽 MOSFET 芯片
    3、半导体分立器件成品工艺流程图
    公司半导体分立器件成品主要为肖特基二极管,其生产工艺流程如下:
    [注]:半导体分立器件成品以委外加工模式进行生产。
    (三)主要经营模式
    1、采购模式
    根据产品特性与质量要求,并为了规范管理,控制质量和成本,公司制定了严格的采购管理制度,从采购内容、供应商选择、采购计划编制和具体采购方式等方面对采购工作进行了规范。
    根据公司的运营体系,公司采购部负责原辅材料的采购工作。采购内容主要包括直接原材料、辅助材料、关键物料、关键设备备件、大宗物品、日常消耗品等,根据物料价值与性质不同,适用于不同的采购审核程序。针对供应商的选择,公司在采购前会对供应商材料质量、性能、报价水平、交货期限、售后服务作出综合评价,以供选择和参考,经审批后列入合格供应商清单。除独家供应或总代理等特殊情况,各项原材料的供应商一般至少选择两家,其基本资料与交易情况记载于供应厂商资料卡存档备用。若后续前述供应商供应的材料未达到公司标准,采购部将启动开发新供应商。对于新供应商的开发,采购部负责填发供应商调查表或由生产管理部门和采购人员一同实地考察生产设备、工艺流程、生产能力、产品质量后填制供应商资料卡,审批后列为备选供应商。对于交货质量不足、无法按期交货或停止营业的供应商,由采购部说明原因,经生产管理部门复查核准后,对其供应商资格进行撤销。
    公司采购活动均严格按采购控制程序进行,在满足生产需要的情况下,减少物料库存,降低采购成本,使采购活动有计划地在受控状态下进行。生产总监负责提出采购总量计划、公司采购部据此编制具体采购计划,财务总监审核后报总经理批准。采购部根据原料使用状况、用量、采购频率、市场供需状况、交易习惯和价格稳定性等因素,选择合适的采购方式。公司的采购根据不同情况,还分为部门直接采购、常规采购、紧急采购等不同的采购方式。对于采购金额在 2000元以下,以及用量、费用不高的零星材料和行政办公用品等适用于部门直接采购,
    由请购部门直接与厂商议定采购价格与采购数量。常规采购是通用的采购模式,对于主要原辅材料,公司与供应商于每年年初进行协商,议定当年的交易价格、交易数量,其后如无特殊情况发生,公司将根据具体生产安排,向供应商发出订单,采购所需原辅材料。对于关键原材料供应商,公司会与其达成长期采购协议,以保证原材料采购数量和价格的相对稳定。紧急采购适用于紧急情况下的采购,在获批后免于进行对比询价、议价等环节,优先进行采购工作。
    2、生产模式
    (1)一般生产模式
    由于公司半导体硅片和半导体分立器件芯片两类产品的生产周期相对较长,因此,公司采取“订单+备货”的生产方式,即根据产品的销售订单,并结合产品的市场及客户需求情况来统筹安排生产计划。
    公司在接到客户订单后,按照客户提供的产品规格、质量要求和供货时间组织所需各规格产品的生产,同时对生产过程中的产品进行测试,严控次品率。公司设置生产计划部协调组织各部门的生产活动。
    公司现有半导体硅片生产线、肖特基二极管芯片生产线和 MOSFET 芯片生产线,各生产线承担不同的生产工序和生产任务。公司严格控制各生产环节的配合情况及衔接进度,在生产过程中严格执行质量、工艺及岗位操作等管理制度,保证订单产品的质量与交货期。
    (2)委外加工模式
    ①产品委外加工
    除半导体硅片产品和半导体分立器件芯片产品外,公司的半导体分立器件成品的生产主要采取委外加工模式,即根据客户需求委托具有相应资质的下游厂商对公司生产的分立器件芯片进行封装测试,制成半导体分立器件成品后,再由公司销售给客户。
    此外,公司的沟槽肖特基二极管芯片的生产,受部分工序的产能限制,报告期内曾将该部分工序委托其他单位进行加工。具体涉及工序可详见本节“四、
    (二)、2、(1)②沟槽肖特基二极管芯片”部分内容。2018 年 5 月起,该部分
    工序产能得到了提升,已不再外协。
    ②可循环使用的原材料委外加工
    金属靶材是制造半导体芯片的重要原材料,由于芯片制造过程仅会消耗靶材部分金属原料,因此,公司将生产过程留下的废旧靶材委托其他单位对上述消耗金属原料进行填补,然后进行二次或多次使用,从而提高生产效率。
    ③报告期各期发行人交易额 50 万以上的外协厂商委外加工情况具体如下:
    时间 序号 委外加工厂商名称 加工内容 加工数量 加工单位 加工金额(万元)
2020
    年 1-3月
    1 华羿微电子股份有限公司 分立器件成品加工 11.53 百万只 341.96
    2 天水华天电子集团股份有限公司 分立器件成品加工 5.00 百万只 148.28
    3 贵研铂业股份有限公司 金属靶材填补 26 块 84.93
    小 计 -- -- 575.17
    2019年度
    1 天水华天电子集团股份有限公司 分立器件成品加工 83.39 百万只 2808.01
    2 贵研铂业股份有限公司 金属靶材填补 100 块 373.97
    3 华羿微电子股份有限公司 分立器件成品加工 9.66 百万只 323.50
    4 山东芯诺电子科技股份有限公司 分立器件成品加工 3.38 百万只 106.85
    5 四川立泰电子有限公司 分立器件成品加工 2.50 百万只 78.79
    小 计 -- -- 3691.12
    2018年度
    1 天水华天电子集团股份有限公司 分立器件成品加工 86.03 百万只 3055.36
    2 贵研铂业股份有限公司 金属靶材填补 79 块 293.38
    3 四川立泰电子有限公司 分立器件成品加工 2.00 百万只 65.53
    4 山东芯诺电子科技股份有限公司 分立器件成品加工 1.61 百万只 52.48
    小 计 -- -- -- 3466.75
    2017年度
    1 天水华天电子集团股份有限公司 分立器件成品加工 53.62 百万只 1903.67
    2 贵研铂业股份有限公司 金属靶材填补 141 块 468.37
    3 上海先进半导体制造股份有限公司 外延片沟槽工序 14972 片 332.83
    4 泰州明昕微电子有限公司 分立器件成品加工 6.21 百万只 192.63
    小 计 -- -- -- 2897.50
    半导体分立器件成品的主要受托加工方为天水华天电子集团股份有限公司、华羿微电子股份有限公司、泰州明昕电子有限公司、四川立泰电子有限公司、山东芯诺电子科技股份有限公司,其基本情况如下:
    名称 注册资本 主营业务 相关技术来源天水华天电子集团股份有限公司
    5321.5322 万元专业从事功率半导体器件封装测试。
    自主研发华羿微电子股份有限公司
    32000.00 万元
    主要经营半导体功率器件的研发、生产、销售自主研发泰州明昕微电子有限公司
    14100 万元 专业生产各类功率半导体器件。 自主研发
    四川立泰电子有限公司
    2100 万元 主要经营各型半导体元器件。 自主研发山东芯诺电子科技股份有限公司
    4440 万元
    主要经营各类用于二极管、桥式整流器、功率调节类的半导体芯片。
    自主研发、外部引进、集成创新
   沟槽肖特基二极管芯片用外延片沟槽工序受托加工方为上海先进半导体制
    造股份有限公司,其基本情况如下:
    名称 注册资本 主营业务 相关技术来源上海先进半导体制造股份有限公司
    153422.7 万元主营半导体集成电路和分立器件
    芯片的制造、测试及相关服务。
    自主研发
    金属靶材填补的主要受托加工方为贵研铂业股份有限公司,其基本情况如下:
    名称 注册资本 主营业务 相关技术来源贵研铂业股份有限公司
    43770.8011 万元
    从事贵金属系列功能材料研究、开发和生产经营,主要产品涉及贵金属高纯材料、特种功能材料、信息功能材料、环境及催化功能材料四大类。
    自主研发
    上述委外厂商开展公司委外加工相关的业务无需特殊的生产资质,具备为公司相关产品进行加工的相关环保资质;上述委外厂商并非主要为公司提供委外服务,与公司及实际控制人不存在除业务关系外的资金往来;公司对上述委外厂商不形成依赖。
    上述委外厂商曾经及现在均不为发行人控制,曾经及现在均与发行人及其实际控制人、董事、监事、高级管理人员不存在关联关系、亲属关系,与发行人保持独立。
    ④报告期各期发行人委外加工的金额和数量情况
    报告期各期,发行人委外加工的金额和占生产成本的比例情况如下:
    单位:万元类别
    2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    金额 占比 金额 占比 金额 占比 金额 占比
    分立器件成品加工 503.60 2.31% 2913.11 3.51% 2724.33 3.74% 1779.56 2.66%
    金属靶材填补 84.93 0.39% 338.07 0.41% 268.28 0.37% 444.02 0.66%
    外延片沟槽工序 - - - - 81.87 0.11% 292.30 0.44%
    合计 588.53 2.69% 3251.18 7.79% 3074.48 4.22% 2515.88 3.76%报告期内,发行人委外生产的产品主要为半导体分立器件成品及沟槽肖特基
    二极管芯片,委外生产的产品数量占同类产品当期总产量的比例情况如下:
    产品
    2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度委外生产数量占比委外生产数量占比委外生产数量占比委外生产数量占比半导体分立器件成品(百万个)
    17.59 100.00% 107.66 100.00% 91.47 100.00% 59.90 100.00%沟槽肖特基二极
    管芯片(万片)
    - - - - 0.38 31.73% 1.28 100.00%
    ⑤ 委托加工厂商的选取标准及管理制度
    公司针对采购对产品质量有重要影响的零件、工艺材料和服务等建立了自身的采购体系,与包括委托加工厂商在内相关供应商的合作参照相应的《供应商管理程序》执行。《供应商管理程序》从供应商认证、合格供应商资格的确认和取消、供应商评估和控制等方面对新增供应商及供应商日常管理进行了明确规定。
    另外,公司还制定了《功率器件外加工管理流程》以及《靶材委外加工管理办法》对委托加工情况进行了专门规定,从而保证能够对委托加工产品实现有效质量控制。
    公司对供应商的选择标准主要包括:质量体系认证情况,提供的产品或服务符合 ISO9000/TS16949 质量认证体系;技术和生产能力,有能力接受公司《采购体系》的生产计划,能够满足公司生产量的要求;产品的质量水平及其稳定性,有相应的财力、技术和物力支持公司目前和将来的要求;产品的性能价格比,在成本上有竞争优势;交付情况及交付后服务的情况,与客户的沟通情况;供应商自我完善和持续改进情况,能够提供增值服务程序和创造性活动。
    ⑥ 委托加工费用确定依据及其公允性报告期内,发行人与委托加工厂商的采购价格系交易双方基于市场情况协商制定,发行人与各委托加工厂商不存在关联关系或日常购销交易以外的其他利益关系,交易价格具备公允性。
    ⑦ 同一加工类型选取多家委托加工厂商的原因及其合理性报告期内,公司同一加工类型会选取多家委托加工厂商,主要是为应对单一供应商可能出现的受无法抗拒原因导致不能按时交货的风险。另外,同一加工类型与多家委托加工厂商合作能够帮助公司持续进行价格以及质量等方面的比较,有助于及时作出准确决策。
    3、销售模式
    公司生产的半导体硅片、半导体分立器件芯片和半导体分立器件成品在业内具有良好的口碑,产品市场定位于中高端客户。公司通过客户主动联系、客户及供应商推荐、潜在客户主动开发等方式获得客户资源,并与客户建立长期稳定的合作关系。经过多年发展,公司目前所拥有的客户较为稳定。为保证对下游客户的需求反应迅速,公司主要产品在国内外销售主要采取直接面向客户销售的方
   式。公司主要根据客户的具体订单发售产品。一般来说,对于国内销售,由公司负责委托物流公司向客户发货,运输费用由公司承担;对于出口业务,公司一般
    采用 FOB 或 CIF 等国际通用方式。
    (四)主要产品的生产和销售情况
    1、公司产品的产能、产量及销量情况报告期内,公司各主要产品产能、产量、产能利用率、销量及产销率的具体情况如下:
    产品 项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度硅研磨片(万片)
    产能(A) 158.57 662.22 629.38 536.46
    产量(B)(B=C+D) 148.09 528.89 569.13 469.21产能利用率(B/A) 93.39% 79.87% 90.43% 87.46%
    产量(C)(用于后道工序加工) 148.09 522.86 544.65 444.46
    产量(D)(作为产品对外销售) 0.00 6.03 24.48 24.75
    销量(E) 0.36 8.01 30.65 24.98
    产销率(E/D) - 132.86% 125.20% 100.91%硅抛光片(万片)
    产能(A) 160.25 653.15 603.52 463.03
    产量(B)(B=C+D) 149.52 517.66 537.29 419.49产能利用率(B/A) 93.31% 79.26% 89.03% 90.60%
    产量(C)(用于后道工序加工) 105.04 360.28 332.38 202.71
    产量(D)(作为产品对外销售) 44.49 157.38 204.91 216.78
    销量(E) 49.29 160.73 199.20 212.54
    产销率(E/D) 110.80% 102.13% 97.21% 98.04%硅外延片(万片)
    产能(A) 109.31 402.41 295.41 194.81
    产量(B)(B=C+D) 93.15 319.26 294.37 184.17产能利用率(B/A) 85.22% 79.34% 99.65% 94.54%
    产量(C)(用于后道工序加工) 23.18 99.09 78.41 63.82
    产量(D)(作为产品对外销售) 69.98 220.17 215.96 120.35
    销量(E) 63.53 215.72 209.21 121.73
    产销率(E/D) 90.79% 97.98% 96.87% 101.14%
    肖特基二极管芯片(万片)
    产能(A) 30.80 126.27 102.56 87.03
    产量(B)(B=C+D) 22.46 80.21 67.51 76.84产能利用率(B/A) 72.90% 63.52% 65.82% 88.29%
    产量(C)(用于后道工序加工) 2.28 10.61 9.21 7.59
    产量(D)(作为产品对外销售) 20.18 69.60 58.30 69.25
    销量E 18.13 64.33 56.32 71.60
    产销率(E/D) 89.86% 92.42% 96.60% 103.40%
    MOSFE 产能(A) 5.45 21.81 21.09 13.13
    T 芯片(万片)
    产量(B) 1.25 13.12 15.11 9.56
    产能利用率(B/A) 22.92% 60.17% 71.66% 72.83%
    销量(C) 1.41 12.32 13.62 9.26
    产销率(C/B) 112.55% 93.89% 90.10% 96.80%
    肖特基二极管(百万个)
    产能 - - - -
    产量(A) 17.59 107.75 91.47 59.90
    产能利用率 - - - -
    销量(B) 16.16 107.66 91.47 59.62
    产销率(B/A) 91.87% 99.92% 100.00% 99.54%
    [注]:1、除肖特基二极管外,各产品产能、产量、销量数据均为折合 6 英寸产品数据。
    2、硅片各产品由浙江金瑞泓和衢州金瑞泓生产,肖特基二极管芯片、MOSFET 芯片和肖特基二极管由立昂微电生产。
    3、肖特基二极管芯片及 MOSFET 芯片的产能均为折合 6 英寸平面产品数据。
    4、肖特基二极管采用委外加工模式进行生产,故无相应产能。
    5、2019 年度硅研磨片销售除上述 8.01 万片外,另有外购取得控制权后销售给客户
    的小尺寸硅研磨片合计 5.01 万片(折合 6 英寸);2020 年 1-3 月硅研磨片销售为去库存,故产销率不适用,此外另有外购取得控制权后销售给客户的小尺寸硅研磨片合计 1.20 万片(折
    合 6 英寸)。
    6、2020 年 1-3 月,MOSFET 产品主要客户受疫情影响延迟了开工,导致公司该产
    品 2020 年一季度的订单较少,故产能利用率较低。
    2、公司产品的销售收入情况报告期内,公司主要产品的销售收入情况如下:
    产品类别
    2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度金额(万元) 占比 金额(万元) 占比 金额(万元) 占比 金额(万元) 占比
    硅研磨片 42.95 0.14% 452.81 0.38% 1102.55 0.91% 856.04 0.93%
    硅抛光片 5286.18 17.21% 18872.74 15.96% 23840.42 19.59% 20435.46 22.15%
    硅外延片 15709.17 51.15% 56616.79 47.87% 54904.59 45.12% 26969.71 29.23%
    肖特基二极管芯片 7806.56 25.42% 28172.30 23.82% 27651.46 22.73% 35330.28 38.29%
    MOSFET 芯片 661.16 2.15% 5998.55 5.07% 7042.72 5.79% 4074.96 4.42%
    砷化镓芯片 9.29 0.03% 11.06 0.01% - - - -
    肖特基二极管 1195.95 3.89% 8149.76 6.89% 7131.61 5.86% 4613.55 5.00%
    合计 30711.25 100.00% 118274.03 100.00% 121673.34 100.00% 92279.99 100.00%
    3、主要产品消费群体及销售价格变动情况公司半导体硅片产品的主要客户为集成电路芯片和分立器件芯片制造企业;
    半导体分立器件芯片产品的主要客户为半导体分立器件制造企业;半导体分立器件成品的主要客户为终端应用领域的制造企业。
    报告期内,公司主要产品的年度平均销售价格变化情况如下:
    产品类别 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    硅研磨片(元/片) 27.55 34.77 35.98 34.27
    硅抛光片(元/片) 107.24 117.42 119.68 96.15
    硅外延片(元/片) 247.26 262.46 262.43 221.56
    肖特基二极管芯片(元/片) 430.58 436.68 490.95 493.47
    MOSFET 芯片(元/片) 470.04 486.87 517.25 440.12
    砷化镓芯片(元/片) 3871.33 2212.46 - -
    肖特基二极管(元/个) 0.74 0.76 0.78 0.77
    [注]:上表中价格单位“元/片”,是指将相关产品价格折算成 6 英寸产品后的平均价格。
    4、报告期内前五名客户情况
    (1)报告期内,公司前五名客户的具体情况如下:
    时间 序号 客户名称 销售产品 金额(万元) 主营收入占比
2020
    年 1-3月
    1 华润微电子
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    5628.55 18.33%
    2 中芯国际 硅外延片、硅抛光片 3154.66 10.27%
    3 深圳深爱半导体股份有限公司 硅外延片 1595.79 5.20%
    4 上海先进 硅外延片、硅抛光片 1441.06 4.69%
    5 士兰微 硅抛光片、硅外延片 1285.81 4.19%
    合 计 13105.87 42.67%
    2019年度
    1 华润微电子
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    21092.85 17.70%
    2 中芯国际
    MOSFET 芯片、硅抛光
    片、硅外延片
    7391.10 6.20%
    3 上海先进 硅抛光片、硅外延片 7129.23 6.03%
    4 浙江佳明天和缘光伏科技有限公司 肖特基二极管 6855.26 5.75%
    5 ONSEMI
    肖特基二极管芯片、硅抛光片、硅外延片
    5066.12 4.25%
    合 计 - 47534.55 40.19%
    2018年度
    1 华润微电子
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    23805.31 19.56%
    2 上海先进半导体制造股份有限公司 硅抛光片、硅外延片 8285.35 6.81%
    3 ONSEMI
    肖特基二极管芯片、硅抛光片、硅外延片
    8761.38 7.20%
    4 浙江佳明天和缘光伏科技有限公司 肖特基二极管 5998.99 4.93%
    5 士兰微 硅抛光片、硅外延片 4881.31 4.01%
    合 计 - 51732.34 42.52%
    2017年度
    1 华润微电子
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    10495.71 11.37%
    2 ONSEMI
    肖特基二极管芯片、硅抛光片、硅外延片
    8776.07 9.51%
    3 扬州虹扬科技发展有限公司 肖特基二极管芯片 6698.30 7.26%
    4 上海先进半导体制造股份有限公司 硅抛光片、硅外延片 6614.51 7.17%
    5 中航重庆(微电子)有限公司 硅抛光片、硅外延片 5509.27 5.97%
    合 计 - 38093.86 41.28%
    [注]:1、华润微电子指华润微电子控股有限公司及其控股公司,包括无锡华润上华科技有限公司、华润微电子(重庆)有限公司、无锡华润华晶微电子有限公司等;中航重庆(微电子)有限公司于 2018 年 1 月被华润微电子控股有限公司收购后更名为华润微电子(重庆)有限公司。因此 2018 年开始与华润上华合并。
    2、士兰微指杭州士兰微电子股份有限公司及其控股公司,包括杭州士兰集成电路有
    限公司、杭州士兰集昕微电子有限公司、成都士兰半导体制造有限公司、杭州士兰明芯科技有限公司等公司。
    3、中芯国际指中芯国际集成电路制造有限公司及其控股公司,包括 Semiconductor
    Manufacturing International (Shenzhen) Corporation、中芯集成电路(宁波)有限公司、中芯集成电路制造(绍兴)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司等公司。
    4、上海先进指上海先进半导体制造有限公司及其关联公司,包括上海先进半导体制
    造有限公司、上海积塔半导体有限公司等。2019 年 9 月 23 日,上海先进半导体制造股份有限公司完成工商变更登记,企业类型由股份有限公司变更为有限责任公司,更名为“上海先进半导体制造有限公司”,由上海积塔半导体有限公司持有 100%股权。
    报告期各期,公司前五大客户销售收入占公司主营业务收入的比例分别为
    41.28%、42.52%、40.19%和 42.67%,较为稳定,不存在向单个客户的销售比例
    超过主营业务收入 50%或严重依赖少数客户的情况。
    (2)报告期内,公司半导体硅片业务前五名客户的具体情况如下:
    期间 序号 客户名称 销售产品 金额(万元) 主营收入占比
2020
    年 1-3月
    1 华润微电子
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    5628.55 18.33%
    2 中芯国际 硅外延片、硅抛光片 3154.66 10.27%
    3 深圳深爱半导体股份有限公司 硅外延片 1595.79 5.20%
    4 上海先进 硅外延片、硅抛光片 1441.06 4.69%
    5 士兰微 硅抛光片、硅外延片 1285.81 4.19%
    合 计 13105.87 42.67%
    2019年度
    1 华润微电子
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    21092.85 17.70%
    2 上海先进 硅抛光片、硅外延片 7050.95 5.92%
    3 中芯国际 硅抛光片、硅外延片 6236.86 5.23%
    4 士兰微 硅抛光片、硅外延片 4606.41 3.87%
    5 深圳深爱半导体股份有限公司
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    4475.41 3.76%
    合 计 - 43462.48 36.47%
    2018年度
    1 华润微电子
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    23773.15 19.54%
    2 上海先进 硅抛光片、硅外延片 8285.35 6.81%
    3 士兰微 硅抛光片、硅外延片 4881.31 4.01%
    4 Episil Holding Inc 硅抛光片 3940.47 3.24%
    5 深圳深爱半导体股份有限公司
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    3903.34 3.21%
    合 计 - 44783.63 36.81%
    2017年度
    1 华润微电子
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    10495.71 11.37%
    2 上海先进 硅抛光片、硅外延片 6614.51 7.17%
    3 中航重庆(微电子)有限公司 硅抛光片、硅外延片 5509.27 5.97%
    4 士兰微 硅抛光片、硅外延片 4044.77 4.38%
    5 深圳深爱半导体股份有限公司
    硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
    2172.79 2.35%
    合 计 - 28837.04 31.25%
    [注]:Episil Holding Inc 指 Episil Holding Inc 及控股公司,包括 Episil-Precision Inc、
    Episil Technologies Inc 等公司。
    报告期内,公司半导体硅片业务前五名客户的具体情况如下:
    名称 成立时间 股权结构 实际经营业务合作开始时间采购目的无锡华润上华科技有限公司
    2002/7/16 华润微电子控股有限公司 100%
    集成电路、电路模块、新型电子元器件制造
    2013 年下游产品制造华润微电子(重庆)有限公司
    2007/4/13
    华润微电子控股有限公司 52.69%重庆西永微电子产业园区开发有
    限公司 47.31%集成电路设计制造
    2012 年下游产品制造华润微电子控股有限公司
    2017/6/30
    华润微电子(香港)有限公司
    100%为所投资企业提供原材料代采购及售后服务等
    2018 年代所投资企业采购原材料用于下游产品制造无锡华润华晶微电子有限公司
    2000/2/24
    华润微电子控股有限公司 98.67%
    新科电子集团有限公司 1.33%集成电路的设
    计、生产、测试、封装等
    2013 年下游产品制造无锡华润上华半导体有限公司
    1999/7/21 已注销,并入无锡华润上华科技有限公司。 2013 年下游产品制造上海先进半导体制造有限公司
    1988/10/4 上海积塔半导体有限公司 100%集成电路芯片制造
    2004 年下游产品制造杭州士兰集成电路有限公司
    2001/1/12杭州士兰微电子股份有限公司
98.75%
    杭州友旺电子有限公司 1.25%集成电路和分立器件制造
    2003 年下游产品制造杭州士兰集昕微电子有限公司
    2015/11/4国家集成电路产业投资基金股份
    有限公司 31.76%
    杭州集华投资有限公司 31.76%杭州高新科技创业服务有限公司
    20.94%杭州士兰微电子股份有限公司
    9.8%杭州士兰集成电路有限公司
5.74%
    8 英寸集成电路芯片生产及销售
    2017 年下游产品制造杭州士兰明芯科技有限公司
    2004/9/24杭州士兰微电子股份有限公司
    82.35%杭州士兰集成电路有限公司
    17.65%半导体器件及半导体照明设备制造
    2012 年下游产品制造
   成都士兰半导体制造有限公司
    2010/11/18杭州士兰微电子股份有限公司
100%
    集成电路、半导体分立器件、发光半导体等制造
    2010 年下游产品制造深圳深爱半导体股份有限公司
    1988/2/23
    深圳市赛格集团有限公司 79.00%深圳市循杰投资股份有限公司
15.00%
    深圳市远致投资有限公司 6.00%
    硅晶圆片、高底压MOS 管及功率器件制造
    2000 年下游产品制造
    Episil HoldingInc.(系
    Episil-Precision
    Inc 及 Episil
    Technologies Inc之控股公司)
    1985/3/18台湾证券交易所上市公司
    证券代码:3707
    持股 5%以上股东为:
    汉信股份有限公司 7.03%
    汉信投资股份有限公司 6.45%
    汉民科技股份有限公司 6.32%
    胜玺投资公司有限公司 5.67%功率半导体及类比积体电路的磊晶及晶圆代工
    2007 年下游产品制造
    Semiconductor
    Manufacturing
    International
    (Shenzhen)
    Corporation
    2008/3/20
    中芯国际控股有限公司 81.86%
    中芯集电投资(上海)有限公司
    18.14%半导体集成电路芯片制造
    2018 年下游产品制造
    (3)报告期内,公司半导体分立器件芯片业务前五名客户的具体情况如下:
    期间 序号 客户名称 销售产品 金额(万元) 主营收入占比
2020
    年 1-3月
    1 扬州虹扬科技发展有限公司 肖特基二极管芯片 1208.09 3.93%
    2 南通皋鑫科技开发有限公司 肖特基二极管芯片 937.44 3.05%
    3 ONSEMI 肖特基二极管芯片 819.62 2.67%
    4 阳信长威电子有限公司 肖特基二极管芯片 751.69 2.45%
    5 山东晶导微电子股份有限公司 肖特基二极管芯片 473.58 1.54%
    合 计 4190.42 13.64%
    2019年度
    1 扬州虹扬科技发展有限公司 肖特基二极管芯片 4564.72 3.83%
    2 ONSEMI 肖特基二极管芯片 3378.20 2.83%
    3 南通皋鑫科技开发有限公司 肖特基二极管芯片 2631.77 2.21%
    4 阳信长威电子有限公司 肖特基二极管芯片 2498.93 2.10%
    5 深圳昊福锐电子科技有限公司
    MOSFET 芯片、肖特基
    二极管芯片
    2372.21 1.99%
    合 计 - 15445.84 12.96%
    2018年度
    1 ONSEMI 肖特基二极管芯片 5497.28 4.52%
    2 扬州虹扬科技发展有限公司 肖特基二极管芯片 4363.19 3.59%
    3 阳信长威电子有限公司 肖特基二极管芯片 3358.69 2.76%
    4 山东晶导微电子股份有限公司 肖特基二极管芯片 2256.41 1.85%
    5 上海丽恒光微电子科技有限公司 MOSFET 芯片 2031.74 1.67%
    合 计 - 17507.32 14.39%
    2017年度
    1 ONSEMI 肖特基二极管芯片 6824.06 7.39%
    2 扬州虹扬科技发展有限公司 肖特基二极管芯片 6698.30 7.26%
    3 山东晶导微电子有限公司 肖特基二极管芯片 3954.02 4.28%
    4 阳信长威电子有限公司 肖特基二极管芯片 3940.62 4.27%
    5 扬杰科技 肖特基二极管芯片 2979.44 3.23%
    合 计 - 24396.43 26.44%
    [注]:扬杰科技指扬州扬杰电子科技股份有限公司及其控股公司,包括扬州扬杰电子科技股份有限公司、江苏扬杰半导体有限公司等公司。
    报告期内,公司半导体分立器件芯片业务前五名客户的具体情况如下:
    名称 成立时间 股权结构 实际经营业务合作开始时间采购目的
    ONSEMI 1999 年
    美国纳斯达克交易所上市公司,证券代码:ON
    持股 5%以上股东为:
    Janus Henderson Group PLC
10.07%
    The Vanguard Group 10.00%
    FMR LLC 8.04%
    BlackRock Inc.5.74%
    Capital International Investors
5.33%
    汽车、通信、计算机及消费领域半导体产品制造
    2003 年下游产品制造扬州虹扬科技发展有限公司
    2003/11/5 捷栢科技有限公司 100% 电子元器件制造 2004 年下游产品制造阳信长威电子有限公司
    1993/2/20 台湾半导体(香港)有限公司 100% 半导体元器件 2012 年下游产品封装山东晶导微电子股份有限公司
    2013/7/29
    持股 5%以上股东为:
    孔凡伟 42.97%
    冯焕培 9.67%曲阜晶圣股权投资合伙企业(有限
    合伙)7.19%
    福建省安芯产业投资基金 6.27%
    李丐腾 5.75%
    上海飞科投资有限公司 5.06%半导体芯片及材
    料、封装产品制造
    2015 年下游产品制造扬州扬杰电子科技股份有限公司
    2006/8/2
    深圳证券交易所创业板上市公司,证券代码 300373
    持股 5%以上股东为:
    江苏扬杰投资有限公司 41.62%建水县杰杰企业管理有限公司
13.95%
    电子元器件制造 2006 年下游产品制造江苏扬杰半导体有限公司
    2012/2/27扬州扬杰电子科技股份有限公司
100%
    电子元器件制造 2016 年下游产品制造南通皋鑫科技开发有限公司
    2003/12/3
    张晓林 40%
    南通皋鑫电子股份有限公司 30%
    马海涛 20%
    孙晓云 10%半导体产品封装制造
    2012 年下游产品制造上海丽恒光微电子科技有限公司
    2010/8/9
    股东共 12 位持股 5%股东为:
    毛剑宏 24.09%上海丽诚久恒投资合伙企业(有限
    合伙)19.15%
    左健 12.50%上海赢弘投资管理中心(有限合
    伙)10%上海中新技术创业投资有限公司
7.40%
    金洪 7.22%北京国科鼎鑫投资中心(有限合
    伙)5.20%半导体产品封装制造
    2016 年下游产品制造深圳昊福锐电子科技有限公司
    2008/2/4
    陈泽鑫 51%
    陈泽彬 49%半导体产品封装制造
    2015 年下游产品制造
    (4)公司半导体分立器件成品业务的主要客户为浙江佳明天和缘光伏科技
    有限公司,公司报告期各期对其的销售情况具体如下:
    期间 销售产品 金额(万元) 主营收入占比
    2020 年 1-3 月
    肖特基二极管
    976.94 3.18%
    2019 年度 6855.26 5.75%
    2018 年度 5998.99 4.93%
    2017 年度 4542.89 4.92%
    浙江佳明天和缘光伏科技有限公司的具体情况如下:
    名称 成立时间 股权结构 实际经营业务合作开始时间采购目的浙江佳明天和缘光伏科技有限公司
    2009/2/19
    王薇珲 70%
    王家明 30%
    光伏接线盒制造 2017 年下游产品制造
    发行人与主要客户合作历史较长,合作关系总体稳定,客户获取主要通过行业专业会议交流、直接拜访客户、现有客户引荐、客户主动联系等方式。
    公司董事、监事、高级管理人员和核心技术人员,主要关联方或持有公司
    5%以上股份的股东在上述客户中均未占有权益。
    (5)报告期各类产品的主要客户发生变化的原因
    2018 年度,发行人半导体硅片业务前五名客户中新增 Episil Holding Inc,而
    中航重庆(微电子)有限公司则退出前五名客户。发行人向 Episil Holding Inc 主要销售硅抛光片,2018 年度销售金额上升的主要原因为:受当年度半导体硅片行业景气度较高影响,Episil Holding Inc 自身的硅外延片业务发展迅速,因此对于原材料硅抛光片的采购需求相应增加。发行人向中航重庆(微电子)有限公司销售硅外延片与抛光片,2018 年 1 月,中航重庆(微电子)有限公司被华润微电子控股有限公司收购并更名为华润微电子(重庆)有限公司,因此 2018 年开始发行人将对其的销售情况与华润微电子其他关联企业一并列示。
    2019 年度,发行人半导体硅片业务前五名客户中新增中芯国际,因此深圳
    深爱半导体股份有限公司未进入前五名客户。报告期内,随着 8 英寸半导体硅片生产线的陆续投产,发行人半导体硅片产能持续提升,因此,发行人不断加强与行业内下游优质企业的联系,大力拓展客户群体,中芯国际集团中的Semiconductor Manufacturing International (Shenzhen) Corporation 正是发行人
    2018 年度新增客户。在经过与发行人一段时间的业务合作后,出于对发行人产
    品质量、服务品质的认可,Semiconductor Manufacturing International (Shenzhen)
    Corporation 增加了对发行人半导体硅片的采购,因此在 2019 年交易金额显著增加。
    2020 年 1-3 月,发行人半导体硅片业务前五名客户较上年度未发生变化。
    2018 年度,发行人半导体分立器件芯片业务前五名客户中新增上海丽恒光
    微电子科技有限公司,而扬杰科技则退出前五名客户,主要是由于扬杰科技自身产业链逐步向半导体分立器件芯片延伸,2017 年开始对发行人产品的采购需求不断减少所致。
    2019 年度,发行人半导体分立器件芯片业务前五名客户中新增南通皋鑫科
    技开发有限公司与深圳昊福锐电子科技有限公司,而山东晶导微电子股份有限公司与上海丽恒光微电子科技有限公司退出前五名客户。发行人向南通皋鑫科技开发有限公司主要销售肖特基二极管芯片,2019 年度的交易金额较上年度显著增加,主要是由于南通皋鑫科技开发有限公司当年度在光伏行业等下游销售领域的订单数量增加明显,因此向发行人的采购需求亦有所上升。发行人向深圳昊福锐电子科技有限公司同时销售 MOSFET 芯片与肖特基二极管芯片,2019 年度深圳昊福锐电子科技有限公司 MOSFET 产品的产量大幅提升,整体销售情况较好,因此增加了向发行人 MOSFET 芯片的采购。
    2020 年 1-3 月,发行人半导体分立器件芯片业务前五名客户中新增山东晶导
    微电子股份有限公司,而深圳昊福锐电子科技有限公司退出前五名客户。2019年度及 2020 年 1-3 月,发行人对山东晶导微电子股份有限公司与深圳昊福锐电子科技有限公司的销售规模均较为接近,前五名客户发生变化系正常销售波动导致。
    2017 年度起,发行人业务延伸至半导体分立器件成品业务,因此新增主要
    客户浙江佳明天和缘光伏科技有限公司,发行人向其主要销售肖特基二极管成品。
    (6)半导体分立器件芯片业务客户集中度下降的原因报告期内,发行人半导体分立器件芯片业务客户集中度下降的原因如下:
    ①报告期内,发行人半导体硅片业务的景气度较高,相关业务收入增长较快,导致半导体分立器件芯片业务收入的占比持续下降;
    ②发行人对半导体分立器件芯片主要客户 ONSEMI的销售规模自 2018 年起
    呈下降趋势,主要系受全球半导体分立器件市场整体竞争愈发激烈影响,
    ONSEMI 下游客户订单减少导致其对公司半导体分立器件芯片产品的采购需求下滑;
    ③发行人半导体分立器件芯片的主要客户扬州虹扬科技发展有限公司主要
    生产光伏用旁路二极管,受光伏发电产业的相关政策影响较大。在 2018 年 5 月
    30 日出台的光伏补贴新政出台后,补贴力度大幅退坡,导致光伏行业受到严重的影响,终端用量显著下滑,扬州虹扬科技发展有限公司的销售订单下滑,从而影响其对公司的采购金额。
    5、发行人产品与主要客户产品之间的竞争关系分析
    (1)发行人半导体硅片产品与主要客户产品不存在竞争或替代关系。
    (2)发行人半导体分立器件芯片产品主要为二极管中肖特基二极管的芯片、
    三级管中 MOSFET 的芯片,而发行人的半导体硅片客户购买硅片后主要用于生
    产各类集成电路芯片(主要为微处理器、存储器、数字电路、模拟电路等)与各类分立器件芯片(主要为各类二极管、各类三级管、晶闸管等)。因此,发行人的分立器件产品与硅片客户的产品之间只有很小部分产品属于相同类别,且该部分产品在规格参数、下游具体应用领域等方面也存在一定差异性,因此两者仅存在较弱的竞争关系。在该等情形下,报告期内发行人与半导体硅片主要客户之间的合作关系总体保持稳定。
    (3)发行人半导体分立器件成品主要为用于光伏产业的肖特基二极管,而发行人半导体分立器件芯片客户的产品主要为各种用途的肖特基二极管与
    MOSFET(三极管),其产品广泛应用于通信、计算机、汽车产业、光伏产业、消费电子、人工智能、物联网等下游产业,因此,两者仅存在较弱的竞争关系。
    在该等情形下,报告期内发行人与半导体分立器件芯片主要客户之间的合作关系总体保持稳定。
    此外,立昂东芯生产的微波射频集成电路芯片为第二代半导体材料(砷化镓)集成电路芯片,与发行人的半导体硅片主要客户所生产的各类硅基集成电路芯片在性能和用途上均存在明显差异,不存在竞争或替代关系。
    综上,发行人的业务拓展对与主要客户的合作关系影响有限,发行人与主要
    客户之间的合作关系总体稳定,发行人与主要客户不存在纠纷。
    6、现有组织架构下对母公司、子公司的业务定位,实际主营业务情况
    (1)业务定位及实际主营业务情况发行人母公司和各个子公司的业务定位及实际主营业务情况
    公司 业务定位 主营业务
    立昂微电 半导体分立器件芯片和成品的制造和销售
    肖特基二极管芯片、MOSFET 芯片等半导体分立器件芯片和肖特
    基二极管的生产和销售浙江金瑞泓
    半导体硅片制造商,半导体抛光片、外延片的制造和销售
    8 英寸及以下硅抛光片、外延片
    立立半导体 抛光片加工,2017 年 12 月已被浙江金瑞泓吸收合并立昂东芯 微波射频集成电路芯片的制造和销售 6 英寸砷化镓半导体芯片
    立昂半导体 部分原材料、设备及部件的采购和销售 不从事具体产品生产衢州金瑞泓 半导体抛光片、外延片的制造和销售 8 英寸硅外延片绿发农银 政府产业基金扶持平台。 无金瑞泓微电子 半导体硅抛光片、硅外延片的制造和销售 12 英寸硅抛光片、硅外延片
    (2)资产、负债、技术、人员分布情况
    公司 资产 负债 技术 人员分布立昂微电与生产分立器件芯片
    相关的厂房、机器设备与生产经营相关的银
    行借款、应付材料采购款主要技术集中在半导体分立器件芯片领域,拥有 17 项专利
    截至 2020 年 3 月末
    拥有在册员工 404人浙江金瑞泓
    与生产 8 英寸及以下硅
    抛光片、外延片相关的厂房、机器设备与生产经营相关的银
    行借款、应付材料采购款主要技术集中在半导
    体硅片领域,拥有 24项专利
    截至 2020 年 3 月末
    拥有在册员工 664人
    立立半导体 2017 年 12 月已被浙江金瑞泓吸收合并立昂东芯与生产半导体射频芯片相关的机器设备与生产经营相关的应付账款及合并范围内往来款主要技术集中在微波射频集成电路芯片领域,拥有 7 项专利
    截至 2020 年 3 月末
    拥有在册员工 92人立昂半导体
    货币资金、应收合并范围内往来款与生产经营相关的应付材料采购款
    -
    截至 2020 年 3 月末
    拥有在册员工 6 人衢州金瑞泓
    与生产 8 英寸硅外延片
    相关的厂房、机器设备与生产经营相关的银
    行借款、融资租赁款、应付工程及设备采购款共享浙江金瑞泓在半导体硅片领域的相关技术
    截至 2020 年 3 月末
    拥有在册员工 260人绿发农银对衢州金瑞泓的长期股权投资
    - -
    截至 2020 年 3 月末
    拥有在册员工 0 人金瑞泓微电子
    与生产 12 英寸硅抛光
    片、硅外延片相关的厂房、机器设备与生产经营相关的应付工程及设备采购款主要技术集中在大尺
    寸(12 英寸硅抛光片、硅外延片)半导体硅片领域
    截至 2020 年 3 月末
    拥有在册员工 33人
    7、按母公司、子公司划分的主要产品分部信息报告期内,发行人各母子公司中仅有母公司立昂微电及子公司浙江金瑞泓存在向合并范围外客户的直接销售,其中母公司立昂微电主要销售肖特基二极管芯
    片、MOSFET 芯片以及肖特基二极管,子公司浙江金瑞泓主要销售硅研磨片、硅抛光片以及硅外延片。报告期内,子公司衢州金瑞泓的主要业务为半导体硅外延片的生产和销售,销售对象均为合并范围内其他公司;子公司立昂东芯与金瑞泓微电子尚处于生产线建设或调试、试生产阶段,未发生对外销售;子公司立昂半导体与绿发农银不从事具体产品生产;子公司立立半导体原系浙江金瑞泓子公
    司,2017 年 12 月已被浙江金瑞泓吸收合并。
    因此,报告期内发行人按母公司、子公司划分的主要产品分部信息如下:
    主体 产品类别
    2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    金额(万元)
    占比 金额(万元) 占比 金额(万元) 占比
    金额(万元)占比浙江金瑞泓
    硅研磨片 42.95 0.14% 452.81 0.38% 1102.55 0.91% 856.04 0.93%
    硅抛光片 5286.18 17.21% 18872.74 15.96% 23840.42 19.59% 20435.46 22.15%
    硅外延片 15709.17 51.15% 56616.79 47.87% 54904.59 45.12% 26969.71 29.23%立昂微电
    肖特基二极管芯片
    7806.56 25.42% 28172.30 23.82% 27651.46 22.73% 35330.28 38.29%
    MOSFET 芯片 661.16 2.15% 5998.55 5.07% 7042.72 5.79% 4074.96 4.42%
    肖特基二极管 1195.95 3.89% 8149.76 6.89% 7131.61 5.86% 4613.55 5.00%立昂东芯
    砷化镓芯片 9.29 0.03% 11.06 0.01% - - - -
    合计 30711.25 100.00% 118274.03 100.00% 121673.34 100.00% 92279.99 100.00%
    8、母公司营业收入与合并营业收入、母公司净利润与合并报表归属于母公司股东的净利润的差异原因
    报告期各期,发行人合并营业收入和归属于母公司股东净利润、母公司营业收入和净利润以及母公司收入和利润贡献程度情况具体如下:
    单位:万元年度
    合并 立昂微电收入贡献程度利润贡
    献程度 营业收入归属于母公司股东净利润
    营业收入 净利润
    2020 年 1-3 月 30932.77 3247.68 10110.33 426.62 32.68% 13.14%
    2019 年度 119168.60 12818.79 43799.58 3337.07 36.75% 22.07%
    2018 年度 122266.70 18075.98 43519.14 2224.01 35.59% 12.30%
    2017 年度 93201.96 10561.05 46101.09 8177.54 49.46% 77.43%
    报告期各期,发行人母公司的收入贡献程度均未达 50%,营业收入与合并营业收入存在差异主要是由于子公司浙江金瑞泓存在较大规模的营业收入所致。浙江金瑞泓主要从事硅研磨片、抛光片以及外延片的研发、生产、销售,具备较大的业务规模及市场竞争力,报告期各期,浙江金瑞泓实现营业收入 59520.75 万
    元、103767.54 万元、110836.66 万元和 29309.74 万元,剔除合并范围内交易后
    的营业收入为 48502.96 万元、80039.09 万元、76092.27 万元和 21045.92 万元,子公司浙江金瑞泓的营业收入规模导致母公司营业收入与合并营业收入存在明显差异。
    报告期各期,发行人母公司实现净利润 8177.54 万元、2224.01 万元、3337.07万元和 426.62 万元,剔除合并范围内交易后的净利润为 5943.40 万元、945.36万元、-2791.03 万元和-235.04 万元,母公司净利润与合并报表归属于母公司股东净利润存在较大差异,主要是由于子公司浙江金瑞泓盈利能力较好所致。2017
    年至 2020 年 1-3 月,浙江金瑞泓实现净利润 8418.95 万元、25004.09 万元、
    21015.45 万元和 6386.94 万元,剔除合并范围内交易后的净利润为 5694.88 万
    元、20908.31 万元、22099.59 万元和 6073.86 万元。2017 年以来,国内半导体
    材料市场景气度显著提升,作为半导体材料上游的半导体硅片产品处于供不应求阶段,而发行人子公司浙江金瑞泓的半导体硅片产品在行业内具备较强竞争力,因此整体盈利水平大幅度提升;而母公司的半导体分立器件芯片及器件业务受市
    场供给增加、竞争激烈等因素影响,盈利能力有所下降。
    (五)报告期内主要产品的原材料和能源及其供应情况
    1、主要原材料采购及耗用情况
    公司主要产品包括半导体硅片、半导体分立器件芯片和半导体分立器件成品,生产所需的主要原材料包括:多晶硅、石英坩埚、石墨件、切磨材料、抛光材料、外延材料、包装盒、金属颗粒、衬底片、硅外延片等。报告期内未发生因原材料短缺而影响正常生产经营的情况。
    (1)主要原材料采购情况报告期内,公司主要原材料的采购金额及占比情况如下:
    类别
    2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度金额(万元) 占比
    金额(万元)占比
    金额(万元)占比
    金额(万元)占比
    多晶硅 1781.51 8.16% 7208.63 11.20% 5520.83 9.64% 3766.05 7.47%
    石英坩埚 567.23 2.60% 1983.06 3.08% 2000.16 3.49% 1969.49 3.91%
    石墨件 840.88 3.85% 4841.36 7.53% 3550.94 6.20% 2459.82 4.88%切磨材料
    研磨砂 211.14 0.97% 671.25 1.04% 736.66 1.29% 641.04 1.27%
    碳化硅 97.37 0.45% 484.88 0.75% 584.09 1.02% 550.56 1.09%
    聚乙二醇 83.53 0.38% 436.12 0.68% 514.28 0.90% 525.25 1.04%
 抛光材料
    抛光布 186.03 0.85% 825.86 1.28% 794.60 1.39% 582.81 1.16%
    抛光液 381.96 1.75% 1208.18 1.88% 1009.61 1.76% 1005.31 1.99%外延材料
    氯化氢 379.08 1.74% 1426.31 2.22% 1208.56 2.11% 1038.96 2.06%
    三氯氢硅 258.39 1.18% 936.76 1.46% 742.10 1.30% 538.68 1.07%
    氢气 495.06 2.27% 1421.71 2.21% 1192.25 2.08% 1096.59 2.17%
    包装盒 461.09 2.11% 1162.38 1.81% 1380.71 2.41% 1100.66 2.18%
    化学品[注] 892.35 4.09% 3494.05 5.43% 3394.99 5.93% 2545.65 5.05%
    氮气 116.17 0.53% 634.58 0.99% 712.98 1.25% 553.95 1.10%
    液氮 432.36 1.98% 1568.56 2.44% 1205.71 2.11% 1083.65 2.15%
    金属颗粒 223.94 1.03% 849.27 1.32% 919.52 1.61% 861.52 1.71%
    硅单晶锭 - - 144.48 0.22% 346.42 0.61% 404.34 0.80%
    衬底片 - - - - 3.69 0.01% 592.98 1.18%
    外延片 - - - - 1658.68 2.90% 4116.59 8.16%
    [注]:化学品主要包括:氢氟酸、硫酸、盐酸、硝酸、过氧化氢、磷化氢等化学液体溶剂。
    报告期内,公司主要原材料的采购数量情况如下:
    类别 单位 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    多晶硅 千克 73085 373935 289440 218925
    石英坩埚 只 2020 5979 5957 5779
    石墨件 只 5285 27167 24493 18422切磨材料
    研磨砂 千克 72200 175200 203640 176800
    碳化硅 千克 65000 314000 378975 343000
    聚乙二醇 千克 59400 314836 374756 382580抛光材料
    抛光布 张 12230 29285 22276 16244
    抛光液 千克 100433 213710 215946 202309外延材料
    氯化氢 千克 45460 139930 124740 106590
    三氯氢硅 吨 43 160 127 93
    氢气 立方米 1050865 3397469 2866245 2403199
    包装盒 只 108786 140371 167364 150920
    化学品 瓶 155458 620493 599452 433858
    氮气 立方米 1835758 10316916 11219781 9199506
    液氮 公升 8033783 26696811 20362235 18253772
    金属颗粒 千克 761 2794 2211 2583
    硅单晶锭 千克 - 2130 4925 6423
    衬底片 片 - - 240 40899
    外延片 片 - - 91039 248011报告期内,公司主要原材料的采购单价情况如下:
    类别 单位 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    多晶硅 元/千克 189.69 192.78 190.74 172.02
    石英坩埚 元/只 3525.99 3316.70 3357.66 3408.00
    石墨件 元/只 2258.96 1782.07 1449.78 1335.26切磨材料
    研磨砂 元/千克 40.45 38.31 36.17 36.26
    碳化硅 元/千克 15.46 15.44 15.41 16.05
    聚乙二醇 元/千克 12.58 13.85 13.72 13.73抛光材料
    抛光布 元/张 245.68 282.01 356.71 358.79
    抛光液 元/千克 49.41 56.53 46.75 49.69外延材料
    氯化氢 元/千克 99.78 101.93 96.89 97.47
    三氯氢硅 元/吨 58911.63 58547.75 58432.95 57922.07
    氢气 元/立方米 4.71 4.18 4.16 4.56
    包装盒 元/只 85.20 82.81 82.50 72.93
    化学品 元/瓶 60.01 56.31 56.63 58.67
    氮气 元/立方米 0.63 0.62 0.64 0.60
    液氮 元/公升 0.54 0.59 0.59 0.59
    金属颗粒 元/千克 3315.91 3039.84 4158.88 3335.35
    硅单晶锭 元/千克 -- 678.31 703.32 629.56
    衬底片 元/片 -- -- 153.78 145.02
    外延片 元/片 -- -- 182.19 165.98
    (2)主要原材料耗用情况报告期内,主要外购原材料耗用金额及占生产成本的比重如下表所示:
    类别
    2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度金额(万元) 占比 金额(万元) 占比 金额(万元) 占比 金额(万元) 占比
    多晶硅 1781.51 8.16% 5756.75 6.94% 5286.97 7.26% 5352.34 7.82%
    石英坩埚 567.23 2.60% 1973.55 2.38% 2173.45 2.99% 1906.57 2.79%
    石墨件 840.88 3.85% 4281.81 5.16% 2818.33 3.87% 2344.15 3.43%切磨材料
    研磨砂 211.14 0.97% 708.90 0.85% 727.90 1.00% 613.48 0.90%
    碳化硅 97.37 0.45% 475.69 0.57% 575.16 0.79% 545.96 0.80%
    聚乙二醇 83.53 0.38% 447.20 0.54% 526.81 0.72% 486.83 0.71%抛光材料
    抛光布 186.03 0.85% 671.39 0.81% 754.16 1.04% 664.96 0.97%
    抛光液 381.96 1.75% 1242.57 1.50% 1206.39 1.66% 870.46 1.27%外延材料
    氯化氢 379.08 1.74% 1397.79 1.68% 1129.80 1.55% 1052.03 1.54%
    三氯氢硅 258.39 1.18% 920.12 1.11% 674.24 0.93% 526.97 0.77%
    氢气 495.06 2.27% 1421.71 1.71% 1192.25 1.64% 1096.59 1.60%
    包装盒 461.09 2.11% 1305.31 1.57% 1411.29 1.94% 997.80 1.46%
    化学品 892.35 4.09% 3047.46 3.67% 3389.85 4.66% 2503.38 3.66%
    氮气 116.17 0.53% 634.58 0.76% 762.09 1.05% 656.4 0.96%
    液氮 432.36 1.98% 1568.56 1.89% 908.81 1.25% 850.05 1.24%
    金属颗粒 223.94 1.03% 825.43 0.99% 785.84 1.08% 845.3 1.24%
    合计 7408.09 33.94% 26678.82 32.13% 24323.36 33.42% 21313.27 31.16%
    (3)主要原材料的采购、耗用与发行人产品生产和收入的匹配性
    ①半导体硅片研磨工序情况
    公司半导体硅片研磨工序所使用的主要原材料包括多晶硅、石英坩埚、石墨件、切磨材料(研磨砂、碳化硅、聚二乙醇),上述原材料在报告期内的采购、耗用情况及其与发行人硅研磨片产品的生产和收入匹配情况如下:
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度主要材料的采购数量
    多晶硅(千克) 73085 373935 289440 218925
    石英坩埚(只) 2020 5979 5957 5779
    石墨件(只) 5285 27167 24493 18422
    主要切磨材料(千克) 196600 804036 957371 902380主要材料的耗用数量
    多晶硅(千克) 102030 308570 347571 291140
    石英坩埚(只) 1703 6219 6535 5395
    石墨件(只) 4155 24435 20977 16412
    主要切磨材料(千克) 182656 813224 963341 860896
    产量-硅研磨片(用于后道工序加工)(万片)
    148.09 522.86 544.65 444.46
    产量-硅研磨片(作为产品对外销售)(万片)
    0.00 6.03 24.48 24.75
    合计产量-硅研磨片(万片) 148.09 528.89 569.13 469.21单位产出耗用
    多晶硅/产量 688.98 583.43 610.71 620.49
    石英坩埚/产量 11.50 11.76 11.48 11.50
    石墨件/产量 28.06 46.20 36.86 34.98
    主要切磨材料/产量 1233.43 1537.59 1692.66 1834.78
    销量-硅研磨片(万片) 0.36 8.01 30.65 24.98
    产销率 -- 132.86% 125.20% 100.91%报告期内,发行人多晶硅的单位产出耗用持续降低,主要是由于通过调整工艺改良设备等方式发行人单晶阶段成品率逐步提高所致。2020 年 1-3 月,多晶硅的单位产出耗用显著上升,主要是当期根据生产计划及未来销售预期对半成品单晶锭进行了适度备货所致。
    报告期内,石英坩埚单位产出耗用波动较小,主要系生产过程的正常波动所致。
    报告期内,发行人石墨件的单位产出耗用持续增加,2019 年增幅较大,主要原因为:第一,8 英寸硅片生产过程中对石墨材料的使用时间、加热功率等与小尺寸硅片相比均高很多,随着报告期内发行人半导体硅片产品中 8 英寸硅片占比的持续上升,石墨件的单位产出耗用不断增加;第二,2019 年发行人子公司衢州金瑞泓单晶工序已阶段性投产,设备进场安装、调试以及后续生产均需要大
    量的石墨件材料,因此当期消耗量大幅增加。2020 年 1-3 月,发行人石墨件的单位产出耗用较 2019 年大幅减少,主要是 2019 年衢州金瑞泓单晶工序投产过程中阶段性耗用较多石墨件材料,另外发行人正通过逐步改进切片工艺等提高单晶阶段成品率,从而降低原材料的单位产出耗用。
    发行人切磨材料的单位产出耗用在报告期内呈减少趋势,一是与 6 英寸相
    比,8 英寸硅片的单位面积耗用切磨材料反而较少;二是由于 2019 年开始发行
    人对切片、磨片、化腐等工艺作了部分改进,增加单位出片数的同时减少了磨片材料的单位耗用。
    ②半导体硅片抛光工序情况
    公司半导体硅片抛光工序所使用的主要原材料除硅研磨片外包括抛光布、抛光液,上述原材料在报告期内的采购、耗用情况及其与发行人硅抛光片产品的生产和收入匹配情况如下:
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度主要材料的采购数量
    抛光布(张) 12230 29285 22276 16244
    抛光液(千克) 100433 213710 215946 202309主要材料的耗用数量
    抛光布(张) 9231 27493 21554 14116
    抛光液(千克) 68659 226640 230290 180016
    产量-硅抛光片(用于后道工序加工)(万片)
    105.04 360.28 332.38 202.71
    产量-硅抛光片(作为产品对外销售)(万片)
    44.49 157.38 204.91 216.78
    合计产量-硅抛光片(万片) 149.52 517.66 537.29 419.49单位产出耗用
    抛光布/产量 61.74 53.11 40.12 33.65
    抛光液/产量 459.19 437.81 428.61 429.13
    销量-硅抛光片(万片) 49.29 160.73 199.20 212.54
    产销率 110.80% 102.13% 97.21% 98.04%报告期内,发行人抛光液的单位产出耗用较为稳定,而抛光布单位产出耗用持续增加,抛光布的单位耗用主要与硅片尺寸及规格(是否需要边缘抛光)直接
    相关,一般来说 8 英寸硅片需要的抛光时间较长且所消耗的抛光布数量更多,另外需要边缘抛光的硅片生产过程中耗用的抛光片数量更多。
    ③半导体硅片外延工序情况
    公司半导体硅片外延工序所使用的主要原材料除硅抛光片外包括氯化氢、三氯氢硅、氢气等,上述原材料在报告期内的采购、耗用情况及其与发行人硅外延片产品的生产和收入匹配情况如下:
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度主要材料的采购数量
    氯化氢(千克) 45460 139930 124740 106590
    三氯氢硅(吨) 43 160 127 93氢气(立方米) 1050865 3397469 2866245 2403199主要材料的耗用数量
    氯化氢(千克) 38980 136800 132000 106590
    三氯氢硅(吨) 44 157 117 91氢气(立方米) 1050865 3397469 2863612 2429423
    产量-硅外延片(用于后道工序加工)(万片)
    23.18 99.09 78.41 63.82
    产量-硅外延片(作为产品对外销售)(万片)
    69.98 220.17 215.96 120.35
    合计产量-硅外延片(万片) 93.15 319.26 294.37 184.17单位产出耗用
    氯化氢/产量 418.46 428.50 448.42 578.76
    三氯氢硅/产量 0.47 0.49 0.40 0.49
    氢气/产量 11281.24 10641.86 9727.94 13191.20
    销量-硅外延片(万片) 63.53 215.72 209.21 121.73
    产销率 90.79% 97.98% 96.87% 101.14%报告期内,发行人外延工序的氯化氢单位产出耗用均持续减少,主要原因为:
    一是报告期内发行人(特别是 8 英寸半导体硅片)的外延工序工艺不断成熟和精进,原材料的单位产出耗用整体降低;二是一般来说 8 英寸硅片的生产对于氯化氢单位面积耗用较低,发行人半导体硅片产品中 8 英寸硅片占比的上升会导致折合后的上述原材料单位产出耗用呈下降趋势。
    发行人三氯氢硅及氢气的单位产出耗用在 2018年减少而自 2019年起呈上升趋势,主要原因为:随着子公司衢州金瑞泓生产线的逐步投产,其生产的硅外延片比重增加,而由于设备规格差异、工艺调试周期差异等影响,衢州金瑞泓的三氯氢硅及氢气单位产出耗用较高。
    ④半导体分立器件芯片生产工序情况
    公司半导体分立器件芯片的主要原材料为硅外延片,除内部采购外还包括向上海新傲科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司等国内知名硅片厂商第三方采购。报告期内,除由于生产过程中的正常损耗外,主要原材料硅外延片的投入产出比接近 1,其耗用情况与半导体分立器件芯片的生产和收入的匹配性较高。
    2、主要能源的耗用情况
    公司生产过程中耗用的能源主要为水、电、蒸汽。报告期内,公司水、电、蒸汽的耗用情况(耗用金额、占生产成本比重、用量、单价)如下表所示。
    能源 项目 单位 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度水
    金额 万元 390.23 1597.90 1444.33 1157.18
    占比 1.79% 1.93% 1.98% 1.73%
    用量 万吨 80.24 302.27 262.83 212.82
    单价 元/吨 4.86 5.29 5.50 5.44电
    金额 万元 3091.43 11862.56 8926.24 7306.74
    占比 14.15% 14.30% 12.26% 10.92%
    用量 万度 5069.69 19772.38 14870.38 11896.18
    单价 元/度 0.61 0.60 0.60 0.61蒸汽
    金额 万元 111.03 365.36 245.86 163.55
    占比 0.51% 0.44% 0.34% 0.24%
    用量 万吉焦 1.75 5.70 3.51 2.67
    单价 元/吉焦 63.52 64.15 70.12 61.21
    3、报告期内前五名供应商情况
    (1)报告期内,公司向前五名供应商采购情况如下:
    期间 序号 供应商名称 采购内容 金额(万元) 总采购占比
2020
    年 1-3月
    1 Entegris Singapore PTE Ltd. 包装盒 851.25 4.85%
    2青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
    多晶硅 716.61 4.09%
    3 Wacker Chemie AG 多晶硅 669.75 3.82%
    4 YAMANAKA CERADYNE INC 高纯磷、硼粉 567.36 3.23%
    5 上海硅柏电子科技有限公司 石英坩埚 544.90 3.11%
    合计 - 3349.87 19.10%
    2019年度
    1 Wacker Chemie AG 多晶硅 3722.83 5.79%
    2青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
    多晶硅 3479.42 5.41%
    3 天水华天 肖特基二极管封装 2748.92 4.27%
    4 林德气体 氢气、氮气、液氮等 2104.42 3.27%
    5 SGL CARBON 石墨件 1866.47 2.90%
    合计 - 13922.06 21.64%
    2018年度
    1青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
    多晶硅 3196.25 5.58%
    2 天水华天 肖特基二极管封装 2628.00 4.59%
    3 林德气体 氢气、氮气、液氮等 2268.04 3.96%
    4 Wacker Chemie AG 多晶硅 1867.96 3.26%
    5 SGL CARBON 石墨件 1655.90 2.89%
    合计 - 11616.16 20.29%
    2017年度
    1青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
    多晶硅 2443.63 4.85%
    2 林德气体 氢气、氮气、液氮等 2199.12 4.36%
    3 上海新傲科技股份有限公司 硅外延片 2116.71 4.20%
    4 天水华天 肖特基二极管委外加工 1627.07 3.23%
    5 上海硅柏电子科技有限公司 石英坩埚 1424.55 2.82%
    合计 - 9811.08 19.46%
    [注]:1、SGL CARBON 指 SGL CARBON LLC 及其关联公司,包括 SGL CARBON LLC 与西格里特种石墨(上海)有限公司。
    2、林德气体指林德气体(宁波)有限公司及其关联公司,包括林德气体(宁波)有
    限公司与林德电子特种气体(苏州)有限公司。
    3、天水华天指天水华天电子集团股份有限公司及其关联公司,包括天水华天电子集团股份有限公司与华羿微电子股份有限公司。
    报告期内,公司主要供应商基本保持稳定,不存在向单个供应商的采购比例超过采购总额 50%或严重依赖少数供应商的情况。
    (2)报告期内,公司半导体硅片业务的前五名供应商及采购情况如下:
    期间 序号 供应商名称 采购内容 金额(万元) 总采购占比
2020
    年 1-3月
    1 Entegris Singapore PTE Ltd. 包装盒 851.25 4.85%
    2青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
    多晶硅 716.61 4.09%
    3 Wacker Chemie AG 多晶硅 669.75 3.82%
    4 YAMANAKA CERADYNE INC 高纯磷、硼粉 567.36 3.23%
    5 上海硅柏电子科技有限公司 石英坩埚 544.90 3.11%
    合计 - 3349.87 19.10%
    2019年度
    1 Wacker Chemie AG 多晶硅 3722.83 5.79%
    2青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
    多晶硅 3479.42 5.41%
    3 SGL CARBON 石墨件 1866.47 2.90%
    4 林德气体(宁波)有限公司 氢气、氮气、液氮等 1509.85 2.35%
    5 上海元佳 氯化氢、特种气体 1401.35 2.18%
    合计 - 11979.92 18.62%
    2018年度
    1青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
    多晶硅 3196.25 5.58%
    2 Wacker Chemie AG 多晶硅 1867.96 3.26%
    3 林德气体(宁波)有限公司 氢气、氮气、液氮等 1663.74 2.91%
    4 SGL CARBON 石墨件 1655.90 2.89%
    5 Entegris Singapore PTE Ltd. 包装盒、片架 1490.94 2.60%
    合计 - 9874.80 17.25%
    2017年度
    1青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
    多晶硅 2443.63 4.85%
    2 林德气体(宁波)有限公司 氢气、氮气、液氮等 1650.54 3.27%
    3 上海硅柏电子科技有限公司 石英坩埚 1424.55 2.82%
    4 Entegris Singapore PTE Ltd. 包装盒、片架 1273.80 2.53%
    5 上海元佳 氯化氢、特种气体 1134.25 2.25%
    合计 - 7926.77 15.72%
    [注]:上海元佳指上海元佳电子科技有限公司及其关联公司,包括上海元佳电子科技有限公司与上海福纬国际贸易有限公司。
    报告期内,公司半导体硅片业务前五名供应商的具体情况如下:
    名称成立时间注册资本股权结构实际经营业务合作起始年份发行人采购额占其销售额比重
2020.1
-3
    2019 2018 2017青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
    2006/
    -国家电投集团黄河上游水电
    开发有限责任公司 51%
    电投黄河(嘉兴)能源投资合
    伙企业(有限合伙)49%
    注:该为公司本体股权结构多晶硅的生
    产、销售
    2012 20%-50% 10%-20% 10%-20% 5%-10%
    Wacker
    Chemie AG
    1914/
    26076.30万欧元德国法兰克福交易所上市公司,证券代码:WCH 控股股
    东为Dr. Alexander Wacker
    Familiengesellschaft mbH
    Munich
    化学、生物及金属材料的生产及销售
    2001 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下林德气体(宁波)有限公司
    2004/
    10777.4万美元
    林德气体(香港)有限公司
87.01%
    THE BOC GROUP
    LIMITED12.99%
    液氧/氧气、液氮/氮气、液氩/氩气生产
    2008 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下西格里特种石墨(上海)有限公司
    2002/
    2155 万美元
    西格里碳素股份公司 100%
    石墨制品、软毡和硬毡加工
    2012 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下
    SGL
    CARBON
    LLC
    1968年
    3100 万美元德国法兰克福交易所上市公司,证券代码:SGL 主要股东为:
    SKion GmbH 28.50%
    BMW AG 18.44%
    Volkswagen AG 7.41%
    汽车、半导体、电池、太阳能石墨和碳纤维件制造
    2001 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下
    Entegris
    Singapore
    PTELtd.
    1996/
    448.86 万新加坡元
    Entegris Asia LLC 100%半导体材料销售
    2000 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下上海硅柏电子科技有限公司
    2010/
    70 万人民币
    张平松 65% 陈龙标 35%
    石英坩埚、石墨件等产品销售
2011
    10%-20
    %
    10%-20
    %
    20%-50
    %
    20%-50
    %上海元佳电子科技有限公司
    2009/
    2000 万人民币
    李建新 80% 祝岩 20%电子产品及
    相关设备、化工产品及原料销售
    2009 5%以下 5%以下 5%-10% 5%-10%上海福纬国际贸易有限公司
    2006/
    100 万人民币
    李建新 50% 祝岩 50%电子产品及
    相关设备、化工产品及原料销售
    2008 5%以下 5%-10% 5%-10% 5%-10%
    YAMANAK
    A
    CERADYNE
    INC
    1995/
    5000 万日元未公开披露半导体及光伏材料的生产与贸易
2003
    10%-20
    %
    5%-10% 5%-10% 5%-10%
    (3)报告期内,公司半导体分立器件芯片业务的前五名供应商及采购情况
    如下:
    期间 序号 供应商名称 采购内容 金额(万元) 总采购占比
    2020 1 有研亿金新材料有限公司 金属颗粒、靶材加工 197.06 1.12%
    年 1-3月
2
    光洋化学应用材料科技(昆山)有限公司
    金属颗粒、靶材加工 164.14 0.94%
    3 林德气体 氢气、氮气、液氮等 146.84 0.84%
    4 贵研铂业股份有限公司 金属颗粒、靶材加工 133.83 0.76%
5
    梅塞尔阳光(宁波)气体产品有限公司
    氢气、氮气等 124.23 0.71%
    合计 766.10 4.37%
    2019年度
    1 有研亿金新材料有限公司 金属颗粒、靶材加工 707.25 1.10%
    2 林德气体 氢气、氮气、液氮等 594.56 0.92%
3
    梅塞尔阳光(宁波)气体产品有限公司
    氢气、氮气等 581.69 0.90%
    4 贵研铂业股份有限公司 靶材加工 468.77 0.73%
    5 北京科华丰园微电子科技有限公司 光刻胶 456.81 0.71%
    合计 - 2809.08 4.37%
    2018年度
    1 上海新傲科技股份有限公司 硅外延片 1047.25 1.83%
    2 有研亿金新材料有限公司 金属颗粒、靶材加工 819.23 1.43%
3
    梅塞尔阳光(宁波)气体产品有限公司
    氢气、氮气等 619.79 1.08%
    4 林德气体 氢气、氮气、液氮等 604.30 1.06%
    5 河北普兴电子科技股份有限公司 硅外延片 319.87 0.56%
    合计 - 4014.74 7.01%
    2017年度
    1 上海新傲科技股份有限公司 硅外延片 2116.71 4.20%
    2 南京国盛电子有限公司 硅外延片 1350.15 2.68%
    3 有研亿金新材料有限公司 金属颗粒、靶材加工 688.00 1.36%
    4 河北普兴电子科技股份有限公司 硅外延片 649.73 1.29%
    5 贵研铂业股份有限公司 金属颗粒、靶材加工 550.19 1.09%
    合计 - 5354.78 10.62%报告期内,公司半导体分立器件芯片业务前五名供应商的具体情况如下:
    名称成立时间注册资本股权结构实际经营业务合作起始年份发行人采购额占其销售额比重
2020
    2019 2018 2017上海新傲科技股份有限公司
    2001/7/
25
    31500万人民币
    共有股东 15 人,持股 5%以上股东为:
    中国科学院上海微系统与信息
    技术研究所 17.03%
    INTERNATIONAL REACTOR
    SERVICES INC 12.61%
    建声实业有限公司 12.28%
    上海创业投资有限公司 9.82%上海晶凯电子技术有限公司
    8.23%盈富泰克创业投资有限公司
6.76%
    上海嘉定工业区开发(集团)有
    限公司 6.76%
    硅外延片、SOI 圆片的生产
    2011 - - 5%以下 5%-10%
   上海晶歌电子技术有限公司
    6.08%有研亿金新材料有限公司
    /18
    20000万人民币有研新材料股份有限公司
    100%微电子光电子用薄膜新
    材料、贵金属材料及制品的生产
    2008 5%以下 5%-10%
    10%-20
    %
    10%-20
    %梅塞尔阳光(宁波)气体产品有限公司
    1998/7/
28
    580 万美元
    梅塞尔格里斯海姆(中国)投资
    有限公司 70%杭州天安投资控股有限公司
30%
    工业气体、特种气体和医用氧(液氧)等的制造
    2007 5%以下 5%以下 5%-10% 5%-10%林德气体(宁波)有限公司
    2004/4/
5
10777
    4 万美元
    林德气体(香港)有限公司
87.01%
    THE BOC GROUP LIMITED
12.99%
    液氧/氧气、液氮/氮气、液氩/氩气的生产
    2008 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下林德电子特种气体(苏州)有限公司
    2003/4/
23
2604.3
    333 万美元
    德国林德股份公司 100%
    经营剧毒品、电子特气、标气、稀有气体等产品
    2014 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下南京国盛电子有限公司
    /27
20779
    29 万人民币中电国基南方集团有限公司
    72.19%中电电子信息产业投资基金(天津)合伙企业(有限合伙)15.39%上海睿泛科技有限公司 7.42%南京盛芯科技信息咨询合伙企业(有限合伙)2.58%南京盛鸿科技信息咨询合伙企业(有限合伙)2.42%硅外延片的生产
    2010 - - 5%以下 5%以下河北普兴电子科技股份有限公司
    /21
    14450万人民币石家庄开发区中国电子科技集
    团公司第十三研究所 50.04%
    中电信息产业基金 12.04%
    刘志强 8.80%天津环鑫科技发展有限公司
    8.03%集成电路外
    延材料、电子产品材料及相关部件的生产
    2012 - - 5%以下 5%以下北京科华丰园微电子科技有限公司
    2006/7/
5
    100 万人民币北京科华微电子材料有限公司
    100%化学试剂销售
    2014 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下贵研铂业股份有限公司
    2000/9/
25
43770.8
    0 万元上市公司,控股股东云南省贵金属新材料控股集团有限公司持
    股 39.64%
    贵金属研究、开发和生产经营
    2014 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下光洋化学应用材料科技(昆山)有限公司
    /16
    3700万美元
    光洋国际科技(香港)有限公司
100%
    金属靶材、金属颗粒及
    W/Ti 合金靶材的生产
    2012 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下
    (4)报告期内,公司半导体分立器件成品业务的主要供应商为天水华天,公司报告期各期对其的采购情况如下:
    期间 采购内容 金额(万元) 总采购占比
    2020 年 1-3 月
    肖特基二极管封装
    490.24 2.80%
    2019 年度 2748.92 4.27%
    2018 年度 2628.00 4.59%
    2017 年度 1627.07 3.23%
    天水华天的具体情况如下:
    名称 成立 注册资 股权结构 实际经营业 合作 发行人采购额占其
    时间 本 务 起始年份销售额比重
2020
    2019 2018 2017天水华天电子集团股份有限公司
    /25
    521.53万人民币
    共有股东 185 人,
    持股 5%以上股东
    为:
    肖胜利 17.34%
    肖智成 16.44%半导体功率器件的研发生产
    2017 5%以下 5%以下 5%以下 5%以下
    公司董事、监事、高级管理人员和核心技术人员,主要关联方或持有公司
    5%以上股份的股东在上述供应商中均未占有权益。
    (5)各类主要供应商进入和退出前五大的原因和合理性
    2018 年度,发行人半导体硅片业务前五名供应商中新增 Wacker Chemie AG、SGL CARBON,而上海硅柏电子科技有限公司、上海元佳则退出前五名供应商。
    发行人向 Wacker Chemie AG 主要采购多晶硅,2018 年度采购额增加主要由于随着半导体硅片产销量大幅增加,主要原材料多晶硅的需求量持续上升,综合考虑供应商产品的稳定性以及不同客户的差异化需求,发行人在青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司以外增加了对 Wacker Chemie AG 多晶硅的采购;
    发行人向 SGL CARBON 主要采购石墨件,石墨件作为生产半导体硅片的主要原
    材料,2018 年度采购额增加主要系当年度半导体硅片产量增加导致石墨件需求量提升所致。发行人向上海硅柏电子科技有限公司主要采购石英坩埚,向上海元佳主要采购氯化氢等特种气体,2018 年度对上述供应商的采购额与 2017 年相比未有较大变化,上述供应商退出半导体硅片业务前五名主要系其他供应商采购额增加所致。
    2019 年,发行人半导体硅片业务前五名供应商中新增上海元佳,而 Entegris
    Singapore PTE Ltd.则退出前五名供应商。发行人向上海元佳主要采购氯化氢等特种气体,向 Entegris Singapore PTE Ltd.主要采购包装盒及片架,2019 年度对上述供应商的采购额与 2018 年相比未有较大变化,上述供应商进入和退出前五名供应商主要系采购额接近且各年略有波动所致。
    2020 年,发行人半导体硅片业务前五名供应商中新增 Entegris Singapore PTE
    Ltd.、YAMANAKA CERADYNE INC 与上海硅柏电子科技有限公司,而 SGL
    CARBON、林德气体与上海元佳退出前五名供应商。发行人向 Entegris Singapore
    PTE Ltd.、YAMANAKA CERADYNE INC 与上海硅柏电子科技有限公司采购的
    分别为包装盒、掺杂剂和石英坩埚,其产地分别为马来西亚、日本和德国等境外
   地区,考虑新冠疫情对未来进口原材料供应的不确定性影响,发行人本期进行了
    一定程度的原材料备货,因此增加了向上述供应商的采购金额。
    2018 年度,发行人半导体分立器件芯片业务前五名供应商中新增梅塞尔阳光(宁波)气体产品有限公司与林德气体,而南京国盛电子有限公司则退出前五名供应商。发行人向梅塞尔阳光(宁波)气体产品有限公司与林德气体主要采购氢气、氮气、液氮等,2018 年度对上述供应商的采购额与 2017 年相比未有较大变化,上述供应商进入半导体分立器件芯片业务前五名主要系其他供应商采购额减少所致。发行人向南京国盛电子有限公司主要采购硅外延片,2018 年由于发行人子公司硅外延片产能提升,集团外采购需求整体下降,导致硅外延片的对外采购金额减少。
    2019 年,发行人半导体分立器件芯片及分立器件成品业务前五名供应商中
    新增贵研铂业股份有限公司与北京科华丰园微电子科技有限公司,而上海新傲科技股份有限公司与河北普兴电子科技股份有限公司则退出前五名供应商。主要是由于发行人当期半导体硅片的产能较为充裕,未对外采购硅外延片,因此与上海新傲科技股份有限公司及河北普兴电子科技股份有限公司未发生交易,导致其退出当期前五大供应商。
    2020 年 1-3 月,发行人半导体分立器件芯片及分立器件成品业务前五名供应
    商中新增光洋化学应用材料科技(昆山)有限公司,而北京科华丰园微电子科技有限公司则退出前五名供应商。光洋化学应用材料科技(昆山)有限公司主要向发行人供应金属颗粒及靶材加工服务,与发行人已具备较长的合作关系,在双方经过对产品性能等方面的研究讨论及综合调整后,本期交易规模有所回升。
    2017 年度起,由于发行人业务延伸至半导体分立器件成品业务,因此新增
    主要供应商天水华天电子集团股份有限公司,发行人向其主要采购肖特基二极管封装服务。
    (6)发行人及其关联方与主要供应商的关联关系报告期内,发行人具有独立完整的采购体系,发行人及其关联方与上述主要供应商之间不存在关联关系。
    青海黄河上游水电开发有限责任公司(其下属新能源分公司为发行人多晶硅原料的主要供应商之一)作为发行人子公司金瑞泓微电子的创始股东之一于2018
    年 9 月入股并持有金瑞泓微电子 9.9%的股权,但其与发行人之间不构成关联方关系。
    4、硅外延片采购情况及其合理性
    (1)硅外延片采购情况报告期内,发行人对外采购的硅外延片系 6 英寸硅外延片,主要为满足肖特
    基二极管芯片及 MOSFET 芯片生产所需,具体采购情况如下表所示:
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    采购金额(万元) - - 1658.68 4116.59
    采购数量(万片) - - 9.10 24.80
    平均采购单价(元/片) - - 182.19 165.98
    (2)6 英寸硅外延片对外销售情况报告期内,发行人 6 英寸硅外延片的对外销售情况如下表所示:
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    销售收入(万元) 5579.12 21522.91 20839.48 11901.38销量(万片) 25.79 91.62 84.53 53.71
    平均单位售价(元/片) 216.35 234.92 246.55 221.56
    (3)6 英寸硅外延片单位生产成本情况报告期内,发行人 6 英寸硅外延片的单位生产成本如下表所示:
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    单位生产成本(元/片) 133.28 119.73 103.89 126.02
    (4)硅外延片产能利用率及产销率情况报告期内,发行人硅外延片产品的产能、产量、产能利用率、销量及产销率的具体情况如下:
    单位:万片
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    产能(A) 109.31 402.41 295.41 194.81
    产量(B)(B=C+D) 93.15 319.26 294.37 184.17产能利用率(B/A) 85.22% 79.34% 99.65% 94.54%
    产量(C)(用于后道工序加工) 23.18 99.09 78.41 63.82
    产量(D)(作为产品对外销售) 69.98 220.17 215.96 120.35
    销量(E) 63.53 215.72 209.21 121.73
    产销率(E/D) 90.79% 97.98% 96.87% 101.14%
    用于后道工序加工的产量占比 24.88% 31.04% 26.64% 34.65%
    作为产品对外销售的产量占比 75.12% 68.96% 73.36% 65.35%
    (5)发行人半导体分立器件芯片生产中仅部分使用自制硅外延片,部分通
    过对外采购方式满足生产需求,而自用外自制硅外延片产品又同时对外销售的原因及合理性报告期内,发行人半导体分立器件芯片生产中仅部分使用自制硅外延片,部分通过对外采购方式满足生产需求,而自用外自制硅外延片产品又同时对外销售,主要原因包括:
    第一,从半导体分立器件芯片生产的角度。考虑到硅外延片是半导体分立器
    件芯片生产中最主要的原材料,其质量水平和稳定性会直接影响最终成品的品质,为了保证硅外延片供应的安全性和稳定性,发行人在选择主要供应商时会尽量保证同时拥有两家或以上的稳定合作关系。2018 年及以前,在发行人集团内部仅有子公司浙江金瑞泓具备硅外延片生产能力的情况下,发行人选择与行业内其他知名制造商达成合作采购关系;而自 2018 年以来,由于子公司衢州金瑞泓的硅外延片生产线开始投产并逐步释放产能,发行人便减少了对其他硅外延片供应商的采购。
    第二,从半导体硅外延片销售的角度。作为国内主要的半导体硅片生产厂商之一,发行人在国内半导体硅片行业具有较高的行业地位及较强的行业影响力,已是国内外较多知名半导体企业的重要供应商,向下游优质客户销售硅外延片并致力于达成长期稳定的合作关系是发行人进一步提升其行业竞争地位及盈利能力的重要举措。故在 2016 年行业景气度开始上升时会优先保证对下游优质客户的硅片销售,以达成长期稳定的合作关系。
    (6)外延片主要供应商是否存在为发行人分担成本、费用等利益输送情形报告期内,发行人外延片主要供应商不存在为发行人分担成本、费用等利益输送情形。
    5、硅外延片生产耗用量与半导体分立器件芯片产量的匹配情况报告期内,发行人生产半导体分立器件芯片涉及的硅外延片采购数量、产量、耗用量与半导体分立器件芯片产量的匹配情况具体如下:
    单位:万片
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    硅外延片对外采购数量(A1) - - 9.10 24.80
    硅外延片内部生产数量 23.18 99.09 78.41 63.82
    (用于后道工序加工)(A2)
    硅外延片总供应量(A=A1+A2) 23.18 99.09 87.51 88.62
    硅外延片总耗用量(B) 24.46 96.55 83.05 89.89
    硅外延片耗用量/供应量(C=B/A) 105.52% 97.44% 94.90% 101.43%
    肖特基二极管芯片产量(D1) 22.46 80.21 67.51 76.84
    MOSFET 芯片产量(D2) 1.25 13.12 15.11 9.56
    半导体分立器件芯片产量(D=D1+D2) 23.70 93.33 82.62 86.40半导体分立器件芯片投入产出比
    (E=D/B)
    96.89% 96.66% 99.48% 96.12%
    由上表可见,报告期内,发行人硅外延片采购(生产)、耗用量与半导体分立器件芯片产量间匹配关系合理,匹配程度较高。
    6、多晶硅及石墨件的采购情况
    (1)多晶硅报告期内,发行人多晶硅的采购情况具体如下:
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    采购金额(万元) 1386.36 7208.63 5520.83 3766.05
    采购数量(千克) 73085 373935 289440 218925
    平均单价(元/千克) 189.69 192.78 190.74 172.02
    1)多晶硅主要供应商采购价格情况
    报告期各期,发行人采购的多晶硅平均价格分别为 172.02 元/千克、190.74元/千克、192.78 元/千克和 189.69 元/千克,发行人对多晶硅主要供应商的采购平均价格变动情况如下:
    单位:元/千克
    供应商名称 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    Iwatani Corporation - - 176.16 184.55
    Wacker Chemie AG 221.48 214.25 218.63 114.02青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司
    167.26 174.34 179.49 179.49
    2)多晶硅市场价格波动情况报告期内,国内主流厂商的国产原生多晶硅的平均价格变动情况如下:
    数据来源:wind 资讯报告期内,国外主流厂商进口原生多晶硅的平均价格变动情况如下:
    数据来源:wind 资讯报告期内,国内外厂商的多晶硅平均价格在 2017 年度有所波动,2018 年度以来,多晶硅市场价格整体呈下降趋势。
    3)多晶硅采购价格公允性及合理性情况
    ① 多晶硅采购价格的公允性
    A、多晶硅采购价格与市场价格变动趋势对比情况报告期内,国内外厂商的多晶硅平均价格在 2017 年度有所波动, 2018 年度以来,多晶硅市场价格整体呈下降趋势。
    发行人向 Wacker Chemie AG 采购的多晶硅平均价格因采购品种由品质较为
    一般的多晶硅品种改为采购品质更好、价格更贵的 8 英寸硅片用的电子级多晶硅
    从而导致 2018 年度大幅上升,除此以外,发行人向其余多晶硅主要供应商的采购平均价格均呈下降趋势,与多晶硅市场价格的变动趋势较为一致。
    B、青海黄河上游水电开发有限责任公司入股金瑞泓微电子前后发行人向其采购价格的变动情况及其合理性青海黄河上游水电开发有限责任公司作为发行人子公司金瑞泓微电子的创
    始股东之一于 2018 年 9 月入股并持有金瑞泓微电子 9.9%的股权。
    从入股前后的采购平均价格来看,2017 年与 2018 年发行人向青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司采购的平均价格为 179.49 元/千克,而 2019年的平均价格为 174.34 元/千克,入股前后采购平均价格未发生显著变化。
    从与其他第三方供应商的采购平均价格变动趋势对比来看,2018 年至 2019年,发行人向 Wacker Chemie AG 采购的平均价格略有下降,变动趋势与发行人向青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司的采购平均价格变动趋势
    较为一致。
    因此,在青海黄河上游水电开发有限责任公司入股金瑞泓微电子前后,发行人向其的采购价格未发生显著变化,变动趋势与其他第三方供应商较为一致。
    ② 不同供应商采购价格差异及其合理性
    2017 年度,发行人向 Wacker Chemie AG 采购的多晶硅平均价格显著较低,而向青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司的采购价格略低于
    Iwatani Corporation,主要是由于:第一,2017 年度及以前,发行人向 Wacker
    Chemie AG 采购的多晶硅主要用于生产性能要求较低的硅片产品,品质较为一般,原材料品质及后续应用的差异导致了发行人 Wacker Chemie AG 的采购平均价格较低;第二,发行人向青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司以及 Iwatani Corporation 采购的均系主流硅片生产所需的多晶硅,但在报告期前期,Iwatani Corporation 的进口多晶硅在品质管理等方面要好于国内厂商,因此其采购定价较高,而近年来随着如青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司等国内厂商的产品竞争力不断加强,价格差异已经越来越小。
    2018 年开始,发行人向 Wacker Chemie AG 采购的多晶硅平均价格则高于其他供应商,主要是由于发行人于 2018 年与 Wacker Chemie AG 签订采购协议,将向其大批量采购 8 英寸硅片用的电子级多晶硅,该部分多晶硅由于品质优异单位售价较高。
    (2)石墨件报告期内,发行人石墨件的采购情况具体如下:
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    采购金额(万元) 1193.86 4841.36 3550.94 2459.82
    采购数量(只) 5285 27167 24493 18422
    平均单价(元/只) 2258.96 1782.07 1449.78 1335.26
    1)石墨件主要供应商采购价格情况
    报告期各期,发行人采购的石墨件平均价格分别为 1335.26 元/只、1449.78元/只、1782.07 元/只和 2258.96 元/只,其中,发行人对各年度采购金额超过 500万元的石墨件主要供应商的采购平均价格变动情况如下:
    供应商
    2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度采购金
    额(万元)平均单价(元/只)采购金
    额(万元)平均单
    价(元/只)采购金
    额(万元)平均单
    价(元/只)采购金
    额(万元)平均单
    价(元/只)
    SGL CARBON
    LLC
    58.28 19427.21 1016.54 23050.74 782.85 23092.92 454.14 24416.13西格里特种石墨(上海)有限公司
    323.98 3669.05 1699.86 3052.92 873.05 4352.19 536.75 3191.14烟台美尔森石墨有限公司
    153.08 987.61 629.71 658.07 479.46 502.16 343.48 571.80苏州市鼎源贸易有限公司
    223.34 17049.07 639.40 17614.25 125.47 21266.10 - -
    2)石墨件市场价格情况
    石墨件主要用于半导体硅片的单晶工序生产,根据生产过程中对于不同石墨件功能需求的不同,发行人采购的石墨件包括基座、底托、保温内筒、盖板、导气筒、保护内套、托柄、导流板、反射板、加热器等,上述不同石墨件可以在不同的生产部位和环节发挥各自发热、保温、导流等不同的功能。
    由于石墨件品类繁多且在材质、纯度、尺寸、形状等各个方面存在较大差异,目前尚无对于各品类石墨件市场价格的公开统计。
    3)石墨件采购价格公允性及合理性情况
    ① 石墨件采购价格的公允性报告期内,发行人石墨件采购的主要供应商包括 SGL CARBON LLC、西格里特种石墨(上海)有限公司、烟台美尔森石墨有限公司、苏州市鼎源贸易有限公司,发行人与上述供应商不存在关联关系或日常购销交易以外的其他利益关系,石墨件采购价格系交易双方基于当时市场情况协商制定,交易价格具备公允性。
    ② 不同供应商采购价格差异及其合理性报告期内,发行人向石墨件主要供应商的采购价格存在较大差异,向 SGLCARBON LLC 和苏州市鼎源贸易有限公司的采购价格远高于其他主要供应商,而向烟台美尔森石墨有限公司的采购价格最低,主要原因包括:
    第一,石墨件材质差异。发行人向 SGL CARBON LLC 采购的主要是碳化硅
    涂层石墨产品,向苏州市鼎源贸易有限公司采购的主要是膨化石墨产品,向西格里特种石墨(上海)有限公司与烟台美尔森石墨有限公司采购的主要是等静压石墨产品。不同材质的石墨件产品由于成本、用途、供求关系等不同导致市场价格差异较大,一般来说,碳化硅涂层石墨产品和膨化石墨产品的价格要远高于等静压石墨产品。
    第二,石墨件纯度及尺寸差异。作为石墨行业龙头企业,西格里特种石墨(上海)有限公司销售的石墨件均为高纯度高品质产品,而烟台美尔森石墨有限公司的石墨件因产品纯化等级略低,故相对于西格里特种石墨(上海)有限公司生产的同规格等静压石墨产品,其价格较为便宜;另外,发行人向西格里特种石墨(上海)有限公司采购的石墨件相当一部分是 22 寸及以上的大尺寸部件,而向烟台美尔森石墨有限公司采购的主要是 20 寸以内的小尺寸产品,尺寸差异对于产品价格亦存在较大影响,一般来说,相同材质的石墨产品,大尺寸的产品价格要高于小尺寸的产品价格。
    7、主要委托加工厂商情况及与发行人关系
    (1)主要委托加工厂商情况
    ① 天水华天电子集团股份有限公司
    A、2002 年设立至 2006 年整体变更的历史沿革
    a、2002 年天水华天微电子有限公司(天水华天电子集团股份有限公司前身)成立
    为组建天水华天微电子有限公司,天水永红器材厂五届二次职工代表大会于
    2002 年 7 月 6 日表决通过了《天水华天微电子有限公司组建方案》、《天水永红器材厂职工入股方案》和《天水永红器材厂工会会员持股管理办法》等。天水华天微电子有限公司注册资本 1680 万元,其中永红厂工会出资 520.7 万元,永红厂职工出资 1159.3 万元,共有 1565 名职工参与入股。
    鉴于当时《公司法》规定除国有独资公司外其他有限责任公司股东至少为 2名,单独以永红厂工会的名义不能设立天水华天微电子有限公司,永红厂工会遂决定将部分出资委托第三方代持。2002 年 7 月 16 日,永红厂工会与吉林华微电子股份有限公司签署《委托持股协议》,永红厂工会委托吉林华微电子股份有限公司持有出资 856.80 万元,占注册资本的 51%。2002 年 7 月 25 日,天水华天微电子有限公司在天水市工商局注册登记,并领取了注册登记号为
    6205001001574 的《企业法人营业执照》,设立登记情况如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 吉林华微电子股份有限公司 856.80 51.00%
    2 永红厂工会 823.20 49.00%
    合计 -- 1680.00 100.00%
    出资职工中肖胜利、刘建军、张玉明、宋勇、耿树坤、常文瑛、崔卫兵、杜忠鹏、杨前进、陈建军、薛延童、周永寿、乔少华、张兴安、边席科、韩承真等
    16 名自然人共出资 146 万元,合计持有 8.69%的股权。实际出资情况如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
1
    出资职工 1159.30 69.01%
    其中:肖胜利 15.00 0.89%
    刘建军 10.00 0.60%
    张玉明 15.00 0.89%
    宋勇 10.00 0.60%
    耿树坤 10.00 0.60%
    常文瑛 8.00 0.48%
    崔卫兵 6.00 0.36%
    杜忠鹏 8.00 0.48%
    杨前进 8.00 0.48%
    陈建军 8.00 0.48%
    薛延童 10.00 0.60%
    周永寿 6.00 0.36%
    乔少华 6.00 0.36%
    张兴安 6.00 0.36%
    边席科 10.00 0.60%
    韩承真 10.00 0.60%
    小计 146.00 8.69%
    2 永红厂工会 520.70 30.99%
    合计 -- 1680.00 100.00%
    b、2003 年重新委托 14 名自然人为代持股东
    2003 年 4 月 2 日,吉林华微电子股份有限公司和刘建军、边席科、薛延童、陈建军、崔卫兵、杨前进、杜忠鹏、徐元斌、张兴安等 9 名自然人签订《股权转让协议》,将其受永红厂工会委托持有的全部股权交由该 9 名自然人代持;同日,永红厂工会与肖胜利、张玉明、宋勇、韩承真、常文瑛等 5 名自然人签署《股权转让协议》,将其所持有的全部股权交由该 5 名自然人代持。2003 年 4
    月 16 日,天水华天微电子有限公司在天水市工商局办理变更登记,登记股权结
    构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 肖胜利 403.20 24%
    2 刘建军 235.20 14%
    3 张玉明 134.40 8%
    4 宋勇 100.80 6%
    5 韩承真 100.80 6%
    6 常文瑛 84.00 5%
    7 薛延童 84.00 5%
    8 陈建军 84.00 5%
    9 崔卫兵 84.00 5%
    10 杨前进 84.00 5%
    11 杜忠鹏 84.00 5%
    12 边席科 67.20 4%
    13 张兴安 67.20 4%
    14 徐元斌 67.20 4%
    合计 -- 1680.00 100.00%
    实际股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
1
    出资职工 1002.70 59.98%
    其中:肖胜利 15.00 0.89%
    刘建军 10.00 0.60%
    张玉明 15.00 0.89%
    宋勇 10.00 0.60%
    耿树坤 10.00 0.60%
    常文瑛 8.00 0.48%
    崔卫兵 6.00 0.36%
    杜忠鹏 8.00 0.48%
    杨前进 8.00 0.48%
    陈建军 8.00 0.48%
    薛延童 10.00 0.60%
    周永寿 6.00 0.36%
    乔少华 6.00 0.36%
    张兴安 6.00 0.36%
    边席科 10.00 0.60%
    韩承真 10.00 0.60%
    小计 146.00 8.69%
    2 永红厂工会 677.30 40.32%
    合计 -- 1680.00 100.00%
    c、2003 年增资 1000 万元
    2003 年 8 月 8 日,天水华天微电子有限公司决定将注册资本由 1680 元增
    加至 2680 万元,由 16 名自然人股东中除乔少华外的其余 15 名自然人认缴,
    该 15 名自然人为天水华天微电子有限公司的核心管理团队。具体情况如下表:
    序号 股东名称 新增出资(万元)
    1 肖胜利 180.00
    2 刘建军 140.00
    3 张玉明 80.00
    4 宋勇 60.00
    5 耿树坤 60.00
    6 常文瑛 50.00
    7 崔卫兵 50.00
    8 杜忠鹏 50.00
    9 杨前进 50.00
    10 陈建军 50.00
    11 薛延童 50.00
    12 周永寿 50.00
    13 张兴安 40.00
    14 边席科 40.00
    15 韩承真 40.00
    合计 1000.00
    本次增资后,工商登记的股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 肖胜利 643.20 24%
    2 刘建军 375.20 14%
    3 张玉明 214.40 8%
    4 宋勇 160.80 6%
    5 韩承真 160.80 6%
    6 常文瑛 134.00 5%
    7 薛延童 134.00 5%
    8 陈建军 134.00 5%
    9 崔卫兵 134.00 5%
    10 杨前进 134.00 5%
    11 杜忠鹏 134.00 5%
    12 边席科 107.20 4%
    13 张兴安 107.20 4%
    14 徐元斌 107.20 4%
    合计 -- 2680.00 100.00%
    天水华天微电子有限公司 16 名自然人股东中除乔少华外的其余 15 名股东
    向天水华天微电子有限公司增资前,考虑到 15 名自然人原有的全部出资最初以委托方式持有,为清理原有的委托出资,保证新增出资比原有出资更为清晰、规
    范,15 名自然人遂决定先向工会转让原有 140 万元的出资,而再直接出资 1000万元,该出资经过验资、工商登记等过程,出资更为清晰、规范。自 2003 年 5月 1 日至 2003 年 8 月 31 日,除受让前文 16 名自然人中 15 人的 140 万元出资外,工会还累计受让部分出资职工的 14.4 万元出资,同时向部分职工转让 6 万元出资,天水华天微电子有限公司的实际股权结构为:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 肖胜利 180.00 6.72%
    2 刘建军 140.00 5.22%
    3 张玉明 80.00 2.99%
    4 宋勇 60.00 2.24%
    5 耿树坤 60.00 2.24%
    6 常文瑛 50.00 1.87%
    7 崔卫兵 50.00 1.87%
    8 杜忠鹏 50.00 1.87%
    9 杨前进 50.00 1.87%
    10 陈建军 50.00 1.87%
    11 薛延童 50.00 1.87%
    12 周永寿 40.00 1.49%
    13 乔少华 6.00 0.22%
    14 张兴安 40.00 1.49%
    15 边席科 40.00 1.49%
    16 韩承真 60.00 2.24%
    小计 1006.00 37.54%
    其余出资职工 848.30 31.65%
    永红厂工会 825.70 30.81%
    合计 -- 2680.00 100.00%
    d、2006 年资本公积转增股本
    2005 年 12 月 28 日,天水华天微电子有限公司将 1380 万元资本公积转增注册资本,注册资本增加至 4060 万元。本次增资经工商登记的 14 名股东表决通过。上述增资行为履行工商登记前,2006 年 2 月 6 日,原工商登记的股东韩承真将其所委托持有 6%股权中的 5%交由乔少华代持,其余 1%交由周永寿代持,其余股东代持比例保持不变。本次增资暨股权转让履行工商登记变更后,工商登记的股权结构如下表:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 肖胜利 974.40 24%
    2 刘建军 568.40 14%
    3 张玉明 324.80 8%
    4 宋勇 243.60 6%
    5 常文瑛 203.00 5%
    6 薛延童 203.00 5%
    7 陈建军 203.00 5%
    8 崔卫兵 203.00 5%
    9 杨前进 203.00 5%
    10 杜忠鹏 203.00 5%
    11 周永寿 203.00 5%
    12 乔少华 203.00 5%
    13 张兴安 162.40 4%
    14 边席科 162.40 4%
    合计 -- 4060.00 100.00%
    按本次增资前注册资本计算,自 2003 年 9 月 1 日至 2006 年 4 月 30 日,工会累计受让出资职工 116.90 万元出资,其中受让韩承真 36 万元出资;并向部分职工转让 133.5 万元出资,其中工会向乔少华转让 44 万元出资,向周永寿转让
    10 万元出资。截止 2006 年 4 月 30 日,实际股权结构如下表:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 肖胜利 272.69 6.72%
    2 刘建军 212.09 5.22%
    3 张玉明 121.19 2.99%
    4 宋勇 90.90 2.24%
    5 耿树坤 90.90 2.24%
    6 常文瑛 75.75 1.87%
    7 崔卫兵 75.75 1.87%
    8 杜忠鹏 75.75 1.87%
    9 杨前进 75.75 1.87%
    10 陈建军 75.75 1.87%
    11 薛延童 75.75 1.87%
    12 周永寿 75.75 1.87%
    13 乔少华 75.75 1.87%
    14 张兴安 60.60 1.49%
    15 边席科 60.60 1.49%
    16 韩承真 36.36 0.90%
    小计 1551.28 38.21%
    其余出资职工 1282.99 31.60%
    永红厂工会 1225.73 30.19%
    合计 -- 4060.00 100.00%
    e、2006 年股权规范
    2006 年 10 月 16 日,天水华天微电子有限公司实际股东召开持股员工大会,全体持股员工通过委托方式或亲自出席方式参与表决,大会一致同意天水华天微电子有限公司减资、分立方案。2006 年 10 月 16 日,永红厂工会委员会审议通过了《天水华天微电子有限公司股权规范方案》,并决定将永红厂工会对天水华天微电子有限公司的全部出资以分立的方式投入新设公司,从而不再持有天水华天微电子有限公司股权。2006 年 12 月 7 日,天水华天微电子有限公司办理减资变更登记。2006 年 12 月 15 日,减资后的天水华天微电子有限公司实施分立,
    形成新设公司,天水华天微电子有限公司继续存续。本次减资后工商登记的股权结构如下:
    序号 股东名称
    存续公司 新设公司
    出资额(万元) 出资比例 出资额(万元) 出资比例
    1 肖胜利
    531.2661 24.00%
294.1743
24
    %
    2 刘建军
    309.9053 14.00%
171.6017
14
    %
    3 张玉明 177.0887 8.00% 98.0581 8.00%
    4 宋勇 132.8165 6.00% 73.5436 6.00%
    5 常文瑛 110.6804 5.00% 61.2863 5.00%
    6 薛延童 110.6804 5.00% 61.2863 5.00%
    7 陈建军 110.6804 5.00% 61.2863 5.00%
    8 崔卫兵 110.6804 5.00% 61.2863 5.00%
    9 杨前进 110.6804 5.00% 61.2863 5.00%
    10 杜忠鹏 110.6804 5.00% 61.2863 5.00%
    11 周永寿 110.6804 5.00% 61.2863 5.00%
    12 乔少华 110.6804 5.00% 61.2863 5.00%
    13 边席科 88.5444 4.00% 49.0290 4.00%
    14 张兴安 88.5444 4.00% 49.0290 4.00%
    合计 -- 2213.6090 100.00% 1225.7261 100.00%分立后,存续公司注册资本为 2213.6090 万元,实际股东为包括前述 16 名自然人在内的共 183 名自然人股东;新设公司的实际股东为工会。实际股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 肖胜利 272.6866 12.32%
    2 刘建军 212.0896 9.58%
    3 张玉明 121.1940 5.47%
    4 宋勇 90.8955 4.11%
    5 耿树坤 90.8955 4.11%
    6 常文瑛 75.7463 3.42%
    7 崔卫兵 75.7463 3.42%
    8 杜忠鹏 75.7463 3.42%
    9 杨前进 75.7463 3.42%
    10 陈建军 75.7463 3.42%
    11 薛延童 75.7463 3.42%
    12 周永寿 75.7463 3.42%
    13 乔少华 75.7463 3.42%
    14 张兴安 60.5970 2.74%
    15 边席科 60.5970 2.74%
    16 韩承真 36.3582 1.64%
    小计 1551.2836 70.08%
    其余 167 名自然人 662.3254 29.92%
    合计 -- 2213.6090 100.00%
    f、2006 年整体变更为股份公司
    2006 年 12 月 16 日,存续公司股东会通过决议,原存续公司工商登记的 14
    名自然人股东将其所代持的股权分别过户给实际股东即其余的 169 名自然人,并将存续公司整体变更为天水华天微电子股份有限公司。天水华天微电子股份有限公司于 2006 年 12 月 26 日办理了工商登记。详细的股权结构如下:
    序号 股东名称 股本(万股) 持股比例
    1 肖胜利 272.6866 12.32%
    2 刘建军 212.0896 9.58%
    3 张玉明 121.1940 5.47%
    4 宋勇 90.8955 4.11%
    5 耿树坤 90.8955 4.11%
    6 常文瑛 75.7463 3.42%
    7 崔卫兵 75.7463 3.42%
    8 杜忠鹏 75.7463 3.42%
    9 杨前进 75.7463 3.42%
    10 陈建军 75.7463 3.42%
    11 薛延童 75.7463 3.42%
    12 周永寿 75.7463 3.42%
    13 乔少华 75.7463 3.42%
    14 张兴安 60.5970 2.74%
    15 边席科 60.5970 2.74%
    16 韩承真 36.3582 1.64%
    小计 1551.2836 70.08%
    其余 167 名自然人 662.3254 29.92%
    合计 -- 2213.6090 100.00%
    B、2014 年 12 月 26 日至今的历史沿革
    天水华天电子集团股份有限公司 2006 年整体变更至 2014 年 12 月 26 日的工
    商变更信息未能通过其公开披露信息查询取得,2014 年 12 月 26 日至今的历史沿革情况如下:
    a、2014 年 12 月 26 日注册资本及股东变更
    2014 年 12 月 26 日,天水华天电子集团股份有限公司注册资本由 4490.0919
    万元变更为 4446.5322 万元,同时发生股东变更,本次变更后,天水华天电子集团股份有限公司股东情况为:
    序号
    股东名称 序号 股东名称 序号 股东名称 序号 股东名称
    1 周勇 47 姚自明 93 姜尔君 139 王小勇
    2 李红伟 48 马纪安 94 常文瑛 140 薛卫东
    3 宋勇 49 陈建荣 95 杨玉坤 141 孙启中
    4 王向阳 50 邵金菊 96 张东红 142 王海鸿
    5 杨伊杰 51 高峰 97 常小平 143 郭建波
    6 钟耕波 52 胥增良 98 韩冬 144 张武
    7 张雅迪 53 崔卫兵 99 郭乔 145 朱和生
    8 刘强 54 鲁旭 100 牛旺春 146 周秦贤
    9 李书金 55 李强 101 刘吉海 147 常鲲
    10 谢恩桓 56 于守都 102 孟永刚 148 魏淑芬
    11 张亚萍 57 牛社强 103 周建春 149 李广志
    12天水天资微电子产业发展中心(有限合伙)
    58 马永林 104 陶丽华 150 姜红
    13 孙桂芳 59 陈世贵 105 杨前进 151 杨维新
    14 高红梅 60 吴润霖 106 邓文利 152 谢宏安
    15 蔺兴江 61 杨永红 107 王永忠 153 牛成启
    16 李德成 62 魏孔其 108 李周 154 马勉之
    17 李保文 63 王彦琼 109 张铁成 155 郭诚实
    18 冯学贵 64 陶迎九 110 刘桂兰 156 张甲义
    19 乔友学 65 何辛峰 111 韩朝 157 杨海峰
    20 周永寿 66 张长生 112 窦志源 158天水华辉文化创意产业发展
    中心(有限合伙)
    21 索银辉 67 裴红亮 113 慕蔚 159 骆菊芬
    22 朱彦荣 68 何伟 114 高祖光 160 卫晓勇
    23 张勇 69 马昌志 115 孟郁斌 161 庞金泰
    24 张卫东 70 李海鸿 116 周维强 162 何文海
    25 梁凤志 71 窦建奎 117 王国恒 163 李秦生
    26 薛延童 72 袁雪玲 118 任江林 164 刘祖涵
    27 苏守义 73 李明奂 119 卜世太 165 尹文斌
    28天水飞泰互联网产业发展中
    74 蒲鸿鸣 120 高志武 166 李双龙
    心(有限合伙)
    29 常勇刚 75 雒建波 121 马川喜 167 陈庆伟
    30 潘海斌 76 胡小明 122 蒲彦武 168 李习周
    31 郭喜喜 77 柳树青 123 南松峰 169 乔少华
    32 胡军 78 王凤武 124 徐文亮 170 黄聚宏
    33 成军 79 张宏杰 125 陈建军 171 王德举
    34 张永平 80 颉永红 126 王荣 172 王德伟
    35 杨熹 81 任军林 127 王辉 173 吴学峰
    36 张兴安 82 宋勤福 128天水天鑫半导体产业发展中心(有限合伙)
    174 梁继安
    37 魏存晶 83天水华资集成电路产业发展中心(有限合伙)
    129 王倩 175 柴建瑞
    38 王志宏 84 赵寿庆 130 张玉明 176 伏保林
    39 谈光宗 85 徐萌 131 柳源 177 吴涛
    40 王晓春 86 陈国庆 132天水优润电子产业发展中心(有限合伙)
    178 曾硕
    41 王兴刚 87 刘志强 133 李六军 179 杨向东
    42 郭锦星 88 文世博 134 谢小平 180 赵立权
    43 丁福林 89 刘建军 135 韩莉 181 刘定斌
    44 王少雄 90 张照林 136 杜忠鹏 182 陶丽君
    45 肖胜利 91 张自飞 137 季琳 183 胡超先
    46 施长立 92 蔡志元 138 高罡 184 苏新越
    b、2017 年 10 月 27 日注册资本及股东变更
    2014 年 12 月 26 日,天水华天电子集团股份有限公司注册资本由 4446.5322
    万元变更为 5321.5322 万元,同时发生股东变更,本次变更后,天水华天电子集团股份有限公司股东情况为:
    序号 股东名称 股本(万股) 持股比例
    1 肖胜利 922.6871 17.34%
    2 肖智成 875.00 16.44%
    3 刘建军 232.0901 4.36%
    4 崔卫兵 175.7468 3.30%
    5 天水天资微电子产业发展中心(有限合伙) 162.00 3.04%
    6 张玉明 151.1946 2.84%
    7 天水华辉文化创意产业发展中心(有限合伙) 137.00 2.57%
    8 天水华资集成电路产业发展中心(有限合伙) 123.00 2.31%
    9 宋勇 120.8958 2.27%
    10 张兴安 120.8958 2.27%
    11 天水飞泰互联网产业发展中心(有限合伙) 118.00 2.22%
    12 天水天鑫半导体产业发展中心(有限合伙) 113.00 2.12%
    13 陈建军 105.7468 1.99%
    14 杨前进 105.7468 1.99%
    15 杜忠鹏 105.7468 1.99%
    16 薛延童 105.7468 1.99%
    17 周永寿 100.7468 1.89%
    18 李六军 100.00 1.88%
    19 常文瑛 95.7468 1.80%
    20 天水优润电子产业发展中心(有限合伙) 92.00 1.73%
    其余 165 名股东 1258.5410 23.65%
    合计 -- 5321.5320 100.00%
    C、股权结构
    截至 2020 年 3 月末,天水华天电子集团股份有限公司股权结构如下:
    序号 股东名称 股本(万股) 持股比例
    1 肖胜利 922.6871 17.34%
    2 肖智成 875.00 16.44%
    3 刘建军 232.0901 4.36%
    4 崔卫兵 175.7468 3.30%
    5 天水天资微电子产业发展中心(有限合伙) 162.00 3.04%
    6 张玉明 151.1946 2.84%
    7 天水华辉文化创意产业发展中心(有限合伙) 137.00 2.57%
    8 天水华资集成电路产业发展中心(有限合伙) 123.00 2.31%
    9 宋勇 120.8958 2.27%
    10 张兴安 120.8958 2.27%
    11 天水飞泰互联网产业发展中心(有限合伙) 118.00 2.22%
    12 天水天鑫半导体产业发展中心(有限合伙) 113.00 2.12%
    13 陈建军 105.7468 1.99%
    14 杨前进 105.7468 1.99%
    15 杜忠鹏 105.7468 1.99%
    16 薛延童 105.7468 1.99%
    17 周永寿 100.7468 1.89%
    18 李六军 100.00 1.88%
    19 常文瑛 95.7468 1.80%
    20 天水优润电子产业发展中心(有限合伙) 92.00 1.73%
    其余 165 名股东 1258.5410 23.65%
    合计 -- 5321.5320 100.00%
    D、主要管理人员
    截至 2020 年 3 月末,天水华天电子集团股份有限公司主要管理人员如下:
    序号 姓名 职务
    1 肖胜利 董事长
    2 崔卫兵 董事、总经理
    3 刘建军 董事
    4 陈建军 董事
    5 张玉明 董事
    6 宋勇 董事
    7 李六军 董事
    8 周永寿 董事
    9 张兴安 董事
    10 徐冬梅 副总经理
    11 杨前进 副总经理
    12 孙莉 监事
    13 李生斌 监事
    14 杜忠鹏 监事
    ②泰州明昕微电子有限公司
    A、历史沿革
    2011 年 1 月 24 日,宁波明昕微电子股份有限公司与大恒新纪元科技股份有
    限公司共同出资设立泰州明昕微电子有限公司,注册资本 14100 万元,其中宁波明昕微电子股份有限公司认缴出资 14000 万元,大恒新纪元科技股份有限公司认缴出资 100 万元,股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 宁波明昕微电子股份有限公司 14000.00 99.30%
    2 大恒新纪元科技股份有限公司 100.00 0.70%
    合计 -- 14100.00 100.00%
    2015 年 1 月 16 日,宁波明昕微电子股份有限公司将其持有的泰州明昕微电
    子有限公司已到位出资 14000 万元全部转让给大恒新纪元科技股份有限公司。
    本次股权转让完成后,泰州明昕微电子有限公司股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 大恒新纪元科技股份有限公司 14100.00 100.00%
    合计 -- 14100.00 100.00%
    B、股权结构
    截至 2020 年 3 月末,泰州明昕微电子有限公司股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 大恒新纪元科技股份有限公司 14100.00 100.00%
    合计 -- 14100.00 100.00%
    C、主要管理人员
    截至 2020 年 3 月末,泰州明昕微电子有限公司主要管理人员如下:
    序号 姓名 职务
    1 胡毅博 执行董事兼总经理
    2 王国强 监事
    ③四川立泰电子有限公司
    A、历史沿革
    2007 年 1 月 24 日,厦门市尚明达机电工业有限公司与香港立裕科技有限公
    司共同出资设立四川立泰电子有限公司,注册资本 1000 万元,其中厦门市尚明达机电工业有限公司认缴出资 600 万元,香港立裕科技有限公司认缴出资 400 万元,股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 厦门市尚明达机电工业有限公司 600.00 60.00%
    2 香港立裕科技有限公司 400.00 40.00%
    合计 -- 1000.00 100.00%
    2010 年 12 月 6 日,四川立泰电子有限公司增加注册资本 600 万元,由陈子明出资认缴。本次增资后,四川立泰电子有限公司注册资本由 1000 万元增加至
    1600 万元,股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 陈子明 600.00 37.50%
    2 厦门市尚明达机电工业有限公司 600.00 37.50%
    3 香港立裕科技有限公司 400.00 25.00%
    合计 -- 1600.00 100.00%
    2011 年 9 月 9 日,四川立泰电子有限公司增加注册资本 500 万元,由原股
    东陈子明、厦门市尚明达机电工业有限公司以及香港立裕科技有限公司同比例出资。本次增资后,四川立泰电子有限公司注册资本由 1600 万元增加至 2100 万元,股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 陈子明 787.50 37.50%
    2 厦门市尚明达机电工业有限公司 787.50 37.50%
    3 香港立裕科技有限公司 525.00 25.00%
    合计 -- 2100.00 100.00%
    B、股权结构
    截至 2020 年 3 月末,四川立泰电子有限公司股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 陈子明 787.50 37.50%
    2 厦门市尚明达机电工业有限公司 787.50 37.50%
    3 香港立裕科技有限公司 525.00 25.00%
    合计 -- 2100.00 100.00%
    C、主要管理人员
    截至 2020 年 3 月末,四川立泰电子有限公司主要管理人员如下:
    序号 姓名 职务
    1 陈子明 董事长
    2 凌刚 董事
    3 蔡少峰 董事
    4 吕晓英 监事
    ④山东芯诺电子科技股份有限公司
    A、历史沿革
    2010 年 8 月 16 日,山东芯诺电子科技股份有限公司前身山东芯诺电子科技有限公司经济宁市兖州区工商行政管理局依法登记设立。设立时注册资本人民币1000 万元,均为货币出资,其中王天峰出资 500 万元,陈广芝出资 300 万元,尹志华出资 200 万元。王天峰、陈广芝的股权系为山东迪一电子科技有限公司代持,设立时股东出资情况及股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 王天峰(代山东迪一电子科技有限公司持有) 500.00 50.00%
    2 陈广芝(代山东迪一电子科技有限公司持有) 300.00 30.00%
    3 尹志华 200.00 20.00%
    合计 -- 1000.00 100.00%
    2014 年 7 月 16 日,山东芯诺电子科技有限公司召开股东会,全体股东一致
    同意:(1)陈广芝将其持有公司 30.00%的股权转让给陈广立;(2)将公司住所
    变更为济宁市兖州区兖颜路路北(天齐庙村村西)。2014 年 7 月 16 日,在山东迪一电子科技有限公司的授权下,陈广芝与陈广立双方签署了《股权转让协议》,
    双方协商每一元出资作价 1 元,对应出资额 300 万元,平价转让给陈广立。本次股权转让中,转让方陈广芝与受让方陈广立为兄妹关系。本次转让后,由王天峰和陈广立代山东迪一电子科技有限公司持有山东芯诺电子科技有限公司共 80%的股权。2014 年 7 月 23 日,济宁市兖州区工商行政管理局对上述股权转让准予变更登记,本次股权转让后股东出资情况及股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 王天峰(代山东迪一电子科技有限公司持有) 500.00 50.00%
    2 陈广立(代山东迪一电子科技有限公司持有) 300.00 30.00%
    3 尹志华 200.00 20.00%
    合计 -- 1000.00 100.00%
    2015 年 6 月 2 日,山东芯诺电子科技有限公司召开股东会,全体股东一致
    同意:王天峰和陈广立将其各自持有的公司 50%和 30%的股权平价转让给山东
    迪一电子科技有限公司。同日,王天峰、陈广立与山东迪一电子科技有限公司签
    订了《股权转让协议》。本次股权转让后,王天峰、陈广立和山东迪一电子科技有限公司之间的股权代持关系得以解除。2015 年 6 月 11 日,济宁市兖州区工商行政管理局对上述股权转让准予变更登记,本次股权转让后股东出资情况及股权结构如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 山东迪一电子科技有限公司 800.00 80.00%
    2 尹志华 200.00 20.00%
    合计 -- 1000.00 100.00%
    2015 年 7 月 21 日,山东芯诺电子科技有限公司召开股东会,全体股东一致
    同意:(1)公司注册资本由 1000 万元增加至 4000 万元,本次增资价格为每
    一元出资作价 1 元,其中山东迪一电子科技有限公司增资 2200 万元,上海鲁郡
    投资管理合伙企业(有限合伙)增资 800 万元,新增出资额在 2025 年 7 月 20日之前全部缴清;(2)公司经营范围变更为:芯片的加工、制造、销售;货物及技术进出口业务(国家限定机禁止的物资及技术除外)。2015 年 7 月 27 日,济宁市兖州区工商行政管理局对上述增资事项进行了变更登记,本次增资后股东出资情况如下:
    序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例
    1 山东迪一电子科技有限公司 3000.00 75.00%
    2 上海鲁郡投资管理合伙企业(有限合伙) 800.00 20.00%
    3 尹志华 200.00 5.00%
    合计 -- 4000.00 100.00%
    2016 年 2 月 1 日,华普天健会计师事务所(特殊普通合伙)出具的会审字
    [2016]第 0234 号《审计报告》,确认截至 2015 年 12 月 31 日山东芯诺电子科技有限公司的净资产为 44798992.90 元。2016 年 2 月 5 日,中铭国际资产评估(北京)有限责任公司出具的中铭评报字[2016]第 7001 号《评估报告》,确认截至评估基准日 2015 年 12 月 31 日,山东芯诺电子科技有限公司净资产评估价值为
    48753540.05 元。2016 年 2 月 5 日,山东芯诺电子科技有限公司召开临时股东会,全体股东一致同意作为发起人,以 2015 年 12 月 31 日为改制基准日,以经审计的账面净资产值按 1:0.8929 的比例折合为 4000 万股,整体变更为股份公司,扣除股本后的余额 4798992.90 元计入资本公积。2016 年 3 月 7 日,经济宁市工商行政管理局依法登记,山东芯诺电子科技股份有限公司成立,设立时的股权结构如下:
    序号 股东名称 持股数量(万股) 持股比例
    1 山东迪一电子科技有限公司 3000.00 75.00%
    2 上海鲁郡投资管理合伙企业(有限合伙) 800.00 20.00%
    3 尹志华 200.00 5.00%
    合计 -- 4000.00 100.00%
    经 2017 年 12 月 31 日召开的 2017 年第九次临时股东大会审议通过,山东芯诺电子科技股份有限公司向济宁市兖州区科创鑫融股权投资基金合伙企业(有限合伙)以 4.78 元/股定向发行 440 万股,募集资金 2103.20 万元。2018 年 7 月 27日,山东芯诺电子科技股份有限公司完成上述变更登记,本次发行后股权结构如下:
    序号 股东名称 持股数量(万股) 持股比例
    1 山东迪一电子科技有限公司 3000.00 67.57%
    2 上海鲁郡投资管理合伙企业(有限合伙) 800.00 18.02%
    3济宁市兖州区科创鑫融股权投资基金合
    伙企业(有限合伙)
    440.00 9.91%
    4 尹志华 200.00 4.50%
    合计 -- 4440.00 100.00%
    B、股权结构
    截至 2019 年末,山东芯诺电子科技股份有限公司股权结构如下:
    序号 股东名称 持股数量(万股) 持股比例
    1 上海鲁郡投资管理合伙企业(有限合伙) 3792.60 85.42%
    2济宁市兖州区科创鑫融股权投资基金合
    伙企业(有限合伙)
    440.00 9.91%
    3 尹志华 200.00 4.50%
    4 其他股东 7.40 1.66%
    合计 -- 4440.00 100.00%
    C、主要管理人员
    截至 2019 年末,山东芯诺电子科技股份有限公司主要管理人员如下:
    序号 姓名 职务
    1 陈钢全 董事长
    2 陈广芝 董事
    3 王天峰 董事
    4 史国顺 董事、总经理
    5 徐明星 董事、副总经理
    6 裘国营 监事会主席
    7 赵福健 监事
    8 张永霞 监事
    9 石海强 副总经理
    10 王宪霞 财务总监
    11 杨勇 副总经理
    ⑤上海先进半导体制造有限公司
    A、历史沿革
    a、上海先进半导体制造有限公司成立至 H 股上市的股权变动情况1988 年,上海先进半导体制造有限公司前身上海飞利浦半导体公司成立,成立时注册资本 1600 万美元,由 N.V.Philips’ Gloeilampen Fabrieken 与上海无线
    电七厂分别持有 51%及 49%股权,为中外合资企业。其中,上海无线电七厂为
    上海久事公司、上海元件五厂、上海无线电十九厂分别代持 14.7%、14.7%及 4.9%的股权。
    1992 年,上海无线电七厂、上海元件五厂以及上海无线电十九厂分别转让
    其持有的 4.9%、14.7%及 4.9%股权至中国银行上海信托咨询公司,上述股权依然由上海无线电七厂代持。
    1994 年,中国银行上海信托咨询公司及上海久事公司取消与上海无线电七
    厂的股权代持安排,代持恢复后,N.V.Philips’ Gloeilampen Fabrieken、中国银行
    上海信托咨询公司、上海久事公司、上海无线电七厂的持股比例分别为 51%、
    24.5%、14.7%、9.8%。
    1994 年,上海飞利浦半导体公司增加注册资本,增资完成后中国银行上海
    信托咨询公司、上海久事公司、上海无线电七厂的持股比例分别为 18%、8%、
    2%。
    1995 年,上海飞利浦半导体公司更名为“上海先进半导体制造有限公司”。
    1996 年,因中国银行上海信托咨询公司遭清算,中国银行上海分行收购并
    承接其持有的 18%股权。本次转让完成后,飞利浦电子(中国)有限公司、加拿大北方电讯(后更名为“北电网络有限公司”)、中国银行上海分行、上海久事公司、上海无线电七厂分别持股 38%、34%、18%、8%、2%。
    2000 年,加拿大北方电讯将其持有的 34%股权转让至上海贝岭股份有限公司。本次转让完成后,飞利浦电子(中国)有限公司、上海贝岭股份有限公司、中国银行上海分行、上海久事公司、上海无线电七厂分别持股 38%、34%、18%、
    8%、2%。
    2002 年 6 月 14 日,公司注册资本由 7200 万美元增加至 10880 万美元,由原股东按持股比例同比例增资。
    2002 年 11 月 21 日,中国银行上海分行与上海无线电七厂分别将其持有的
    18%与 2%股权转让给上海东方资产管理有限公司,上海久事公司将其持有的 8%股权转让给上海化学工业区投资实业有限公司。本次转让完成后,飞利浦电子(中国)有限公司、上海贝岭股份有限公司、上海东方资产管理有限公司、上海化学工业区投资实业有限公司分别持股 38%、34%、20%、8%。
    2003 年 1 月 22 日,飞利浦电子(中国)有限公司、上海东方资产管理有限
    公司、上海化学工业区投资实业有限公司及上海贝岭股份有限公司分别将其持有
    的 1.14%、0.6%、0.24%、1.02%股权转让给 Lanmax International Limited,上海
    化学工业区投资实业有限公司将其 6%股权转让给上海化学工业区(香港)有限公司。本次转让完成后,飞利浦电子(中国)有限公司、上海贝岭股份有限公司、上海东方资产管理有限公司、上海化学工业区(香港)有限公司、LanmaxInternational Limited、上海化学工业区投资实业有限公司分别持股 36.86%、
    32.98%、19.4%、6%、3%、1.76%。
    2003 年 7 月 14 日,上海先进半导体制造有限公司注册资本由 10880 万美元
    增至 33780 万美元,各股东持股比例不变。
    2003 年 8 月 28 日,上海贝岭股份有限公司将其持有的 8.24%及 16.98%股权
    分别转让给上海化学工业区投资实业有限公司与上海化学工业区(香港)有限公司。本次转让完成后,飞利浦电子(中国)有限公司、上海化学工业区(香港)有限公司、上海东方资产管理有限公司、上海化学工业区投资实业有限公司、上海贝岭股份有限公司及 Lanmax International Limited 分别持股 36.86%、22.98%、
    19.4%、10%、7.76%、3%。
    2004 年 3 月 2 日,上海先进半导体制造有限公司改制为外商投资股份有限公司,更名为“上海先进半导体制造股份有限公司”,发起人为飞利浦电子(中国)有限公司、上海化学工业区(香港)有限公司、上海东方资产管理有限公司、上海化学工业区投资实业有限公司、上海贝岭股份有限公司及 Lanmax InternationalLimited,各股东持股情况如下:
    序号 股东名称 持股数量(万股) 持股比例
    1 飞利浦电子(中国)有限公司 40880.69 36.86%
    2 上海化学工业区(香港)有限公司 25486.66 22.98%
    3 上海东方资产管理有限公司 21516.15 19.40%
    4 上海化学工业区投资实业有限公司 11090.80 10.00%
    5 上海贝岭股份有限公司 8606.46 7.76%
    6 Lanmax International Limited 3327.24 3.00%
    合计 -- 110908.00 100.00%
    2006 年 4 月 7 日,上海先进半导体制造股份有限公司于 H 股公开发行股份并上市,发行完成后股本变更为 153422.70 万股。
    b、上海先进半导体制造股份有限公司私有化
    2019 年 1 月 25 日,上海积塔半导体有限公司完成对上海先进半导体制造股份有限公司私有化。
    2019 年 9 月 23 日,上海先进半导体制造股份有限公司完成工商变更登记,企业类型由股份有限公司变更为有限责任公司,更名为“上海先进半导体制造有限公司”,由上海积塔半导体有限公司持有 100%股权。
    B、股权结构
    截至 2019 年末,上海先进半导体制造有限公司的股东为上海积塔半导体有限公司。
    C、主要管理人员
    截至 2019 年末,上海先进半导体制造有限公司主要管理人员如下:
    序号 姓名 职务
    1 董浩然 执行董事
    2 洪枫(Hong Feng) 总经理
    3 虞俭 监事
    ⑥贵研铂业股份有限公司
    A、历史沿革
    贵研铂业股份有限公司于 2000 年 9 月 25 日设立,设立时总股本 4595 万股。
    经云南省人民政府云政复(2000)138 号文批准,昆明贵金属研究所作为主发起人作为主发起人将经云南亚太会计师事务所有限公司评估并经国家财政部审核
    的净资产 5933.63 万元,按 65.053%的折股比例折为 3860 万股,占总股本的
    84.0044%。其他各发起人均以现金出资,同比例折股,具体股权比例为:云南铜业(集团)有限公司和红塔创新投资股份有限公司分别持有 230 万股,分别占总股本的 5.0054%;云南烟草兴云投资股份有限公司持有 140 万股,占总股本的
    3.0468%;中国有色金属工业技术开发交流中心持有 50 万股,占总股本的
    1.0881%;国信证券有限责任公司持有 40 万股,占总股本的 0.8705%;昆明冶金
    研究院持有 25 万股,占总股本的 0.5441%;云南力宇高新技术发展中心持有 20万股,占总股本的 0.4353%。设立时,贵研铂业股份有限公司股权结构如下:
    序号 股东名称 持股数量(万股) 持股比例
    1 昆明贵金属研究所 3860.00 84.0044%
    2 云南铜业(集团)有限公司 230.00 5.0054%
    3 红塔创新投资股份有限公司 230.00 5.0054%
    4 云南烟草兴云投资股份有限公司 140.00 3.0468%
    5 中国有色金属工业技术开发交流中心 50.00 1.0881%
    6 国信证券有限责任公司 40.00 0.8705%
    7 昆明冶金研究院 25.00 0.5441%
    8 云南力宇高新技术发展中心 20.00 0.4353%
    合计 -- 4595.00 100.00%
    2003 年 2 月 13 日,由于证券公司拥有的非证券类资产应该依照有关法律法
    规和中国证监会的规定进行清理,国信证券有限责任公司与太原高科耐火材料有限公司签订转让协议,将其拥有的贵研铂业股份有限公司股份转让给该公司。本次转让完成后,贵研铂业股份有限公司股权结构如下:
    序号 股东名称 持股数量(万股) 持股比例
    1 昆明贵金属研究所 3860.00 84.0044%
    2 云南铜业(集团)有限公司 230.00 5.0054%
    3 红塔创新投资股份有限公司 230.00 5.0054%
    4 云南烟草兴云投资股份有限公司 140.00 3.0468%
    5 中国有色金属工业技术开发交流中心 50.00 1.0881%
    6 太原高科耐火材料有限公司 40.00 0.8705%
    7 昆明冶金研究院 25.00 0.5441%
    8 云南力宇高新技术发展中心 20.00 0.4353%
    合计 -- 4595.00 100.00%
    经中国证监会证监发行字【2003】32 号文核准,贵研铂业股份有限公司于
    2003 年 4 月 21 日以 100%向二级市场投资者定价配售发行方式成功地发行了人
    民币普通股 4000 万股,每股面值 1.00 元,每股发行价 6.80 元。此次发行成功后,贵研铂业股份有限公司的总股本为 8595 万股,注册资本为 8595 万元。
    B、股权结构
    截至 2020 年 3 月末,贵研铂业股份有限公司前十大股东情况如下:
    序号 股东名称 持股数量(万股) 持股比例
    1 云南省贵金属新材料控股集团有限公司 17352.44 39.64
    2 全国社保基金四一四组合 1305.94 2.98
    3 香港中央结算有限公司 345.20 0.79
    4 乐旻 250.00 0.57
    5 乔祥胜 240.86 0.55
    6 红塔创新投资股份有限公司 220.00 0.50
7
    中国建设银行股份有限公司-南方瑞合
    三年定期开放混合型发起式证券投资基金(LOF)
    198.64 0.45
    8 赵金航 151.34 0.35
9
    中国建设银行股份有限公司-国泰国证有色金属行业指数分级证券投资基金
    117.92 0.27
    10 曹仁均 107.79 0.25
    C、主要管理人员
    截至 2020 年 3 月末,贵研铂业股份有限公司主要管理人员如下:
    序号 姓名 职务
    1 郭俊梅 董事长
    2 潘再富 董事、总经理
    3 胥翠芬 董事、副总经理、财务总监
    4 缪宜生 董事
    5 刘海兰 独立董事
    6 王梓帆 独立董事
    7 纳鹏杰 独立董事
    8 庄滇湘 监事会主席
    9 陈力 监事
    10 郑春莉 职工监事
    11 陈登权 副总经理
    12 熊庆丰 副总经理
    13 刚剑 副总经理、董事会秘书
    14 左川 副总经理
    15 杨涛 副总经理
    (2)主要委托加工厂商是否与发行人、实际控制人、董监高及其他关联方存在关联关系报告期内,发行人主要委托加工厂商与发行人、实际控制人、董监高及其他关联方不存在关联关系。
    (3)发行人实际控制人、股东及董监高以及报告期转让或注销的关联方与
    主要委托加工厂商是否存在资金或业务往来,是否存在委托加工厂商为发行人分推成本、承担费用或输送利益的情形报告期内,发行人实际控制人、股东及董监高以及报告期转让或注销的关联方与主要委托加工厂商不存在资金或业务往来,不存在委托加工厂商为发行人分推成本、承担费用或输送利益的情形。
    (六)发行人环境保护与安全生产情况
    1、安全生产情况
    公司自设立以来高度重视安全生产工作,先后制定了《安全生产责任制》、《消防安全管理制度》、《生产安全事故应急救援预案》、《员工环境、健康、安全指导手册》等安全管理操作规程,严格规范安全生产相关工作,并有针对性建立了安全预案。报告期内,公司严格执行安全生产相关制度,未发生重大安全生产事故。
    (1)报告期内安全生产情况
    ①生产安全公司在生产过程中严格执行各项安全管理制度和安全操作规程。公司选用先进合理和成熟可靠的工艺流程,设置必要的报警、联锁、自动控制系统,当有事故发生时,各安全系统动作,使生产按要求停机或排除故障;公司生产设备设施完好,安全设施和应急器材齐全,特种设备及消防器材定期委托检测合格;公司设有安全管理机构,并配备专职安全管理员。
    公司生产过程中涉及《危险化学品目录(2015 年版)》中部分危险化学品的使用,主要包括氢氟酸、丙酮、硫酸、盐酸、过氧化氢溶液、硝酸、氯气、磷化氢等,属于使用危险化学品从事生产的企业。发行人已经按照《危险化学品安全管理条例(国务院令第 591 号)》、《浙江省危险化学品安全管理实施办法(浙江省人民政府令第 184 号)》等法律法规的要求,办理了危险化学品相关的备案、审批和登记手续,建立健全了使用危险化学品的安全管理规章制度和安全操作规程,并依法对废弃危险化学品进行处置。发行人危险化学品使用合法、合规,不存在违法违规行为。
    根据《危险化学品安全管理条例(国务院令第 591 号)》第二十二条及第三
    十二条,公司应当委托具备国家规定的资质条件的机构,对本企业的安全生产条
    件每 3 年进行一次安全评价,提出安全评价报告,并报所在地县级人民政府安全
    生产监督管理部门备案。截至本签署日,公司已委托杭州安全生产科学技术有限公司(资质编号:APJ-(国)-265)于 2017 年 11 月 23 日出具了《杭州立昂微电子股份有限公司安全现状评价报告(危险化学品使用)(杭安科【评】
    字第 234-2017 号)》,并且已于 2018 年 7 月 5 日在杭州市经济技术开发区安全生
    产监督管理局完成备案(杭经安备(危)字 20180014 号);浙江金瑞泓已委托宁
    波国际投资咨询有限公司(资质编号:APJ-(国)-112)于 2018 年 1 月 5 日出
    具了《浙江金瑞泓科技股份有限公司安全现状评价报告》,并且已于 2018 年 1 月
    22 日在宁波保税区安全生产监督管理局完成备案;衢州金瑞泓已委托宁波市国际招标有限公司(资质编号:APJ-(浙)-311)于 2018 年 9 月 12 日出具了《金瑞泓科技(衢州)有限公司危险化学品使用项目安全现状评价报告》,并且已于
    2019 年 3 月 14 日在衢州绿色产业集聚区管理委员会安全生产监督管理局完成备
   案。
    ②消防安全
    公司严格落实消防安全责任制,确定消防安全重点部位,建立消防档案,制定消防管理制度、灭火和应急疏散预案;公司按照国家标准、行业标准配置了消防设施、器材,设置消防安全标志,定期对建筑消防设施开展全面检测检修,加强维护保养,确保其完好有效;公司一贯保持疏散通道、安全出口、消防车通道畅通,保证防火防烟分区、防火间距符合消防技术标准,并定期组织防火巡查,及时消除火灾隐患。
    ③劳动保护
    公司严格执行各项劳动保护管理制度。对于在职员工,公司定期组织安全知识和安全法规的学习,使其了解生产工艺过程,掌握设备性能及事故易发点,严格按操作规程操作,遵循“事故源于麻痹,安全来自规范”的安全理念,保障员工人身和公司财产的安全。对于现场作业人员,在正常作业过程中必须规范穿戴和使用岗位规定的各类特种防护用品。
    (2)报告期内安全生产投入与支出报告期内,发行人及其子公司主要安全生产相关投入与支出情况如下:
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    安全生产投入(万元) 246.67 556.23 717.68 312.53
    安全生产支出(万元) 79.58 130.86 75.15 44.97
    合计 326.25 687.09 792.82 357.50
    (3)未来安全生产支出情况
    本次募集资金拟投入的“年产 120 万片集成电路用 8 英寸硅片项目”将配套
    建筑消防、电气消防和给水消防等设施用于保证项目的安全实施和运行。
    除募集资金投资项目所配套的安全生产支出外,公司及各子公司还将根据实际需要在未来增加相关的安全生产支出,防止生产事故和火灾等意外的发生,确保公司及各子公司的生产经营持续达到国家相关的安全生产标准。
    2、环境保护情况
    发行人主营业务为半导体硅片和半导体分立器件芯片的研发、生产和销售,以及半导体分立器件成品的生产和销售。公司主要产品生产过程不涉及重污染环节,亦未被列入《环境保护综合名录(2017 年版)》的“高污染、高环境风险”
   产品名录。参考《上市公司环保核查行业分类管理名录》,发行人所从事业务不属于重污染行业。报告期内,发行人严格执行各项环境保护措施,遵守环境保护相关法律法规。
    (1)报告期内环保措施执行情况
    发行人及其子公司生产中形成的主要污染源情况及相应处理措施如下:
    ①废水
    生产半导体分立器件芯片所产生的废水主要是生产、车间清洗、腐蚀工序产生的酸性废水、含氟废水、废气喷淋吸收处理废水以及生活污水。废水经收集后进入厂区污水处理站,处理后达标纳管排入污水处理厂。污水处理站的工作流程为:将酸性废水、含氟废水以及废气喷淋吸收处理废水汇入混合池,泵至反应、凝聚槽;在反应、凝聚槽中加入 NaOH、CaCL2、PAC、PAM 等药剂,将处理水通过高低液位差排入斜管沉淀池,上清液通过高低液位差排入下一级反应、凝聚槽,并定量加入 HCL、CaCL2、NaOH、PAC、PAM 等药剂;再将处理水通过高低液位差排入下一级斜管沉淀池沉淀,污泥至浓缩池压滤后委托处置,尾水至中和池达标后纳管排放。
    生产半导体硅片所产生的废水主要是研磨(有机)废水、含氟(砷)废水、酸碱废水以及生活污水,相应处理措施与上述基本相同。
    ②废气
    生产半导体分立器件芯片所产生的废气主要为生产车间清洗、腐蚀工序排放
    的 HF、H2SO4、HCL 等无机酸性废气,以及二甲苯、异丙醇、丙酮等有机废气。
    其中,酸性废气通过碱液洗涤喷淋塔处理,有机废气通过沸石转轮浓缩后经蓄热式氧化炉焚烧处理,达标后引至 20 米排气筒高空排放。
    生产半导体硅片所产生的废气主要为单晶、成型、热处理、抛光和外延车间生产所排放的 HF、HCl、NOX、NH3、NaOH 等无机酸性、碱性废气,其中 NOX酸性废气通过干式吸附塔经物理和化学吸附后生成无毒无害中性盐物质并委托处置,外延炉尾气采用相配套的专用洗涤器进行处理。
    ③固废
    发行人及其子公司所产生的固废主要为清洗和腐蚀工序有机废液、被化学试剂污染的容器、生产辅助和设备运行维护废弃物料、废活性炭、污泥等,上述固
    废集中收集后分类暂存于公司专门的固废堆放仓库,并委托具有资质的专业废物处置公司进行处置。员工生活垃圾则由当地环卫部门清运。
    ④噪声
    发行人及其子公司所产生的噪声主要来源于各类泵机、引风机等高噪声设备。车间生产设备的噪声级较小,基于“隔声减振为主,吸声为辅”的原则对噪声源进行降噪。在设备选型方面,选择低噪声设备(如送风机采用箱式风机、密封运行,排风机选择低噪音风机);同时采用距离降噪、隔声、减振和吸声等措施以保证厂界噪声达标。
    (2)报告期内污染物排放量及环保处理情况报告期内,发行人及其子公司通过自建环保设施及委托处置等方式对生产经营中产生的各类污染物进行处理,相关环保设施实际运行情况良好,具备充分的污染处理能力。
    报告期内,立昂微电与立昂东芯生产经营中主要污染物排放量及环保处理情况如下:
    项目
    排放量 对应环保
    措施 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度废水
    工业废水(万吨) 22.12 80.85 84.37 95.46污水处理系统
    生活污水(万吨) 0.41 1.40 1.02 0.98废气
    [注 1]
    硫酸雾(吨) 3.30 3.41 6.86 2.96 酸碱处理塔
    氮氧化物(吨) 1.55 0.86 8.41 1.73 A-P4 硅化物处理塔
    二甲苯(吨) 0.04 0.00 8.68 13.01 有机处理塔固废
    有机废液(吨) 33.54 157.50 130.17 191.48 委托处置
    含氟污泥(吨) - 222.24 278.61 299.70 委托处置
    酸溶剂沾染物(吨) 13.50 52.85 40.77 8.90 委托处置
    其他固废(吨) 1.04 2.14 4.67 0.89 委托处置
    生活垃圾(吨)[
    注 2]
    10.53 40.80 40.00 42.00 环卫部门处置
    [注 1]:废气排放量为根据第三方检测报告显示的排放速率和实际排放时间测算的年度数值。下同。
    [注 2]:生活垃圾排放量为根据委托处置装运桶数测算的估计值。下同。
    报告期内,浙江金瑞泓与衢州金瑞泓生产经营中主要污染物排放量及环保处理情况如下:
    项目
    排放量 对应环保
    措施 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    废水 工业废水(万吨) 43.40 178.20 128.00 65.73 污水处理系统
    生活污水(万吨) 0.96 2.72 0.87 0.83废气
    氮氧化物(吨) 0.15 1.67 0.17 0.12洗涤塔氨(吨) 0.17 0.37 0.24 2.30
    氯化氢(吨)[
    注 3]
    2.20 0.38 0.07 0.13
    氟化物(吨) 0.20 0.33 0.10 0.07固废废酸(吨)[
    注 2]
    16.04 35.38 87.70 105.78 委托处置污泥(吨)[
    注 1]
    215.00 795.00 754.00 574.00 委托处置
    生活垃圾(吨) 33.50 132.55 125.00 108.00 环卫部门处置
    [注 1]:污泥排放量为根据委托处置装运车数测算的估计值。
    [注 2]:报告期内废酸逐年下降系增加除氟系统后低浓度含氟废酸处置能力提升所致。
    [注 3]:2020 年 1-3 月氯化氢大幅增加系衢州金瑞泓研磨、抛光工序加工能力增加所致。
    (3)报告期内环保投入和支出报告期内,发行人及其子公司环境保护相关投入与支出情况如下:
    项目 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    环境保护投入(万元) 48.20 2382.65 2577.65 525.08
    环境保护支出(万元) 778.82 2524.09 3054.71 1996.78
    合计 827.02 4906.74 5632.36 2521.86报告期内,发行人环境保护投入及支出大幅增加主要系衢州金瑞泓增加了污水处理系统、废气处理装置、减噪风机等环保投入所致,发行人环境保护投入及支出与处理公司生产经营所产生的污染相匹配。
    (4)未来环保工作
    环保工作是募集资金投资项目“年产 120 万片集成电路用 8 英寸硅片项目”
    的重要组成部分。“年产 120 万片集成电路用 8 英寸硅片项目”投资中包括废水、废气、噪声、固废等环保处理设施的投入,预计投入共计 1510 万元,主要来源于自有资金。
    除募集资金投资项目所配套的环保投入外,公司及各子公司还将根据需要,不定期的对其现有的废水、废气处理装置,固废收集装置和降噪装置进行优化、改造和更新,使公司及各子公司的生产经营持续达到国家相关的环境保护标准。
    3、安全生产及环境保护相关处罚情况报告期内,发行人生产经营与募集资金投资项目符合国家关于安全生产和环境保护的要求,不存在因安全生产及环境保护原因受到处罚的情形。
    (七)特许经营权情况
    公司的主营业务为半导体硅片和半导体分立器件芯片的研发、生产和销售,
    以及半导体分立器件成品的生产和销售,凭主管工商行政管理部门核发的涵盖上述业务范围的营业执照即能从事经营活动,无需其他资质或特许经营权。
    (八)境外生产经营情况
    自设立以来,公司不存在在中华人民共和国境外进行生产经营的情形。
    五、主要固定资产及无形资产
    (一)主要固定资产
    截至 2020 年 3 月末,公司固定资产情况如下:
    单位:万元
    项目 账面原值 累计折旧 账面净值 减值准备 账面价值
    房屋及建筑物 71261.62 7540.62 63721.00 - 63721.00
    机器设备 254558.40 100230.05 154328.35 887.73 153440.62
    运输工具 578.75 422.82 155.93 - 155.93
    电子设备及其他 2684.13 1815.00 869.13 - 869.13
    合计 329082.91 110008.50 219074.40 887.73 218186.67
    1、房屋建筑物
    (1)自有房屋建筑物
    截至 2020 年 3 月 31 日,公司自有房屋建筑物情况如下:
    序号 不动产权证/房屋产权证编号 座落位置 权利人建筑面积
    (m2)用途取得时间取得方式所履行程序
1
    浙(2018)杭州市不动产权
    第0145895号杭州经济技术开发区20
    号大街199号立昂微电
    30628.01非住宅
    2005、
    2018自建建设审批程序
    2甬房权证保税字第
    20110099076号宁波保税区兴业四路7号浙江金瑞泓
    2955.12非住宅
    2004 自建建设审批程序
3
    浙(2016)宁波市(保税)不动产权第0149297号宁波保税区港东大道20号浙江金瑞泓
    23479.68非住宅
    2005、
    2016自建建设审批程序
4
    浙(2016)宁波市(保税)不动产权第0149278号宁波保税区兴业五路浙江金瑞泓
    612.00非住宅
    2005 自建建设审批程序
5
    浙(2018)宁波市保税不动
    产权第0139008号宁波保税区兴业四路7号浙江金瑞泓
    5298.73非住宅
    2004 自建建设审批程序
6
    浙(2018)北仑区不动产权
    第0005095号北仑区新碶星阳新村5
    幢307室、北仑区新碶星阳新村5幢储025浙江金瑞泓
    65.17 住宅 1993 买卖协议转让
7
    浙(2018)北仑区不动产权
    第0005096号北仑区新碶星阳新村5
    幢308室、北仑区新碶星阳新村5幢储026浙江金瑞泓
    65.17 住宅 1993 买卖协议转让
8
    浙(2018)北仑区不动产权
    第0005103号北仑区新碶星阳新村5
    幢408室、北仑区新碶星阳新村5幢储028浙江金瑞泓
    65.17 住宅 1993 买卖协议转让
9
    浙(2018)北仑区不动产权
    第0005104号北仑区新碶星阳新村5
    幢407室、北仑区新碶浙江金瑞泓
    65.17 住宅 1993 买卖协议转让
    星阳新村5幢储027
    [注]:截至 2019 年 12 月 31 日,不动产证(房屋产权证)编号为浙(2018)杭州市不动产
    权第 0145895 号、甬房权证保税字第 20110099076 号、浙(2016)宁波市(保税)不动产权
    第 0149297 号、浙(2016)宁波市(保税)不动产权第 0149278 号、浙(2018)宁波市保税
    不动产权第 0139008 号的房产已抵押。
    截至 2020 年 3 月 31 日,上述房产抵押对应债权的详细信息如下:
    序号不动产权证号抵押合同编号主债权人担保主债权内容担保金额主债权余额
1
    浙(2018)杭州市不动产权第
    0145895 号
3310062018
    0021376农行杭州下沙支行
    人民币/外币贷款、减免保证金开证、出口打包放款、进口押汇、银行保函、商业汇票承兑、出口押汇、保理、发票融资、参融通
    12107万元
    8000万元
    2甬房权证保税字
    第20110099076号
8210062017
    0001848农行宁波北仑分行
    人民币/外币贷款、减免保证金开证、出口打包放款、进口押汇、银行保函、商业汇票承兑、出口押汇、账户透支
    1767万元
    900万元
3
    浙(2016)宁波市(保税)不动产权
    第0149278号北仑(保税)
    2017 人抵
    001中行北仑分行
    借款、贸易融资、保函、资金业务及其他授信合同
    5600万元
    9550万元
4
    浙(2016)宁波市(保税)不动产权
    第0149297号
5
    浙(2018)宁波市保税不动产权
    第 0139008 号
    北仑 2018
    人抵 012 号中行北仑分行
    借款、贸易融资、保函、资金业务及其他授信合同
    2700万元
    公司目前正按照贷款合同约定正常履行义务,不存在违约行为,公司与债权人之间不存在诉讼、仲裁或纠纷,也未发生抵押权被行使的情形。
    (2)房屋租赁情况
    截至 2020 年 3 月 31 日,公司租赁房屋情况如下:
    序号 出租方 承租方 房屋所在地 面积(m2) 租赁期限 租金(万元) 用途
    1 骆臻 立昂微电杭州市江干区晓庐7幢2
    单元2903室
188.3
    2020.2.25至
    2021.2.24
    13.80 宿舍
    2 林爱美 立昂微电杭州市江干区丽江公寓
    悦江苑2幢2单元2001
    室、2002室
164.79
    2019.12.15至
    2020.12.14
    10.80 宿舍
    3 曹杨、俞玲燕 立昂微电杭州市江干区保利天地
    中心11幢420室
47.41
    2019.7.14至
    2020.7.13
    3.84 宿舍
    4 王国栋 立昂东芯杭州经济技术开发区世茂滨江花园峻景湾12幢
    1单元1704室
89.24
    2019.6.17至
    2021.6.16
    8.88 宿舍
    5 张纯杰 立昂东芯杭州市世茂江滨商业中
    心2幢3单元1505室
46.36
    2019.10.17至
    2020.10.16
    3.36 宿舍
    6 虞正楣、方燕芬 立昂东芯杭州市江干区丽江公寓
    丹霞苑1幢2单元1401室
114
    2019.9.20至
    2021.9.19
    12.24 宿舍
    7 韦玉霞 立昂东芯杭州经济技术开发区朗诗国际街区东园2幢2单
    元2304室
89.55
    2019.7.21至
    2020.7.20
    5.04 宿舍
    8 王乐林、何海为 立昂东芯杭州市江干区海天城
    9-3-1702
70.42
    2018.7.1至
    2020.6.30
    8.64 宿舍
    9 杨锦涛 立昂东芯杭州市江干区朗诗国际街区东园8幢1620室
81
    2019.5.15至
    2020.5.14
    4.80 宿舍
    10 任德孝、韦江珍 立昂半导体杭州经济技术开发区白杨街道金沙居1幢1110室
50.71
    2019.6.8至
    2021.6.7
    6.00 办公
    11 曹苏英 浙江金瑞泓宁波市北仑区新碶街道里仁花园41幢803室
143.82
    2019.6.25至
    2020.6.24
    9.00 宿舍
    12宁波出口加工区建设开发有限公司浙江金瑞泓宁波保税区生活配套小区
273.49
    2020.1.1 至
    2020.12.31
    2.96 宿舍
    13宁波出口加工区建设开发有限公司浙江金瑞泓宁波保税区生活配套小区
1339.07
    2020.1.1 至
    2020.12.31
    14.36 宿舍
    14宁波出口加工区建设开发有限公司浙江金瑞泓宁波保税区生活配套小区
3952.9
    2020.1.1 至
    2020.12.31
    42.39 宿舍
    15宁波出口加工区建设开发有限公司浙江金瑞泓宁波保税区生活配套小区
1556.84
    2020.1.1 至
    2020.12.31
    47.40 宿舍
    16宁波出口加工区建设开发有限公司浙江金瑞泓宁波保税区生活配套小区
1735.79
    2020.1.1 至
    2020.12.31
    27.37 宿舍
    17宁波出口加工区建设开发有限公司浙江金瑞泓宁波保税区生活配套小区
3094.25
    2020.1.1 至
    2020.12.31
    41.04 宿舍
    18宁波出口加工区建设开发有限公司浙江金瑞泓宁波保税区生活配套小区
60.56
    2020.1.1 至
    2020.12.31
    0.65 宿舍
    19宁波出口加工区建设开发有限公司浙江金瑞泓宁波保税区生活配套小区
144.85
    2020.1.1 至
    2020.12.31
    1.92 宿舍
    20浙江汇盛投资集团有限公司衢州金瑞泓衢州绿色产业集聚区碧桂园维拉小镇
953.71
    2019.8.1至
    2020.7.31
    11.64 宿舍
    21浙江汇盛投资集团有限公司衢州金瑞泓衢州绿色产业集聚区碧桂园维拉小镇
703.45
    2019.6.28至
    2020.6.27
    7.92 宿舍浙江汇盛投资集团有限公司衢州金瑞泓衢州绿色产业集聚区碧桂园凤翔苑
818.76
    2020.3.31 至
    2021.3.30
    9.71 宿舍浙江汇盛投资集团有限公司衢州金瑞泓衢州绿色产业集聚区碧桂园凤翔苑
489.41
    2020.2.4 至
    2021.2.3
    5.84 宿舍浙江汇盛投资集团有限公司衢州金瑞泓衢州绿色产业集聚区碧
    桂园凤翔苑、维拉小镇
1440.58
    2019.9.12至
    2020.9.11
    16.50 宿舍
   浙江汇盛投资集团有限公司衢州金瑞泓衢州绿色产业集聚区东港和谐家园
1316.82
    2020.4.1 至
    2021.3.31
    15.84 宿舍浙江汇盛投资集团有限公司衢州金瑞泓衢州绿色产业集聚区碧桂园维拉小镇
541.5
    2019.8.8至
    2020.8.7
    6.72 宿舍浙江汇盛投资集团有限公司衢州金瑞泓衢州绿色产业集聚区碧桂园维拉小镇
624.4
    2019.9.26至
    2020.9.25
    7.32 宿舍
    上述发行人租赁的房产为合法建筑、不涉及集体建设用地或划拨用地,且均已取得产权证书,出租人有权出租该等房产。
    除上述第 1 至 9 项租赁房产外,其余 18 处租赁房产均已完成备案,合计备案租赁面积 19240.91 平方米。未备案租赁房产共 9 处,合计面积为 891.07 平方米,该等未备案租赁房产均用作员工宿舍,较易搬迁、可替代性较强。上述未备案租赁房产不会对发行人生产经营构成重大不利影响,对发行人本次发行并上市不构成实质性法律障碍。
    2、主要设备
    截至 2020 年 3 月 31 日,公司主要机器设备情况如下:
    企业
    序号 设备、仪器名称数量(台/套)原值(万元)累计折旧(万元)成新率立昂微电
    1 激光打标机 5 335.73 65.67 80.44%
    2 扩散炉 44 1543.45 881.08 42.91%
    3 化学气相淀积 8 426.70 170.58 60.02%
    4 真空退火炉 7 134.00 37.10 72.31%
    5 快速退火炉 4 186.00 36.70 80.27%
    6 离子注入机 7 1566.44 973.15 37.88%
    7 甩干机 33 678.86 375.30 44.72%
    8 清洗机 74 2085.23 810.45 61.13%
    9 光刻机 25 2854.44 1812.52 36.50%
    10 涂胶显影机 21 799.80 318.55 60.17%
    11 溅射台 24 2726.06 1270.10 53.41%
    12 贴膜机 10 129.80 56.07 56.80%
    13 减薄机 8 2174.24 875.30 59.74%
    14 去膜机 4 179.51 103.39 42.40%
    15 蒸发台 37 6395.83 3247.13 49.23%
    16 探针台 77 1447.02 656.15 54.66%
    17 测试机 80 2122.51 1075.75 49.32%
    18 划片机 53 2100.37 966.24 54.00%
    19 剥膜机 6 31.72 25.30 20.24%
    20 刻蚀机 29 1938.35 447.73 76.90%
    21 其他动力辅助设备 20323.05 8212.35 59.59%浙江金瑞泓
    22 单晶炉 74 11108.47 7038.48 36.6%
    23 滚圆机 8 425.06 239.07 43.8%
    24 切片机 21 4801.05 3995.94 16.8%
    25 倒角机 16 2949.53 1851.69 37.2%
    26 磨片机 7 1105.62 587.34 46.9%
    27 腐蚀机 3 1228.11 575.71 53.1%
    28 热处理炉 9 1415.99 841.36 40.6%
    29 背封机 8 1180.18 756.38 35.9%
    30 多晶炉 4 1087.05 277.59 74.5%
    31 边缘剥离机 6 1731.83 934.62 46.0%
    32 减薄机 2 790.07 564.31 28.6%
    33 激光打标机 6 980.27 408.08 58.4%
    34 抛光机组 37 10337.76 6375.53 38.3%
    35 边缘抛光机 6 2273.36 926.18 59.3%
    36 硅片测试仪 56 10655.02 6079.18 42.9%
    37 清洗机 44 8269.92 4391.15 46.9%
    38 甩干机 24 844.07 439.49 47.9%
    39 外延炉 25 25168.19 20286.52 19.4%
    40 其他动力辅助设备 18639.55 13313.25 28.6%衢州金瑞泓
    41 外延炉 15 16955.41 2347.30 86.2%
    42 测试仪 32 7666.76 418.54 94.5%
    43 清洗机 12 7649.34 366.19 95.2%
    44 抛光机 6 5682.36 179.96 96.8%
    45 单晶炉 20 4074.47 243.96 94.0%
    46 多晶炉 5 1864.54 25.34 98.6%
    47 线切割机 8 1419.15 44.81 96.8%
    48 磨片机 3 1076.18 34.08 96.8%
    49 倒角机 6 923.08 29.23 96.8%
    50 背封机 2 892.01 28.25 96.8%
    51 CDS 13 732.87 13.58 98.1%
    52 酸处理设备 54 698.07 21.68 96.9%
    53 碱腐蚀机 1 561.48 17.78 96.8%
    54 滚圆机 2 553.86 0.00 100.0%
    55 酸腐蚀机 1 444.25 14.07 96.8%
    56 减薄机 1 431.38 13.66 96.8%
    57 打标机 2 273.57 8.28 97.0%
    58 显微镜 6 221.78 10.60 95.2%
    59 甩干机 7 194.24 13.62 93.0%
    60 硅片分档仪 1 164.51 0.00 100.0%
    61 边缘轮廓仪 1 89.33 2.83 96.8%
    62 刷片机 3 66.37 0.00 100.0%
    63 单晶截断机 1 61.17 3.55 94.2%
    64 真空包装机 4 50.07 5.27 89.5%
    65 编码读取机 1 33.81 1.07 96.8%
    66 其他动力辅助设备 15461.65 1048.54 93.2%立昂东芯
    67 测试机 16 1039.95 95.65 90.80%
    68 探针台 10 301.17 29.83 90.10%
    69 清洗机 32 823.00 64.26 92.19%
    70 剥离机 2 994.53 75.39 92.42%
    71 分析仪 7 417.02 42.70 89.76%
    72 电镀机 3 653.72 51.75 92.08%
    73 分离机 1 130.53 10.33 92.09%
    74 激光切割系统 2 965.64 76.45 92.08%
    75 溅射台 3 345.40 23.74 93.13%
    76 晶圆键合机 4 96.85 7.67 92.08%
    77 背封机 2 421.82 33.39 92.08%
    78 光刻机 5 1310.53 103.75 92.08%
    79 减薄机 1 100.00 7.92 92.08%
    80 离子注入机 1 263.43 20.86 92.08%
    81 甩干机 13 154.76 12.25 92.08%
    82 涂胶显影机 11 536.02 52.18 90.27%
    83 蒸发台 3 844.18 66.83 92.08%
    84 刻蚀机 3 4198.21 332.36 92.08%
    85 小型双粒子束显微镜 1 430.93 105.76 75.46%
    86 其他动力辅助设备 8667.99 703.30 91.89%
    (二)主要无形资产
    截至 2020 年 3 月末,公司主要无形资产情况如下:
    单位:万元
    项目 账面原值 累计摊销 账面净值 减值准备 账面价值
    土地使用权 6597.21 746.03 5851.18 - 5851.18
    商标 - - - - -
    专利权 125.72 104.12 21.60 - 21.60软件
    [注]
    1250.62 346.48 904.14 - 904.14
    非专利技术 711.03 195.53 515.50 - 515.50
    排污权 109.09 30.91 78.18 - 78.18
    合计 8793.67 1423.07 7370.59 - 7370.59
    [注]:软件主要系公司采购的 ERP 系统、数据管理系统等各项软件。
    1、土地使用权
    截至 2020 年 3 月 31 日,公司土地使用权情况如下:
    序号
    不动产权证/土地证编号
    坐落地址 权利人宗地面积
    (m2)土地用途权利性质使用权终止日取得时间取得方式履行程序
1
    浙(2018)杭州市不动产权第
    0145895 号杭州经济技术开发区白杨街
    道 20 号大街
    199 号
    立昂微电 65039.00 工业 出让
2052
    年 7 月
    31 日
    2003 出让协议出让
2
    甬国用(2011)
    第 0900107 号宁波保税区兴
    业四路 7 号浙江金瑞泓
    10418.00 工业 出让
2044
    年 5 月
    26 日
    2000 转让协议转让
3
    浙(2016)宁波市(保税)不动
    产权第 0149278号宁波保税区兴
    业五路浙江金瑞泓
    5060.00 工业 出让
2044
    年 5 月
    26 日
    2002 转让协议转让
4
    浙(2016)宁波市(保税)不动
    产权第 0149297号宁波保税区港
    东大道 20 号浙江金瑞泓
    22415.00 工业 出让
2044
    年 5 月
    26 日
    2002 转让协议转让
5
    浙(2018)宁波市保税不动产
    权 第 0139008号宁波保税区兴
    业四路 7 号浙江金瑞泓
    10569.12 工业 出让
2044
    年 5 月
    26 日
    1998 转让协议转让
6
    浙(2018)北仑区不动产权第
    0005095 号北仑区新碶星
    阳新村 5 幢 307室浙江金瑞泓
    10.86 住宅 出让
2063
    年 8 月
    20 日
    1993 转让协议转让
7
    浙(2018)北仑区不动产权第
    0005096 号北仑区新碶星
    阳新村 5 幢 308室浙江金瑞泓
    10.86 住宅 出让
2063
    年 8 月
    20 日
    1993 转让协议转让
8
    浙(2018)北仑区不动产权第
    0005103 号北仑区新碶星
    阳新村 5 幢 407室浙江金瑞泓
    10.86 住宅 出让
2063
    年 8 月
    20 日
    1993 转让协议转让
9
    浙(2018)北仑区不动产权第
    0005104 号北仑区新碶星
    阳新村 5 幢 408室浙江金瑞泓
    10.86 住宅 出让
2063
    年 8 月
    20 日
    1993 转让协议转让
10
    浙(2018)衢州市不动产权第
    0018816 号衢州市绿色产业集聚区盘龙
    南路 52 号衢州金瑞泓
    90849.52 工业 出让
2067
    年 3 月
    1 日
    2017、
    2018出让协议出让
11
    浙(2019)衢州市不动产权第
    0003550 号衢州市芦林路
    以西、盘龙南路以北东港区块
    H-18-3#地块衢州金瑞泓
    45075.90 工业 出让
2068
    年 10
    月 25日
    2018 出让协议出让
12
    浙(2019)衢州市不动产权第
    0014222 号衢州市枫林路以
    东、东港五路以北、盘龙北路以南衢州金瑞泓
    20000.00 住宅 出让
2088
    年 10
    月 25
    2019 出让协议出让
    的东港功能区
    G-50-1#地块日
    [注]:截至 2020 年 3 月 31 日,土地证号为浙(2018)杭州市不动产权第 0145895 号、甬
    国用(2011)第 0900107 号、浙(2016)宁波市(保税)不动产权第 0149278 号、浙(2016)宁波市(保税)不动产权第 0149297 号、浙(2018)宁波市保税不动产权第 0139008 号、浙
    (2018)衢州市不动产权第 0018816 号、浙(2019)衢州市不动产权第 0003550 号、浙(2019)衢州市不动产权第 0014222 号的宗地已抵押。
    截至 2020 年 3 月 31 日,上述土地使用权抵押对应债权的详细信息如下:
    序号
    不动产权证/土地证编号抵押合同编号主债权人担保主债权内容担保金额主债权余额
1
    浙(2018)杭州市不动产权第
    0145895 号
3310062018
    0021376农行杭州下沙支行
    人民币/外币贷款、减免保证金开证、出口打包放款、进口押汇、银行保函、商业汇票承兑、出口押汇、保理、发票融资、参融通
    12107万元
    8000万元
2
    甬国用(2011)
    第 0900107 号
8210062017
    0001848农行宁波北仑分行
    人民币/外币贷款、减免保证金开证、出口打包放款、进口押汇、银行保函、商业汇票承兑、出口押汇、账户透支
    1767万元
    900万元
3
    浙(2016)宁波市(保税)不动产权
    第0149278号北仑(保税)
    2017 人抵
    001中行北仑分行
    借款、贸易融资、保函、资金业务及其他授信合同
    5600万元
    9550万元
4
    浙(2016)宁波市(保税)不动产权
    第0149297号
5
    浙(2018)宁波市保税不动产权
    第 0139008 号
    北仑 2018
    人抵 012 号中行北仑分行
    借款、贸易融资、保函、资金业务及其他授信合同
    2700万元
6
    浙(2018)衢州市不动产权第
    0018816 号
    2018 年柯城(抵)字
    0110 号工商银行衢州衢江支行
    本外币借款合同、外汇转贷款合同、银行承兑协议、信用证开证协议/合同、开立担保协议、国际国内贸易融资协
    议、远期结算汇协议等金融衍生类产品协议以及其他文件
1308.2
    5 万元
    10800万元
7
    浙(2019)衢州市不动产权第
    0003550 号
3310062019
    0042282中国农业银行衢州绿色专营支行
    人民币/外币贷款、商业承兑汇票及信用证
    1690万元
    12000万元
8
    浙(2019)衢州市不动产权第
    0014222 号
    2019 年衢江(抵)字
    0086 号中国工商银行
    本外币借款合同、外汇转贷款合同、银行承兑协议、信用证开证协议/
    2840万元
    13500万元
   衢州衢江支行
    合同、开立担保协议、国际国内贸易融资协
    议、远期结算汇协议等金融衍生类产品协议、贵金属(包括黄金、白银、铂金等贵金属品种,下同)、租赁合同以及其他文件
    公司目前正按照贷款合同约定正常履行义务,不存在违约行为,公司与债权人之间不存在诉讼、仲裁或纠纷,也未发生抵押权被行使的情形。
    2、商标
    截至 2020 年 3 月 31 日,公司及子公司拥有的国内注册商标情况如下:
    序号 商标 类别 注册号 有效期
1
    第 38 类 第 3556048 号 2016.1.14-2026.1.13
    2 第 42 类 第 3556050 号 2015.9.28-2025.9.27
    3 第 9 类 第 3556051 号 2015.1.28-2025.1.27
4
    第 38 类 第 3502687 号 2014.12.28-2024.12.27
    5 第 11 类 第 3502680 号 2014.11.7-2024.11.6
    6 第 7 类 第 3502681 号 2014.8.14-2024.8.13
    7 第 36 类 第 3502679 号 2015.4.28-2025.4.27
    8 第 42 类 第 3502688 号 2015.5.14-2025.5.13
    9 第 1 类 第 3502682 号 2015.5.14-2025.5.13
    10 第 9 类 第 3502676 号 2014.9.7-2024.9.6
11
    第 9 类 第 34586368 号 2019.9.28-2029.9.27
12
    第 9 类 第 34581639 号 2019.9.28-2029.9.27
13
    第 9 类 第 34577851 号 2019.9.28-2029.9.27
14
    第 9 类 第 34572794 号 2019.9.28-2029.9.27
15
    第 9 类 第 34572786 号 2019.9.28-2029.9.27
    3、专利
    截至 2020 年 3 月 31 日,公司及子公司拥有发明专利 30 项、实用新型专利
    28 项,具体情况如下:
    序号 专利名称 专利类型 专利权人 专利号 申请日期 专利权期限
1
    一种分立器件正面金属的生产方法
    发明专利 立昂微电 ZL200810164214.7
    2008 年 12
    月 31 日自申请日起
    20 年
    2 一种半导体器件 发明专利 立昂微电 ZL200910156951.7
    2009 年 12
    月 24 日自申请日起
    20 年
3
    一种适于丝网印刷的半导体分立器件背面金属的生产方法
    发明专利 立昂微电 ZL201110416132.9
    2011 年 12
    月 14 日自申请日起
    20 年
4
    一种高反压肖特基二极管正面金属层的湿法腐蚀方法
    发明专利 立昂微电 ZL201210382168.4
    2012 年 10
    月 11 日自申请日起
    20 年
5
    一种沟槽肖特基势垒
    二极管及其制造方法
    发明专利 立昂微电 ZL201210382236.7
    2012 年 10
    月 11 日自申请日起
    20 年
6
    一种半导体器件顶层金属的终端结构及其制造方法
    发明专利 立昂微电 ZL201510827026.8
    2015 年 11
    月 25 日自申请日起
    20 年
7
    一种沟槽肖特基势垒
    二极管及其制造方法
    发明专利 立昂微电 ZL201610060658.0
    2016 年 1
    月 28 日自申请日起
    20 年
8
    一种沟槽栅结构半导体整流器及其制造方法
    发明专利 立昂微电 ZL201610148516.X
    2018 年 9
    月 28 日自申请日起
    20 年
9
    一种半导体整流器及其制造方法
    发明专利 立昂微电 ZL201610148745.1
    2018 年 9
    月 28 日自申请日起
    20 年
10
    一种肖特基势垒半导体整流器及其制造方法
    发明专利 立昂微电 ZL201610148515.5
    2018 年 11
    月 23 日自申请日起
    20 年
    11用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL200310117761.7
    2003 年 2
    月 30 日自申请日起
    20 年
12
    用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的熔体上部保温装置
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL200310117762.1
    2003 年 2
    月 30 日自申请日起
    20 年
13
    用于八英寸重掺砷硅单晶制造的熔体上部保温装置
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL200310117760.2
    2003 年 2
    月 30 日自申请日起
    20 年
    14具有自动警示功能的外延生产用可控压力顶笔装置
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL200910095374.5
    2009 年 1
    月 12 日自申请日起
    20 年
    15带超声或兆声振子的异丙醇干燥机
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL201110434684.2
    2011 年 12
    月 22 日自申请日起
    20 年
16
    一种双排气平板式外延炉
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL201210104802.8
    2012 年 4
    月 11 日自申请日起
    20 年
17
    一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL201210123065.6
    2012 年 4
    月 24 日自申请日起
    20 年
18
    一种硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL201210105734.7
    2012 年 4
    月 11 日自申请日起
    20 年
19
    一种准减压外延生长方法
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL201210105604.3
    2012 年 4
    月 11 日自申请日起
    20 年
20
    一种在线的砂浆再利用的装置
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL201610276167.X
    2016 年 4
    月 29 日自申请日起
    20 年
21
    磷砷锑共掺杂的 N 型重掺直拉硅单晶及其硅外延片
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL201510083673.2
    2015 年 2
    月 16 日自申请日起
    20 年
22
    一种使用抛光盘接引盘的抛光系统和方法
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL201210106356.4
    2012 年.4
    月 12 日自申请日起
    20 年
23
    空 气 桥 侧 引 的
    pHEMT 微波功放管
    芯 横 向 结 构 及
    pHEMT
    发明专利 立昂东芯 ZL201510589789.3
    2015 年 9
    月 17 日自申请日起
    20 年
24
    一种放大器芯片管芯热仿真等效模型
    发明专利 立昂东芯 ZL201510108099.1
    2015 年 3
    月 12 日自申请日起
    20 年
25
    一种基于砷化镓器件
    的 MIM 电容器及其制造工艺
    发明专利 立昂东芯 ZL201610174315.7
    2016 年 3
    月 24 日自申请日起
    20 年
26
    小能带隙 III-V 族
    MOSFET 器件的非对称型源漏极结构
    发明专利 立昂东芯 ZL201610337865.6
    2016 年 5
    月 22 日自申请日起
    20 年
27
    一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺
    发明专利 立昂东芯 ZL201610174316.1
    2018 年 9
    月 28 日自申请日起
    20 年
    一种半导体湿法腐蚀的装置实用新型专利
    立昂微电 ZL201120525595.4
    2011 年 12
    月 15 日自申请日起
    10 年
    一种挑选晶粒边角料的工作台实用新型专利
    立昂微电 ZL201220727253.5
    2012 年 12
    月 26 日自申请日起
    10 年
    一种平板式外延炉的载片错位监测装置实用新型专利
    立昂微电 ZL201420817750.3
    2014 年 12
    月 22 日自申请日起
    10 年
    31 一种磁性靶材实用新型专利
    立昂微电 ZL201520855329.6
    2015 年 10
    月 29 日自申请日起
    10 年
32
    一种半导体器件顶层金属的终端结构实用新型专利
    立昂微电 ZL201520947903.0
    2015 年 11
    月 25 日自申请日起
    10 年
33
    一种用于芯片级封装的肖特基芯片实用新型专利
    立昂微电 ZL201620108813.7
    2016 年 2
    月 3 日自申请日起
    10 年
34
    一种废液分装收集装置实用新型专利
    立昂微电 ZL201721147473.X
    2017 年 9
    月 8 日自申请日起
    10 年
35
    一种用于直拉硅单晶生长的晶种夹头实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201120543003.1
    2011 年 12
    月 22 日自申请日起
    10 年
36
    一种带超声或兆声振子的异丙醇干燥机实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201120543012.0
    2011 年 12
    月 22 日自申请日起
    10 年
37
    一种用于硅抛光片在
    异丙醇中干燥的 PFA片架实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201220151187.1
    2012 年 4
    月 11 日自申请日起
    10 年
38
    一种抛光过程中的陶瓷盘接引盘实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201220177576.1
    2012 年 4
    月 24 日自申请日起
    10 年
39
    一种可切换气体的阀门分配面板实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201220178914.3
    2012 年 4
    月 24 日自申请日起
    10 年
    40 一种石墨基座实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201220177112.0
    2012 年 4
    月 24 日自申请日起
    10 年
    41 一种线切硅单晶实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201220178912.4
    2012 年 4
    月 24 日自申请日起
    10 年
42
    一种用于抛光机的压力圈实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201220177113.5
    2012 年 4
    月 24 日自申请日起
    10 年
43
    一种硅片抛光的悬挂式中心轮结构实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201220469619.3
    2012 年 9
    月 14 日自申请日起
    10 年
44
    一种硅片酸腐蚀用夹持转动工装实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201521074089.2
    2015 年 12
    月 18 日自申请日起
    10 年
45
    一种线切割砂浆配制装置实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201220177084.2
    2012 年 4
    月 24 日自申请日起
    10 年
46
    一种在高 COP 硅单
    晶 衬 底 上 制 备
    200mm-300mm 低缺陷外延片的方法
    发明专利 浙江金瑞泓 ZL201610041286.7
    2016 年 1
    月 21 日自申请日起
    20 年
47
    一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法
    发明专利 立昂东芯 ZL201610253781.4
    2016 年 4
    月 22 日自申请日起
    20 年
48
    一种基于 PHEMT 工
    艺的 MMIC 等效管芯模型
    发明专利 立昂东芯 ZL201610135225.7
    2016 年 3
    月 10 日自申请日起
    20 年
49
    一种用于硅片刷片机的刷洗转动装置实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201821759270.0
    2019 年 7
    月 30 日自申请日起
    10 年
    50 一种硅片刷片机实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201821760012.4
    2019 年 7
    月 30 日自申请日起
    10 年
51
    一种用于陶瓷盘运输的机械手装置实用新型专利
    浙江金瑞泓 ZL201821760051.4
    2019 年 7
    月 30 日自申请日起
    10 年
52
    一种用于硅片贴片机的料盘进出盒的升降装置实用新型专利
    衢州金瑞泓 ZL201821954655.2
    2019 年 8
    月 16 日自申请日起
    10 年
    53 一种硅片贴片机实用新型专利
    衢州金瑞泓 ZL201821955478.X
    2019 年 8
    月 16 日自申请日起
    10 年
54
    一种用于硅片贴片机的冷却装置实用新型专利
    衢州金瑞泓 ZL201821971549.5
    2019 年 8
    月 16 日自申请日起
    10 年
55
    一种用于硅片贴片机的翻转贴片装置实用新型专利
    衢州金瑞泓 ZL201821954652.9
    2019 年 9
    月 10 日自申请日起
    10 年
56
    一种多尺寸片盒放置载台实用新型专利
    衢州金瑞泓 ZL201920255800.6
    2019 年 10
    月 1 日自申请日起
    10 年
57
    一种用于硅片贴片机的涂蜡装置实用新型专利
    衢州金瑞泓 ZL201821954666.0
    2019 年 12
    月 3自申请日起
    10 年
58
    一种用于解决硅片背面圈印的刷洗装置实用新型专利
    衢州金瑞泓 ZL201920544233.6
    2019 年 4
    月 22 日自申请日起
    10 年
    上述发明专利中,除截至 2020 年 3 月 31 日取得的专利中的 23、24、26、
    48 项为受让取得外,其余发明人与公司无关联关系。郁发新、王志宇系以其对立昂东芯的债权(即浙江大学根据《中共浙江大学委员会浙江大学关于实施创新驱动促进成果转化的若干意见》、《浙江大学促进科技成果转化实施办法》(暂行)等规定将“砷化镓(GaAs)高可靠性器件建模技术”转让价值的 70%,即人民币
    497.72 万元奖励给技术成果完成人郁发新等人)增资后成为立昂东芯的股东。
    2017 年 7 月 6 日,立昂东芯与浙江大学签订《技术转让(技术秘密)合同》,浙江大学将其拥有的砷化镓(GaAs)高可靠性器件建模技术项目的相关非专利
    技术转让给立昂东芯,其中包括《技术转让(技术秘密)合同》签订当时由浙江大学作为申请人的 4 项专利申请权,该 4 项专利申请目前均已授权公告。
    立昂东芯已向浙江大学付清《技术转让(技术秘密)合同》项下包括该 4 项
    专利申请权在内的砷化镓(GaAs)高可靠性器件建模技术项目的相关非专利技术的转让价款。
    出让方浙江大学系教育部直属、省部共建的普通高等学校,与发行人不存在关联关系。包括该 4 项专利申请权在内的非专利技术转让已根据相关规定履行了评估、审批程序,不存在纠纷或潜在纠纷。
    综上,上述发明专利均系发行人及其子公司自行申请取得或受让取得,均由发行人或其子公司合法拥有,其专利权属不存在任何纠纷或潜在纠纷。
    上述发明专利系在生产砷化镓微波芯片中的部分生产环节所涉及的工艺,重要性程度一般;上述相关发明专利对发行人子公司立昂东芯研发和生产 6 英寸砷
    化镓芯片具有一定的参考、使用价值,重要程度一般,不属于发行人及其子公司的核心技术;其向浙江大学采购相关发明专利的原因主要系为节省公司的研发资源,提高公司的研发效率。
    刘伟、汪耀祖作为发明人的 8 项发明专利情况如下:
    序号发明专利名称专利权人
    发明人 专利号 生产经营作用是否属于核心专利
1
    一种沟槽肖特
    基势垒二极管及其制造方法立昂微电刘伟
    ZL2012103822
    36.7本发明公开了一种沟槽肖特基
    势垒二极管,解决了现有沟槽肖特基势垒二极管性能与可靠性低,反向漏电大,反向阻断能力差的问题,本发明中外延层的掺杂浓度由顶面至底面递增,沟槽中填充有第二导电类型非均匀掺杂且掺杂浓度由顶
    面至底面递减的导电多晶硅,凸台两侧的顶角形成第二导电类型重掺杂的凸台顶角保护区域,并且在阳极金属层底面增加了与导电多晶硅的顶面及凸台顶角保护区域的顶面均形成
    欧姆接触肖特基势垒金属层,本发明的沟槽肖特基势垒二极
    管反向漏电低,电压反向阻断能力佳,可靠性好。本发明还
    公开了一种沟槽肖特基势垒二
    极管的制造方法,该制造方法步骤少,制造成本低,能有效是
   抑制沟槽底部氧化层厚度薄或者不均匀导致的器件性能和可靠性退化;同时有效隔绝因隔离层局部损伤而被工艺过程损伤和杂质玷污的区域。
2
    一种沟槽肖特
    基势垒二极管及其制造方法立昂微电刘伟
    ZL2016100606
    58.0本发明公开了一种沟槽肖特基
    势垒二极管,包括有源区和截止区,有源区自上而下依次由阳极金属层、肖特基势垒金属
    层、第一导电类型轻掺杂的 N
    型外延层、第一导电类型重掺杂的单晶硅衬底和阴极金属层构成,N 型外延层上部设有若干沟槽,沟槽横向间隔设置,肖特基势垒金属层与相邻沟槽
    之间的 N 型外延层的顶面形成
    肖特基势垒接触,沟槽内填充有导电多晶硅,导电多晶硅与沟槽之间设有隔离层,隔离层的内部设有真空气隙,沟槽在有源区和截止区相互连通。该沟槽肖特基势垒二极管具有反
    向阻断电压高、反向偏压低忽然反向漏电低等优点。本发明还公开了一种沟槽肖特基势垒
    二极管的制造方法,该方法具
    有制造方法步骤少,制造成本等优点。
    是
3
    一种沟槽栅结构半导体整流器及其制造方法立昂微电刘伟
    ZL2016101485
    16.X本发明公开了一种沟槽栅结构
    半导体整流器,外延层上部设
    有第一沟槽,第一沟槽内设有
    导电多晶硅,导电多晶硅与第
    一沟槽之间设有隔离层,隔离层上设有厚度小于隔离层的二
    氧化硅栅氧层,二氧化硅栅氧层向上延伸形成介质墙壁,介质墙壁的两侧设有导电多晶硅侧墙,外延层上部与导电多晶硅侧墙之间区域形成第二沟槽,外延层上部设有横向均匀掺杂区和梯度掺杂区,梯度掺杂区与隔离层接触形成沟道,外延层下部、横向均匀掺杂区、梯度掺杂区及隔离层之间设有间隔区。本发明采用厚隔离层与薄栅氧层结合的沟槽栅结构,具有短沟道和沟道掺杂梯度分布,正向导通特性佳。本发明还公开了一种沟槽栅结构
    半导体整流器制造方法,工艺是
  窗口大,易于控制,光刻次数少。
4
    一种半导体整流器及其制造方法立昂微电刘伟
    ZL2016101487
    45.1本发明公开了一种半导体整流器,包括第一导电类型轻掺杂的外延层,外延层上部横向间隔设置有若干第一沟槽,第一沟槽内填充有导电多晶硅,导电多晶硅与第一沟槽之间设有隔离层,隔离层向上凸出形成介质墙壁,介质墙壁的两侧设有导电多晶硅侧墙,外延层上部与导电多晶硅侧墙之间的区
    域形成第二沟槽,外延层上部设有横向均匀掺杂区和梯度掺杂区,梯度掺杂区与隔离层接触形成沟道,外延层下部、横向均匀掺杂区、梯度掺杂区及隔离层之间设有间隔区。本发明采用沟槽栅结构,同时具有短沟道和沟道掺杂梯度分布,具有更佳的正向导通特性。本发明还公开了一种半导体整流
    器制造方法,工艺步骤简单,工艺窗口大,易于控制,光刻次数少,制造成本低。
    是
5
    一种肖特基势垒半导体整流器及其制造方法立昂微电刘伟
    ZL2016101485
    15.5本发明公开了一种肖特基势垒
    半导体整流器,包括肖特基势垒金属层、外延层及第一沟槽,
    第一沟槽内设有隔离层及二氧
    化硅栅氧层,二氧化硅栅氧层向上延伸形成介质墙壁,介质墙壁两侧设有导电多晶硅侧墙,外延层上部与导电多晶硅侧墙之间设有第二沟槽,外延层上部设有横向均匀掺杂区和
    梯度掺杂区,梯度掺杂区与二氧化硅栅氧层之间设有沟道,外延层下部、横向均匀掺杂区、梯度掺杂区及二氧化硅栅氧层
    之间设有间隔区,第二沟槽中
    设有第三沟槽,肖特基势垒金属层位于第三沟槽内侧表面与外延层接触形成肖特基势垒。
    本发明正向导通特性与器件可靠性好。本发明还公开了一种肖特基势垒半导体整流器制造方法,工艺窗口大,易于控制,光刻次数少,制造成本低。
    是
6
    一种基于砷化
    镓器件的 MIM立昂东芯汪耀祖
    ZL2016101743
    15.7本发明公开了一种基于砷化镓
    器件的 MIM 电容器,包括砷是
    电容器及其制造工艺
    化镓半导体基底、底层金属电极、顶层金属电极以及设于底层金属电极与顶层金属电极之
    间的绝缘层,底层金属电极为Ti/Pd/Au 复合金属薄膜,底层金 属 电 极 总 厚 度 为
    0.57~1.13μm;绝缘层为厚度为
    450~950 埃的单层氮化硅薄膜;顶层金属电极为 Ti/Pd/Au
    复合金属薄膜,顶层金属电极总厚度为 0.17~0.53μm。本发明的电容密度是传统电容的电
    容密度的 2 ?3 倍,均匀性<+/-10%,质量可靠,能满足不同客户的要求。本发明还公开
    了一种基于砷化镓器件的
    MIM 电容器制造工艺,工艺步骤简单,可操作性强,制造成本低,精度高,适合批量生产。
7
    一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺立昂东芯汪耀祖
    及其他 1人
    ZL2016101743
    16.1本发明公开了一种砷化镓半导
    体基片湿法刻蚀工艺,包括以下步骤:(1)将已经完成前段器件工艺加工后的砷化镓半导体基片粘附在蓝宝石载体上;
    (2)将步骤(1)中的砷化镓
    半导体基片进行机械减薄;(3)
    将步骤(2)中的砷化镓半导体基片浸于刻蚀液中进行化学腐
    蚀;(4)将化学腐蚀后的砷化
    镓半导体基片取出后经清洗、干燥,直接进行后端光刻及后续加工即可。
    本发明工艺步骤简单,可操作性强,处理成本低,能有效去除受损晶体加工表面并释放内部应力,打破了需要购买专业工艺设备及安装配套化学废物
    处理系统的限制,大大缩短了后端加工工艺流程,更加有利于扩大产能,降低制造成本,提高产品的价格竞争力。
    是
8
    一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法立昂东芯汪耀祖
    ZL2016102537
    81.4本发明公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。
    本发明能够有效提高异质结双是
    极型晶体管的线性度和可靠性。
    上述专利均系发行人核心专利,在生产经营中起到一定的作用。
    刘伟、汪耀祖与原工作单位不存在有关劳动关系、保密、竞业限制、知识产权方面的纠纷或潜在纠纷;其在发行人任职期间的研究项目、申请的专利与其在原单位工作内容无直接相关性,其在发行人作为发明人的相关专利不构成原工作单位的职务成果或发明,不存在侵犯原单位知识产权的情况;发行人拥有的相关专利不存在潜在纠纷和风险。
    4、专利许可使用情况公司从事生产经营的所需要的主要核心技术均由公司通过自主研发取得。同时,为集中公司研发资源,提高公司研发效率,就部分产品、部分生产环节所涉及的技术,公司通过购买第三方已有专利的使用权以满足生产需要。截至本签署日,公司购买专利许可使用权的具体情况如下:
    (1)2011 年 11 月 20 日,浙江大学与浙江金瑞泓签订《技术转让(专利实施许可)合同》,浙江大学许可浙江金瑞泓使用 3 项专利,许可期限自 2011 年
    11 月 20 日至 2021 年 6 月 30 日,使用费用为 60 万元,已于 2015 年 7 月支付完毕。上述 3 项专利具体情况如下:
    序号 专利名称 专利类型 专利号 申请日期 专利权期限
    1 一种微量掺锗直拉硅单晶 发明专利 ZL01139098.0 2001年12月6日 自申请日起20年
2
    一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法
    发明专利 ZL200310108003.9 2003年10月15日 自申请日起20年
    3重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺
    发明专利 ZL200610051834.0 2006年6月6日 自申请日起20年
    上述“一种微量掺锗直拉硅单晶”、“一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法”两项发明专利主要运用在单晶生长工序,“重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺”主要运用在硅片热处理工序。上述工序属于辅助工艺,且不是所有产品的必备工序。
    (2)2012 年 6 月 1 日,浙江大学与浙江金瑞泓签订《技术转让(专利实施许可)合同》,浙江大学许可浙江金瑞泓使用 6 项专利,许可期限自 2012 年 1 月
    1 日至 2021 年 12 月 31 日,使用费用为 40 万元,已于 2015 年 7 月支付完毕。
    上述 6 项专利具体情况如下:
    序号 专利名称 专利类型 专利号 申请日期 专利权期限
    1 直拉硅片的内吸杂工艺 发明专利 ZL201110070161.4 2011年3月23日 自申请日起20年
2
    一种抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池及其制备方法
    发明专利 ZL201010509992.2 2010年10月18日 自申请日起20年
    3 一种硅片的硼铝共吸杂方法 发明专利 ZL201010283048.x 2010年9月16日 自申请日起20年
    4 硅片的硼铝共吸杂方法 发明专利 ZL201010283047.5 2010年9月16日 自申请日起20年
5
    一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺
    发明专利 ZL20081006064.0 2008年4月15日 自申请日起20年
    6 一种硅片外吸杂方法 发明专利 ZL201010584771.1 2010年12月13日 自申请日起20年
    上述“直拉硅片的内吸杂工艺”主要用在硅片热处理工序,“一种抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池及其制备方法”主要用在单晶生长工序。上述工序属于辅助工艺,且不是所有产品的必备工序。上述“一种硅片的硼铝共吸杂方法”、“硅片的硼铝共吸杂方法”、“一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺”为太阳电池烧结工艺,目前在发行人无相关应用,属于发行人为将来进入太阳能光伏领域所作得技术储备。上述“一种硅片外吸杂方法”目前仅用于产品研发过程,尚未在产品中实际应用。
    浙江大学许可浙江金瑞泓使用的 9 项专利技术中,一部分属于发行人完整工艺流程中的辅助工艺,且不是所有产品的必备工序;其余部分尚无相关具体应用,属于发行人的技术储备。综上,浙江大学许可浙江金瑞泓使用的 9 项专利技术不属于发行人及其子公司的核心技术。
    2018 年 1 月 10 日,浙江大学硅材料国家重点实验室与浙江金瑞泓签订《关于同意续展专利授权许可使用期限的确认函》,同意浙江金瑞泓于上述 9 项专利实施期限届满前提出续约要求,并按原合同条款中约定的专利实施许可内容进行续约,且浙江金瑞泓有权要求续约后的实施期限最长可以分别延展至该 9 项专利权的有效期限届满日。
    上述专利许可作为普通实施许可,已根据《浙江大学科技成果知识产权保护管理若干规定(2005 年 11 月修订)》(浙大发科[2005] 17 号),履行了相应的学校审批程序。
    上述专利许可符合国资管理相关规定,未造成国有资产流失,不存在纠纷或潜在纠纷。
    5、非专利技术公司目前拥有的非专利技术主要为公司在生产过程中通过长期的经验积累与工艺革新而掌握的一些技术窍门与工艺诀窍。
    
    此外,2017 年 7 月 6 日,立昂东芯与浙江大学签订《技术转让(技术秘密)合同》,受让浙江大学拥有的砷化镓(GaAs)高可靠性器件建模技术,该非专利技术的转让价格系根据浙江浩华资产评估有限公司出具的(浩华评字[2016]
    第 174 号)《资产评估报告书》的评估值 711.03 万元协商确定为 711.03 万元。
    该项非专利技术具体情况如下:
    序号 非专利技术名称 使用情况 使用期限 对发行人生产经营的重要程度
1
    砷化镓(GaAs)高可靠性器件建模技术
    正常使用 长期
    有助于开发高可靠、高成品率、高综合指标的砷化镓芯片
    立昂东芯向浙江大学购买砷化镓(GaAs)高可靠性器件建模技术项目的相
    关非专利技术系在生产砷化镓微波芯片中的部分生产环节所涉及的工艺,重要性
    程度一般,其向浙江大学采购的原因主要系为节省公司的研发资源,提高公司的研发效率。
    发行人子公司立昂东芯向浙江大学受让砷化镓(GaAs)高可靠性器件建模
    技术项目的相关非专利技术,该等非专利技术转让的价格系根据浙江浩华资产评估有限公司出具的“浩华评字[2016]第 174 号”《浙江大学拟转让无形资产涉及的砷化镓(GaAs)高可靠性期间建模技术市场价值评估项目资产评估报告书》的
    评估值协商确定,已履行评估程序。该非专利技术转让系采用协议定价方式,按照《浙江大学促进科技成果转化实施办法》(暂行)的相关规定,已经浙江大学航空航天学院科研科和工业技术转化研究院批准,并于 2017 年 4 月 10 日在浙江大学工业技术转化研究院网站进行了网上公示。
    上述非专利技术转让符合国资管理相关规定,已履行相关评估、审批程序,未造成国有资产流失,不存在纠纷或潜在纠纷。
    相关非专利技术的效益实现情况无法量化,转让时出具的评估报告也未对相关非专利技术的效益进行预测。
    公司及其子公司目前不存在与浙江大学等高校科研机构合作研发或委托技
    术开发的情况;其技术研发不存在对浙江大学的依赖,其资产完整性不存在瑕疵。
    六、发行人生产技术水平与研发情况
    (一)主要产品生产技术及所处阶段公司现有主要产品所涉及的技术主要集中在半导体硅片和半导体分立器件芯片生产的各个环节。公司主要产品所涉及的生产技术主要通过自主研发方式取
    得,且均已成熟,处于大批量生产阶段。公司主要产品生产技术情况如下:
    领域 技术名称 技术特点 来源创新类型半导体硅片领域
    重掺砷、重掺硼、重掺锑、重掺磷硅单晶制造技术
    利用特定的掺杂工艺,在硅中掺入高浓度的砷、硼、锑、磷等III 或V 族杂质元素,通过合理的单晶炉热场设计和硅单晶生长工艺控制,制备出具有极低电阻率的符合特定尺寸、晶向、掺杂元素及其浓度分布的硅单晶的技术。使用该等技术加工成的硅单晶锭制作出的硅抛光片,可直接用于半导体分立器件的制造或作为外延衬底加工成硅外延片用于半导体分立器件和
    集成电路的加工制造。且相应硅片的平坦度、表面金属沾污控制、硅片体内杂质控制、表面颗粒等指标可满足各类分立器件和集成电路的要求。
    自主研发原始创新轻掺硼硅单晶制造技术
    利用特定的掺杂工艺,在硅中掺入一定浓度的硼杂质元素,通过合理的单晶炉热场设计和硅单晶生长工艺控制,制备出具有
    一定范围电阻率(>0.1 欧姆?厘米)的符合特定尺寸、晶向、掺杂元素及其浓度分布的硅单晶的技术。使用该等技术加工成的硅单晶锭制作出的硅抛光片,可直接用于集成电路的加工制造,且相应硅片的平坦度、表面金属沾污控制、硅片体内杂质控制、表面颗粒等指标可满足各类集成电路的要求。
    自主研发原始创新掺氮硅单晶锭制造技术
    利用特定的掺杂工艺,在硅中掺入一定浓度的氮元素,通过合理的单晶炉热场设计和硅单晶生长工艺控制,制备出符合特定尺寸、晶向、掺杂元素及其浓度分布的掺氮直拉硅单晶的技术。
    使用该等技术可以达到钉扎位错的效果,有效提高硅片的机械强度,减小空洞型缺陷的尺寸,使硅片表面的COP 缺陷在高温下退火更加容易被消除,同时硅中的氮元素对氧沉淀有明显的促进作用,能够增强硅片的内吸杂能力,降低器件制造过程中金属离子失效带来的影响。
    自主研发原始创新硅片线切割技术通过工艺控制钢线以一定的速度往复运动并将砂浆喷在“线网”上,当硅单晶锭完全穿过“线网”后被切成具有一定厚度和平整度的硅片的技术。该等技术具有切割效率高、切缝损耗少、切割后硅片平整度高、表面损伤层浅等特点。
    自主研发原始创新硅片双面研磨技术和单面磨削技术
    通过对硅片进行双面研磨的方式,去除硅切片表面残留的损伤层,并使硅片具有一定几何尺寸精度的技术。硅片制造行业中,
    直径 8 英寸及以下的硅片普遍采用双面研磨工艺。单面磨削技
    术是指:在硅片抛光工序前对硅片表面形貌进行修正的技术。
    自主研发原始创新多晶硅和二氧化硅背封技术
    多晶硅背封技术是指:通过在硅片背面采用化学气相沉积的工
    艺生长一层多晶硅,从而使硅片具有外部吸杂金属能力的技术。该等技术的特点为:硅片背面多晶硅层中的晶界可以成为很好的吸杂中心,为硅片提供良好的金属杂质去除能力。
    二氧化硅背封技术是指:通过采用低温化学气相沉积工艺在硅片背面生长二氧化硅薄膜的技术。该等技术通常应用于外延重掺衬底硅片,用于防止重掺硅衬底片中的掺杂原子在高温外延过程中从硅片背面扩散出来,这一技术对改善电阻率分布一致性起到关键作用。
    自主研发原始创新
    二氧化硅背封片边缘剥离技术
    在使用附有二氧化硅背封层的重掺衬底硅片进行外延加工时,采用氢氟酸将硅片边缘一定宽度范围内的二氧化硅层进行腐蚀并剥离去除的技术。使用该等技术可以有效解决生长厚层外延片时硅片的背面多晶点问题,从而避免光刻制程的聚焦不良。
    自主研发原始创新
    硅片抛光技术 利用化学和机械作用的方式对硅片表面进行加工,去除硅片表 自主 原始
    面残留的微缺陷和损伤层,并获得具有较高几何精度和较低表面粗糙度的抛光片的技术。根据硅片在抛光盘上的固定方式不同,可分为有蜡抛光技术和无蜡抛光技术。一般对 5 英寸及以下硅片的表面抛光通常采用无蜡贴片单面抛光工艺,对 6-8 英寸硅片的表面抛光通常采用有蜡贴片单面抛光工艺。
    研发 创新硅片清洗技术
    去除硅片表面残留的有机物、金属离子、微粒等各种沾污的技术。
    自主研发原始创新埋层外延技术
    在具有光刻图案和特定埋层区域的硅衬底片表面,外延生长具
    有一定厚度和电阻率的硅单晶薄层的技术。该等技术的特点为:需要通过精确控制外延生长过程的各项工艺参数(温度、气源、生长速率等),确保在外延生长过程中硅衬底片表面光刻图案无位移、无形变、无扭曲,最大限度地减少硅衬底片埋层区域杂质原子的高温扩散,从而获得高质量的埋层硅外延片。
    自主研发原始创新缺陷控制处理技术
    缺陷控制处理技术是指:在外延片生长过程中,通过高温烘烤、气相抛光、温度梯度、衬底缺陷工程等工艺手段,控制和消除硅外延片各项缺陷的技术。使用该等技术可有效控制消除表面粗糙、麻点、包裹物、雾缺陷、失配位错、层错、橘皮、滑移线等多种外延片表面缺陷。
    自主研发原始创新多层外延技术
    在硅单晶衬底片表面,通过化学气相沉积的方式,外延生长两层及以上含有特定掺杂元素并具有一定厚度和电阻率的硅单晶薄层,从而制备出多层外延片的技术。该等技术的特点为:
    多层外延片每层的掺杂元素、导电类型、电阻率、厚度都不相同,因此不同外延层生长之间需要对腔体进行特殊处理。此外由于多层外延生长的热过程比较长,因此需要特别控制相邻外延层之间杂质的相互扩散对过渡区形貌的改变。
    自主研发原始创新分立器件芯片领域离子注入
    一种把掺杂剂的原子引入固体中的材料改性技术。该等技术的
    特点为:在真空条件下,将经过加速的、要掺杂的原子的离子照射进入固体材料,从而在所选择的区域形成一个具有特定离子浓度的表面层。
    国外引进集成创新贵金属合金势垒制备
    在半导体表面通过蒸发或溅射工艺,形成一层贵金属的薄膜,从而形成肖特基势垒的工艺技术。该等技术的特点为:在真空条件下,采用蒸发或溅射方法,使得特定金属在半导体表面形
    成一定厚度的薄膜。
    国外引进集成创新
    二氧化硅薄膜的低温沉积
    在一定温度下利用TEOS 源进行分解,得到氧化硅薄膜的技术。
    该等技术的特点为:TEOS 分解后产生的副产物为气态,容易分离,此方式产生的氧化膜为沉积式,附着于基体表面。该种方式产生氧化膜的速度较快,常用于需要生长厚氧化膜的工序。
    国外引进集成创新光刻和腐蚀
    一种复印与化学腐蚀相结合的成像技术。该等技术的特点为:
    采用照像复印的方法,将光刻掩模板上的图形精确地复制在特定区域,然后采用特定的化学腐蚀液进行选择性腐蚀,从而在器件表面呈现与掩模板一致的形貌。
    国外引进集成创新硅片表面清洗处理
    清除表面污染杂质的技术。该等技术的特点为:采用特殊的化学腐蚀液对硅片表面进行腐蚀,从而达到去除硅片表面的颗粒、有机胶体等沾污杂质的目的。该等工艺过程不会对硅片本身结构产生破坏,并且不会在硅片表面残留其他异物。
    国外引进集成创新多层金属薄膜制备在半导体器件表面形成两层以上不同金属薄膜的工艺技术。该等技术的特点为:在真空条件下,采用蒸发或溅射工艺,在半导体表面逐层淀积不同的金属薄膜。每层金属具有特定厚度,不同金属层间要求有很好的粘附力,且确保金属不被氧化。
    国外引进集成创新
    硅片减薄 将较厚的硅片通过一定的方法进行减厚的技术。该等技术的特 国外 集成
    点为:应用高速旋转的砂轮对硅片进行表面研磨,使其厚度缓慢减小。该等工艺保证片内不同区域的去厚量一致性高、硅片形变小、表面损伤小。
    引进 创新
    减压多晶硅薄膜、
    二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜的低温沉积
    在一定气压和温度下,通入气体进行化学反应,使反应物沉积
    在硅片表面形成薄膜的技术。该等技术的特点为:反应需在低压环境进行,且反应物需沉积为均匀的薄膜层。
    国外引进集成创新
    发行人主要产品涉及主要技术的来源系自主研发及国外引进,不存在对浙江大学等第三方形成依赖的情况,不存在对国外同类产品的仿制行为。
    (二)公司正在从事的研发项目及产品
    截至本签署日,公司正在从事的主要研发项目具体情况如下:
    项目名称 主要内容及目标 研发进度
    200mm 硅片 RTP 快速热处理技术开发
    利用 RTP 快速热处理技术,在硅片体内形成的特殊空位分布,控制氧沉淀和洁净区的形成。在后序热处理过程中,利用空位对氧沉淀成核的促进作用,使得空位浓度低的硅片表层不易生成氧沉淀,形成洁净区,空位浓度高的体内则生成高密度的氧沉淀。
    工艺开发
    8 英寸双面磨盘形变控制与高平整度研磨硅片制备技术开发
    研究磨盘形变量与双面研磨硅片的表面平整度的关系,通过对磨片机的定盘进行定期修正,控制磨盘的型变量和平整度,在保证磨盘寿命的同时提高 8 英寸双面研磨片的平整度水平。
    工艺调试
    TEL 多晶炉工艺改进及硅
    片Warp 参数提升
    通过调整 TEL 多晶炉的硅烷流量、沉积温度、晶舟转速、炉压工艺等条件,开发出优选的硅片表面多晶薄膜沉积工艺,有效降低多晶膜和硅片之间的应力,从而降低硅片的Warp 翘曲度,提高硅片的平整度。
    工艺开发
    0.0008~0.0009Ω.cm 超低
    阻 8 寸重掺磷直拉单晶硅的工艺开发
    通过改进和设计新的热场,调整掺杂和晶转、埚转、流量、压力等工艺参数,开发出 0.0008~0.0009Ω.cm 超低电阻率的 8 寸重掺磷单晶。
    工艺调试超高阻直拉硅单晶制备技术开发
    通过采用高纯度多晶硅原料,设计整套单晶炉超高纯度热场,完善单晶制备过程中的防沾污措施,开发超高阻直拉硅单晶生长技术,制备出整根电阻率>5000Ω.cm 的超高阻硅单晶。
    工艺开发
    8 寸研磨硅片表面平整度参数提升技术开发
    采用硅片两次研磨的方式,第一次用粗砂研磨快速去厚得到较平整的表面和均匀的厚度,再进行第二次细砂研磨至目标厚度的方式,在不影响表面粗糙度、光泽度和基本研磨形貌的前提下,达到提高TTV 和STIR 参数的目的。
    样品测试
    200mm 重掺 Ph 外延片表面滑移线消除技术开发
    通过改进衬底片的制备工艺,实现衬底片机械强度的提升。在此基础上进一步优化外延片生长腔体的温度梯度,结合外延生长过程工艺条件的匹配,实现对 200mm 重掺 Ph 外延片表面滑移线的消除。
    样品测试
    24 寸热场 8 英寸直拉硅单晶生长工艺开发
    通过设计更大尺寸的热场结构(24 寸),增大石英坩埚尺寸和投料量,从而提高成品率;通过重新设计和加工不同形状和尺寸的导流装置,研究不同工艺参数对晶体无位错生长的影响;
    开发磁场拉晶工艺,研究不同磁场参数对熔体对流、氧含量分布以及固液界面的影响,最终开发出适用于24 寸热场的无位错、低氧含量、低COP 缺陷的 8 英寸轻掺硼硅单晶生长工艺。
    工艺调试
    6 英寸第二代半导体射频集成电路芯片技术研发及产业化
    开发具有世界领先水平的GaAs HBT 和 pHEMT 生产技术,并引进具有世界先进水平的高集成铟镓磷异质结双极型晶体管和
    砷化镓高电子迁移率晶体管射频集成电路生产工艺技术,进行客户样品验证
    0.8 微米以下尺寸的射频集成电路产品的研发及产业化。
    沟槽肖特基汽车专用芯片研制开发出满足车规要求的高压和低压不同类型的沟槽式肖特基产品,并且要求结温达到 175℃的高结温标准小批量生产
    车用FRD 芯片开发
    设计开发耐压 600V,正向压降小于 1V,反向恢复时间Trr<500ns,可靠性满足汽车电子AEC-Q101 要求的快恢复二极管可靠性验证汽车电子级超低正向肖特基芯片研发
    设计间断型沟槽结构,使得势垒有效面积占比更高,有效降低体电阻,开发出满足汽车电子领域应用的超低正向肖特基芯片小批量生产
    ESD 静电保护二极管产品开发
    采用新的器件版图设计方法,选择合理的B 源材料,设计合理的氧化推进温度,以及合适的工艺流程,开发出 5V~36V 满足工业应用的ESD 静电保护二极管小批量生产
    超低漏电肖特基产品开发 通过特殊的势垒工艺,高剂量的注入,高温推进的深结工艺,开发出超低漏电的肖特基产品,满足高可靠性领域的要求样品验证大电流沟槽肖特基产品开发
    开发出大电流沟槽肖特基产品,满足光伏接线盒领域的大电流高可靠性要求样品制作发行人研发项目不存在对浙江大学等第三方形成依赖的情况。
    (三)研发费用及其占营业收入的比例报告期内,公司研发费用投入具体情况如下:
    年度 2020 年 1-3 月 2019 年度 2018 年度 2017 年度
    研发费用(万元) 2261.93 9699.32 8661.32 5244.15
    营业收入(万元) 30932.77 119168.60 122266.70 93201.96
    营业收入占比 7.31% 8.14% 7.08% 5.63%
    (四)公司技术创新机制及安排
    公司的研发模式主要为内部自主研发,研发原则为:满足市场需求的同时,保证行业前瞻性。经过多年的实践与积累,公司根据工艺技术研发的流程特点,已逐步建立起一套符合行业发展特征、满足公司业务需要的研发体系。公司研发中心主要负责公司的研究开发工作,其下属机构按照研发职责分工,研发中心机构设置情况如下:
    公司研发中心各下属机构职能如下:
    部门 主要职能发展研究部
    根据行业和市场发展状况,建立技术信息情报管理机制,对前沿技术和产品进行跟踪研究分析,提供技术发展研究报告,确定新产品、新技术、新工艺的研发方向;负责组织制订年度研发计划,审查、批准技术方案;组织、实施与外部科研机构的合作等。
    工艺技术部
    对列入研发任务的新产品、新技术、新工艺提供产品工艺线稳定性方案,产品良率的维持以及产品异常的调查及排除;新开发产品的工艺技术整合,投产跟踪及量产前的各项分析;工艺控制和过程文件的监控和整理等。
    新品试制部
    对新产品根据工艺要求进行样品试制和小批试制,以验证产品质量的稳定性、性能参数和产品工艺性;验证工艺文件和工艺设备;对考核和试制情况进行总结,并按体系标准编制试制总结或试验报告、试运行报告等。
    分析测试部
    编写测试计划、规划详细的测试方案,根据测试计划进行测试环境的部署与调试,完整地记录测试结果,编写详实的测试报告;对测试中发现的问题进行分析,与研发人员讨论解决方案,验证性能是否达到设计要求等。
    综合管理部
    对研发中心的日常工作事务进行管理;负责研发中心人员的绩效考核,制定研发中心本年度财务预算,审批研发中心的研发费用、会议费用、培训费用、办公物资购买单等,负责研发中心会议的组织和记录等。
    公司在多年积累的研发管理经验的基础上,已经形成了一套系统的自主研发管理标准,建立了包含市场需求分析、研发立项管理、实施与检查等多环节在内的研发流程体系。根据研发流程的规定,公司营销部门与研发部门结合公司生产经营需要,通过市场评估、设备评估、产能评估、品质评估、趋势评估等,定期提出研发项目建议,经项目立项后由公司总经理审批开始实施。对于项目实施,公司实施课题负责人制度,并明确规定送样、小试、中批、产业化等环节所应履行的检测、鉴定等程序。新产品的评估反馈阶段贯穿于研发项目的始终,对新产品不断进行改进和完善,确保开发的新产品满足客户的需求。对于项目的管理,公司严格项目计划、经费及物资管理。依赖这一有效运行的制度化研发流程,研发人员能够及时、准确地掌握市场需求信息,形成明确的研发方向与目标,降低研发风险,进一步提高了公司研发的针对性与有效性,加快了新技术、新工艺的研发过程和产业化进程。
    公司自成立以来,一直将技术创新作为重要的发展战略,建立了较为完善的技术创新机制。公司对与新产品开发、科研技术攻关等相关的岗位设置、绩效考核、薪资标准、经费管理等都有明确的规定,并对研发技术人员建立了有效的激励机制。
    七、发行人质量控制情况
    (一)质量控制标准
    公司产品符合相关国家标准、行业标准及企业标准,并按照相对更为严格的产品规格书组织生产,以满足客户对不同产品的特定要求。
    公司产品执行的主要国家标准和行业标准如下:
    产品 执行标准 标准类别
    硅单晶抛光片 GB/T 12964-2003 国家标准硅外延片
    GB/T 14139-2009
    GB/T 35310-2017(200mm 硅外延片)国家标准分立器件AEC-Q101(美国汽车电子委员会汽车级半导体分立器件应力测试认证)行业标准
    公司建立了完善的产品质量控制体系,已经通过的质量管理体系认证情况如下:
    认证主体 质量管理体系名称 认证有效期立昂微电
    ISO9001:2015 2018 年 9 月至 2021 年 9 月
    IATF16949:2016 2018 年 9 月至 2021 年 9 月
    ISO14001:2015 2018 年 9 月至 2021 年 9 月
    立昂东芯 ISO14001:2015 2019 年 9 月至 2021 年 9 月浙江金瑞泓
    ISO9001:2015 2018 年 4 月至 2021 年 4 月
    IATF16949:2016 2018 年 4 月至 2021 年 4 月
    ISO14001:2015 2018 年 8 月至 2021 年 8 月
    ISO45001:2018 2019 年 12 月至 2022 年 12 月衢州金瑞泓
    ISO9001:2015 2019 年 4 月至 2022 年 4 月
    IATF16949:2016 2019 年 4 月至 2022 年 4 月
    (二)质量控制措施
    公司根据 ISO9001:2015、IATF16949:2016、ISO14001:2015 等质量管理体系相关要求制定了详细的质量控制制度,对产品生产和销售全过程实施严格的质量控制。公司质量控制制度明确了在管理职责、资源管理、产品实现、测量、分析和改进等方面的具体要求和措施,并加以实施、维持与改善,使质量控制体系持
    续具有一致性、适应性和有效性。
    (三)产品质量纠纷
    公司严格遵守国家有关产品质量的法律法规,执行相关产品质量标准和技术要求,报告期内未发生重大产品质量纠纷。

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