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上证指数:0000.00 +0.00% 深成指数: 0000.00 +0.00% 恒生指数:0000.00 +0.00%
新洁能(605111)投资状况    日期:
截止日期2020-01-102020-01-102020-01-102020-01-102020-01-10
收购兼并类型----------
主题招股说明书(申报稿)招股说明书(申报稿)招股说明书(申报稿)招股说明书(申报稿)招股说明书(申报稿)
募资方式新股发行新股发行新股发行新股发行新股发行
进展和收益说明----------
计划投入金额(元)200000000.00200000000.0048988000.00
实际投入截至日期
实际投入金额(元)
项目内容
    三、半导体功率器件封装测试生产线建设项目
    (一)项目投资概算
    本项目位于无锡新吴区,研发一路以东,研发二路以南地块。主要建设内容包括:针对公司现有的封装形式( DPAK/SOT/TO)进行产业链延伸;
    TO-247/TO-3PIGBT及大功率MOSFET芯片封装;低热阻SOP-8封装的产业化;基
    于Cu-Clip工艺技术,实现高功率密度低功耗器件封装;芯片封装集成器件及大功率模块的研发和封装产业化。
    本项目总投资额为32014.90万元,具体投资构成如下:
    单位:万元
    序号 项目 投资额 占比 第一年 第二年
    1 固定资产投资 29319.40 91.58% 20671.40 8648.00
    1.1 设备投资 25482.00 79.59% 16834.00 8648.00
    1.2 土建投资 3837.40 11.99% 3837.40 -
    2 软件投资 255.00 0.80% - 255.00
    3 铺底流动资金 2440.50 7.62% 1220.25 1220.25
    合计 32014.90 100.00% 21891.65 10123.25
    (二)项目的必要性、可行性分析
    1、项目的必要性分析
    (1)把控产品质量,进军高端市场的需要
    随着先进半导体功率器件的迅速发展,器件的电流能力、功率密度越来越大,功率损耗持续降低,半导体功率器件的质量开始部分受限于产品封装。封装质量直接影响功率器件的质量及可靠性,封装测试企业对质量把控的严格程度直接影响公司产品质量及声誉。公司拥有十多家封测服务供应商,各个供应商封装技术水平均在差异、质量把控严格程度不一,对公司产品的质量保障造成一定的困难。此外,公司投入大量人力、物力、财力、时间来评估各个封装测试企业的功率器件质量,对公司实现进军高端市场的发展形成了较大的障碍。本项目的实施旨在将公司部分产品实现自主封装,有利于实现公司对封装环节质量的自主把控,确保产品的可靠性和一致性,加强产品的可追溯性,进而有助于增强公司产品的市场竞争力,创造进入国际市场的有利条件。
    (2)提升产品性能,增强市场竞争力的需要
    在采用完全相同的芯片的前提下,采用最新的封装技术,能使半导体功率器件的整体电学性能、可靠性和质量均大幅提高。公司功率器件中有大量的高功率密度产品,能在100mm2的大芯片面积下,导通的电流能力达到上百安培。通过开发大电流、低热阻、高功率密度、低导通电阻、低寄生参数的大功率TO系列封装测试产线,能实现多颗MOSFET或IGBT芯片的不同拓扑结构的智能功率模块的封装,从而提升产品性能。通过量产一种低RθJA热阻的SOP-8封装产品,在同等条件下比传统的SOP-8封装产品工作温度降低10℃,导通电阻降低7%,产品
    可靠性更高寿命更长。通过Cu-Clip封装技术代替传统的铜线、铝线或铝带键合打线,可以减少封装热阻和增加最大漏极电流额定值,以实现更高的电流密度。
    本项目将引进先进的封装及测试设备和优秀的技术人才,进而提升公司产品性能,增强公司的市场竞争力,实现高功率密度、高集成度、超低损耗、高可靠性半导体功率器件封装产业化。
    (3)控制封装成本、加强技术保密的需要制造能力是半导体分立器件行业中领先的国际企业的主要优势之一。强大的自主制造能力使其有效控制产品成本,并获取更多产业链价值。报告期内,公司功率器件销售占比逐年增加,封装环节的成本亦不断增加,公司需要拥有自主封装制造能力,以有效控制封装成本。此外,保持产品的技术领先性、独特性关系
    到一个企业能否持续发展。在多年研发投入和技术创新中,公司已积累了部分独
    特的封装技术及工艺,为加强专有技术的保密、保证公司产品技术的领先性,公司需要具备自有封装产线,以加强保护公司的相关产品工艺和技术。本项目通过自建全自控的高质量高技术的封装产线,有利于公司控制产品的封装成本,并加强对自有技术的保密,从而提升公司产品的市场竞争力。
    2、项目的可行性分析
    (1)国家产业政策提供了良好发展环境
    半导体功率器件相关产业属于国家鼓励和支持的战略产业之一,基于其对于国民经济和国家安全的高度重要性,政府对半导体相关产业的发展给予了一贯的高度关注,并先后采取了多项优惠措施助力行业深度发展,国家相关部门相继出台了多项产业扶持政策,为我国半导体封装测试行业的发展营造了良好的政策环境。2017年,国家发展改革委发布《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》,指导目录中进一步明确半导体封装测试行业的地位和范围。2015年,国务院发布《中国制造2025》指出,掌握高密度封装及三维(3D)微组装技术,提升封装产业和测试的自主发展能力的重要性。国家相继出台的多项产业扶持政策为半导体封装测试产线的建设营造了良好的政策环境,这有利保障了本募投项目的顺利实施。
    (2)充足的技术储备和研发能力夯实了项目实施的基础
    在技术储备方面,公司在封装技术领域持续进行研发投入和技术创新,并通过联合开发新型封装技术等方式积累了大量的技术基础和工艺经验。截至2020
    年1月19日,公司拥有97项专利,其中发明专利35项、实用新型59项,外观专利3项。在公司生产经营及持续研发投入中,公司成功开发出宽source引脚封装形式,明显提高了大功率MOSFET产品的性能。此外,公司已建有一条功率模块生产先导线,并成功推出了160A/3kW的功率MOSFET模块产品。在研发能力方面,公司拥有较强的封装应力技术和封装散热技术的研发能力。公司已拥有完善的封装应力仿真设计平台、封装热特性仿真技术平台、封装寄生参数仿真技术平台,可以实现各个功率器件、功率集成器件、功率模块封装技术的仿真研究,为公司封装产线的建设及封装技术的研发提供技术保障。
    (3)研发人才和管理人才为产线建设和运营提供保障
    研发人才储备方面,公司通过内部培养和外部引进方式组建了一支高素质的研发团队。截至2019年12月31日,公司研发人员占员工比例超过36%,且拥有众多在半导体芯片代工企业、半导体封装测试企业工作经验的复合型研发人员,以及具有半导体行业内从业经验达10年以上的研发人员,研发团队整体精干高效。
    此外,众多半导体封装企业聚集在无锡及周边区域,半导体封装技术人才充足,有利于公司未来对相关封装技术人才的招募,为本项目的实施提供人才保障。管理人才储备方面,公司在半导体功率器件行业有着丰富的行业技术经验和管理经验积累。公司主要管理人员拥有在封装测试企业多年的管理经验,具有建设团队和领导团队的才能;公司具备完善的人才录用、培训、考核和激励体系,能够较好地实现人才引进、激励;公司的研发管理、人力资源管理、生产管理、安全质量管理、财务管理和营销管理有序、高效,这些均为项目建设和运营提供了保障。
    (三)项目产品及新增产能消化情况
    本项目是公司在对传统封装技术的充分吸收和消化基础上进行优化改进,拟
    采用Cu-Clip封装技术、超薄芯片的封装技术、集成化的智能模块封装测试技术
    及低热阻SOP-8封装技术,提高封装产品性能。项目建成后,自有封装产品线的
    建设将保障和提升公司产品性能,公司的半导体功率器件产量也将随之扩大,封装业务量随之增加。新增封装产能主要由公司内部产品消化使用,保障项目新增产能的消化。
    (四)项目技术方案和主要设备选择
    1、工艺流程
    本项目对封装生产工艺进行优化改进,其主要工艺流程及操作步骤如下图所示:
    化学镀(委外)
    E-less Plating划片
    Die saw检验
    Inspection装片
    Die-Bonding装片后烘
    Curing检验
    Inspection塑封
    Molding检验
    Inspection键合
    Wire Bond检验
    Inspection塑封后烘
    PMC浸泡/软化(委外)
    Immersion电镀(委外)
    Plating检验
    Inspection切筋成型
    Trim&Form检验
    Inspection编带
    Tape&reel打印
    Marking测试
    Test检验
    Inspection包装出货
    Packing&Delivery
    2、本项目新增加设备列表
    本项目固定资产投资为29319.40万元,拟购置主要设备清单如下:
    序号 设备名称 数量(台/套) 金额(万元)
    一、生产设备投资
    1 全自动划片机 10 2050.00
    2 全自动装片机 25 3625.00
    3 全自动键合机 69 6900.00
    4 全自动塑封机 13 4810.00
    5 切筋机 11 1210.00
    6 分选机 30 3750.00
    7 测试主机 32 2080.00
    8 无氧烘箱 4 60.00
    9 鼓风烘箱 9 72.00
    10 贴膜机 1 67.00
    11 CO2 发泡机 1 7.00
    12 等离子清洗机 1 67.00
    13 氮气柜 20 16.00
    14 回流焊 1 14.00
    15 电子天平 4 4.00
    16 打包机 1 5.00
    17 标签打印机 3 6.00
    18 真空包装机 2 8.00
    小计 237 24751.00
    二、研发测试设备
    1 超声扫描 1 159.00
    2 高倍显微镜 2 48.00
    3 测量显微镜 2 80.00
    4 投影仪 1 12.00
    5 低倍显微镜 5 5.00
    6 电子扫描显微镜 1 125.00
    7 EDX 能谱分析 1 130.00
    8 偏振光液晶显微镜 1 20.00
    9 热冲击试验箱 1 65.00
    10 HAST 试验箱 1 56.00
    11 切割研磨 1 30.00
    12 放大镜 10 1.00
    小计 27 731.00
    合计 264 25482.00
    3、本项目新增土建投资列表
    本项目需进行装修及配套设施投入及基础建设投入,投资总金额为3837.40万元。具体明细如下:
    序号 项目 建筑面积(㎡) 金额(万元)
    1 净化间装修及配套设施 4100.00 1230.00
    2 普通间装修及配套设施 5970.00 895.50
    3 基础建设成本 10070.00 1711.90
    合计 3837.40
    4、本项目新增加软件投资列表
    本项目软件投资为255.00万元,具体明细如下:
    序号 设备名称 数量(台/套) 金额(万元)
    1 SAP 系统 1 70.00
    2 MES 系统 1 120.00
    3 DCC 系统 1 15.00
    4 OA 系统 1 10.00
    5 SAP 二期 5 25.00
    6 中央数据服务器 1 15.00
    合计 10 255.00
    (五)主要原材料和动力的供应情况
    1、主要原辅材料
    本项目主要原材料为芯片、胶水、塑封树脂、引线框架、金属线和铜夹子等,原材料从外部采购。主要原料供应充足,货源稳定、采购方便,可保障本项目产品的原材料供应需求。
    2、主要动力供应
    本项目建设基础设施建设良好,水电供应充分保障,成本比较低,能够保证项目建设的正常进行。
    (六)项目竣工时间、产量、产品销售方式
    本项目计划建设期18个月,计划分7个阶段实施完成,包括:项目考察、设计阶段;土建施工阶段;厂房装修阶段;设备询价、购买阶段;人员招聘培训阶段;设备安装及调试、全线试生产阶段;竣工验收、投产阶段。项目建成后,自有封装产品线的建设将保障和提升公司产品性能,公司的半导体功率器件产量也将随之扩大,封装业务量随之增加。
    本项目主要为公司自有的半导体功率器件提供封装测试。
    (七)项目的组织及实施
    1、 组织实施
    本项目工程建设内容涉及土建工程,设备购置和安装工程,投资额较大,为了确保项目的顺利实施,公司将专门成立项目筹建小组,负责对外联络及协调各部门之间的关系。项目建设过程中,做好项目的控制、监督、管理,定期检查并反馈。同时,根据国家相关法规,建立安全生产责任制度,保障项目如期保质完成。
    2、项目进度计划
    本项目计划建设期18个月,计划分7个阶段实施完成,具体如下:
    项目计划
    项目建设期(18 个月)
    1-3 月 4-6 月 7-9 月 10-12 月 13-15 月 16-18 月
    项目考察、设计阶段土建施工厂房装修
    设备询价、购买人员招聘培训
    设备安装及调试、全线试生产竣工验收、投产
    (八)项目的经济效益
    项目建设期为18个月,运营期为T+1期至T+10期。运营期T+1期公司开始正式投产,产能利用率为40%,T+2期为80%,T+3到T+10期100%完全达产。根据可行性研究报告,在各项经济因素与可行性研究报告预期相符的前提下,本项目的经济效益评价指标测算结果如下:
    指标名称 指标值
    年平均销售收入(万元) 28494.62年平均利润总额(万元) 5107.24年平均上缴所得税(万元) 1276.81年平均税后利润(万元) 3830.42年总投资收益率 15.95%
    所得税前 所得税后
    内部收益率 16.52% 12.45%
    财务净现值(ic=10%)(万元) 10670.81 3893.75
    投资回收期(含建设期) 6.61 7.61
    六、补充流动资金项目
    (一)项目背景及必要性
    1、满足公司经营规模快速增长带来的流动资金需求报告期内,公司发展迅速,经营规模呈现快速增长趋势。2017 年至 2019 年,公司分别实现营业收入 50375.98 万元、71579.03 万元和 77253.69 万元,年复合增长率达到 30.22%。在国家半导体产业政策大力支持以及下游市场需求持续增长的背景下,预计未来公司经营规模仍将保持快速增长的趋势。公司资产主要以流动资产为主,公司日常经营较多涉及现款支付,折旧、摊销类的非现金支出相对较少。因此,公司需要保持较高水平的流动资金用于新产品技术研发、人才引进、原材料采购、市场销售等环节,以保持公司的竞争优势和行业领先地位,推动公司业务可持续发展。
    2、优化财务结构,防范经营风险
    通过补充流动资金,公司可进一步优化财务结构,防范经营风险,保证公司业务的顺利开展,有利于公司扩大业务规模,提高公司的综合竞争力,为公司未来可持续发展创造宽松的资金环境和良好的融资条件。
    (二)补充流动资金的管理运营安排
    本次募集资金到位后,公司将根据实际经营状况和未来发展规划,合理投入募集资金,减少公司财务风险,提高持续经营能力。
    公司将规范募集资金管理,保证募集资金合法合理使用,提高募集资金使用效率。公司已根据《上市公司监管指引第 2 号----上市公司募集资金管理和使用的监管要求》、《上海证券交易所上市公司募集资金管理办法》等法律法规、规
    范文件制定了募集资金管理制度,对募集资金的专户存储、使用、用途变更、管理和监督进行了明确的规定。
    公司将严格履行募集资金的申请和审批手续,努力提高资金的使用效率,完善并加强内部决策程序,全面有效的控制公司经营风险,合理防范募集资金使用风险,提高经营效率和盈利能力。
    (三)对公司财务状况及经营成果的影响和对提升公司核心竞争力的作用
    本次募集资金补充营运资金后,公司可依据业务发展的实际需要将营运资金用于扩大生产、技术研发、市场开拓等方面,进一步提升公司的核心竞争力,同时还将优化公司资产负债结构,提高公司的偿债能力,降低公司的营运风险。
    二、超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化项目
    (一)项目投资概算
    本项目位于无锡新吴区,研发一路以东,研发二路以南地块。项目旨在对公司现有产品升级换代,开发新一代超低能耗高可靠性半导体功率器件,突破超低能耗功率器件设计技术门槛,打破国外产品在高端应用领域的垄断地位。
    本项目总投资额为48118.04万元,具体投资构成如下:
    单位:万元
    序号 项目 投资额 占比 第一年 第二年 第三年
    1 固定资产投资 6094.60 12.67% 3689.40 2405.20 -
    1.1 设备投资 5764.60 11.98% 3359.40 2405.20 -
    1.2 土建投资 330.00 0.69% 330.00 - -
    2 研发费用 33782.29 70.21% 7067.47 11353.53 15361.29
    2.1 开发费用 1182.00 2.46% 198.00 442.00 542.00
    2.2 试制费用 25486.30 52.97% 5394.91 8548.49 11542.90
    2.3 封装测试费用 6763.99 14.06% 1424.56 2263.03 3076.39
    2.4 IPcore 350.00 0.73% 50.00 100.00 200.00
    3 软件投资 1120.00 2.33% 1120.00
    4 铺底流动资金 7121.15 14.80% 2373.72 2373.72 2373.72
    合计 48118.04 100.00% 14250.59 16132.44 17735.01
    (二)项目的必要性、可行性分析
    1、项目的必要性分析
    (1)满足蓬勃发展的下游应用市场需求
    MOSFET、IGBT等半导体功率器件是实现高效电能利用、智能电机控制的核心部件,下游覆盖消费电子、汽车电子、工业电子等领域,且在该等领域应用保持稳定增长,特别在节能环保发展趋势下,超低能耗高可靠性的半导体功率器件将迎来更大的市场空间。此外,下游新兴应用领域对电能使用效率提出了更高要求;作为高效电能利用的核心部件之一,半导体功率器件需要不断满足更低损耗特性、更高可靠性、更高功率密度、高温工作特性、小型化、低寄生电感等各种更为严格的要求。为满足高速发展的市场需求,以及下游应用领域对产品性能、质量、可靠性等方面更为严格的要求,公司亟需依托现有研发实力、产品品质、下游应用等优势,持续推进产品升级、进一步提升产品性能和扩大产品系列。
    本募投项目的建设是公司把握行业发展机遇的必要举措,将有效提高公司产品设计能力和产能规模,更好地满足蓬勃发展的下游应用市场的需求。
    (2)持续技术创新、保持市场竞争力的需要
    半导体功率器件下游应用领域日新月异,产品形态、功能以及客户需求在短
    时间内都可能发生很大的变化,而且随着新材料的应用和新技术的不断突破,在满足经济性条件下,新一代的半导体功率器件产品将可能出现,这些客观上要求行业内企业具备持续创新的能力。另外,半导体功率器件市场竞争日益激烈,行业内企业一旦在技术或产品上被国内外竞争对手赶超,将面临丧失市场地位的风险。公司始终坚持根据行业发展方向进行持续创新,提前进行技术研发升级和产品布局。超低能耗高可靠性半导体功率器件的研发升级是公司实现在高端半导体功率器件产品系列布局中至关重要的一环。本募投项目的实施将有助于公司开发
    新一代的MOSFET及IGBT产品,提前布局先进半导体功率器件的研发及产业化,增强可持续发展能力,巩固行业领先地位。
    (3)进军高端市场,打破国外企业在高端应用领域的垄断地位
    半导体功率器件高端应用市场和技术基本被国外企业垄断。在市场方面,国内轨道交通、通讯基站等高端应用领域的MOSFET及IGBT产品主要被国际巨头垄断,尤其在超低能耗高可靠性功率器件细分市场,几乎全部被国际一流半导体企业垄断。在技术方面,国内半导体行业起步较晚,很多半导体功率器件关键技术仍掌握在少数国外公司手中;以高端功率MOSFET为例,国际一流半导体企业如 英 飞 凌 ( Infineon ) 、 安 森 美 ( ONSemiconductor ) 、 意 法 半 导 体(STMicroelectronics)等均已推出全球先进技术的屏蔽栅功率MOSFET和超结功
    率MOSFET,而国内仅有少数几家企业具备研发设计能力并推出相关产品,且国产产品的可靠性和适用性较国外还存在一定差距。面对广阔的市场发展前景和巨大的进口替代市场空间,国内企业亟需通过加大投入进行产品升级以实现进口替代,进军高端应用领域。本募投项目产品正是通过对公司现有产品进一步升级和技术创新,提升产品性能并丰富产品规格型号,从而打破国际半导体企业在高端应用领域的垄断地位,打造中国制造高端品牌。
    2、项目的可行性分析
    (1)顺应行业发展趋势,符合国家产业政策半导体是关乎国民经济和社会发展的国家战略性产业。半导体功率器件作为各种工业电子、消费电子等设备电能控制转换的核心器件,是基础性电子元器
    件。2016年国务院发布《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》进一步明确
    了低能耗高可靠性功率器件的发展方向。国家发改委《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016版)》指出“进一步明确电力电子功率器件的地位和范围,包括金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块等。”而且,半导体功率器件的下游应用领域也受到国内产业政策的鼓励和扶持,包括新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等在内的新兴应用领域在国家政策重点支持下蓬勃发展,进而对半导体功率器件的需求持续大幅增长。国家相继出台的多项产业扶持政策为半导体功率器件行业以及下游行业的发展营造了良好的政策环境,这有利保障了本募投项目的顺利实施。
    (2)充足的研发人才及技术储备为项目实施提供必要基础
    研发人才储备方面:公司通过内部培养和外部引进方式组建了一支高素质的研发团队。截至2019年12月31日,公司研发人员占比超过36%,且研发骨干人员具有半导体行业多年从业经验;公司员工中本科及以上学历的人才占比超过
    45%、40岁以下的员工占比超过85%,人才梯队和年龄结构较为合理;公司还拥
    有一批具备行业专业性,并兼具市场开拓或管理能力的复合型人才。技术储备方
    面:公司是“中国半导体功率器件十强企业”,始终专注于半导体功率器件行业,具备独立的MOSFET和IGBT研发设计能力和自主的工艺技术平台,已经掌握了屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、IGBT等特色工艺技术,形成了具有自主知识产权的核心技术体系,拥有多项核心技术并且不断进行新产品新技术的前瞻性布局;公司亦是国内率先量产全球先进技术的屏蔽栅功率MOSFET及超结
    功率MOSFET的企业之一;截至2020年1月19日,公司拥有97项专利,其中发明
    专利35项、实用新型59项,外观设计3项。公司充足的研发人才及技术储备为本
    募投项目的实施提供了必要的基础,能够有效保证项目的顺利实施。
    (3)下游应用优势和客户资源保障项目产能消化
    公司MOSFET、IGBT等产品是基础电子元器件,适用于广泛的下游应用领域,应用优势明显;广泛的下游应用领域保障了对公司产品的充足需求,为公司发展提供了巨大的市场空间,从而保障了本募投项目生产产品的产能消化。公司具有良好的品牌优势和市场口碑,以产品性能可靠、系列齐全等优势获得客户的广泛好评和一致认可,积累了丰富的市场开拓经验和客户资源。公司产品已进入
    包括消费电子、汽车电子、工业电子等在内的多个领域,成功开拓电机驱动、TV电源、锂电池保护、高端电源、服务机器人、电动平衡车、电动工具、LED照明等多个下游细分行业内的龙头企业客户,并不断向行业内其他优质企业拓展。因此,公司拥有的强大客户资源和完善的销售渠道亦可以有效支撑本次募投项目生产产品的市场销售。
    (4)产业链协作优势为项目实施提供有力支持
    半导体行业内采用Fabless模式的企业主要从事产品的研发设计和销售,其芯片代工和封装测试需依托于产业链中的芯片代工厂商和封装测试厂商。半导体产品的性能和质量、交货时间、生产能力等也都与产业链其他环节存在一定关联。
    公司是国内8英寸工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一。公司芯片代工供应商包括华虹宏力、华润上华、中芯集成和、韩国美格纳以及韩国
    三星等其他境内外领先企业,其中华虹宏力在全球2017年和2018年芯片代工企业
    中分别排名第九和第七。公司封装测试供应商包括长电科技(600584)、通富微
    电(002156)、安靠技术(Amkor)、上海捷敏等十多家优秀企业,其中长电科
    技(600584)是国内封装测试供应商的龙头,全球市场份额排名第三,安靠技术
    (Amkor)是全球领先的封装测试供应商,全球市场份额排名第二。公司与产业
    链中重要供应商签订了长期合作协议,保持长期稳定的合作关系,并积极开展业务对接,能够充分发挥产业链优势,从而为本募投项目的实施提供有力支持。
    (三)项目产品及新增产能消化情况
    项目建成后,公司将进一步推进和完成新一代30V~300V屏蔽栅功率
    MOSFET系列产品、500V~900V超结功率MOSFET系列产品、600V~1350V沟槽
    场截止型IGBT系列产品及功率集成器件系列产品的研发及产业化。
    半导体分立器件作为基础性电子元器件,属于国家重点鼓励、扶持发展的产业。近年来,随着国民经济的快速发展及产品技术工艺的不断突破,半导体功率器件应用领域有了较大幅度的扩展。目前,半导体功率器件的应用范围已从原有的工业控制和4C产业(计算机、通信、消费类电子产品和汽车),逐步扩展到新能源汽车/充电桩、光伏新能源、物联网、智能装备制造等新兴领域。而且,
    受益于国际半导体产业制造环节的转移、国家产业政策的大力扶持以及下游行业快速发展的需求拉动,我国半导体功率器件市场容量将保持持续稳定的增长态势。此外,随着本土半导体功率器件产品技术水平和质量品质不断提升,半导体功率器件进口替代效应将日益显性。
    报告期内,公司产品产销率接近100%,产品产能仅能满足主要合作客户的现有需求,部分产品出现供不应求的状况。公司作为国内领先的半导体功率器件设计领域企业之一,产品已广泛应用于下游各大行业领域行业领先企业,并快速向其他企业推广。公司凭借技术及品质优势已在下游市场形成了良好的品牌知名度,拥有明显的客户资源优势,为本次项目提供了良好的客户基础和销售支撑。
    同时,公司作为高新技术企业,技术力量雄厚,创新能力强,有良好的品牌影响力和市场美誉度。公司紧密结合自身器件与工艺设计技术领先的优势,与国
    际一流的芯片代工企业和封装测试企业保持密切配合与合作,严格控制产品质量,保证产品的持续优质和稳定供货。项目实施后,公司具备产品推广的能力及优势,保证了新增产能的市场吸收。
    (四)项目技术方案和主要设备选择
    1、工艺流程
    具体情况详见本招股意向书“第六节业务和技术”之“四、(二)主要产品的工艺流程图”。
    2、本项目新增加设备列表
    本项目购置的硬件设备包含生产设备、研发测试设备,拟购置主要设备清单如下:
    序号 设备名称 数量(台/套) 金额(万元)
    一、生产设备
    1 栅极电阻 Rg 和电容自动测试系统 10 100.00
    2 场效应雪崩(EAS)自动测试系统 10 180.00
    3 Juno 直流测试机 10 300.00
    4 8 英寸晶圆全自动探针台 10 270.00
    5 电子防潮柜 5 3.00
    6 充氮烘箱 5 3.00
    7 超低温除湿干燥柜 5 2.00
    8 晶圆级大电流开关损耗自动测试系统 5 200.00
    9 晶圆级雪崩耐量自动测试系统 5 200.00
    小计 65 1258.00
    二、研发测试设备
1
    LEMSYSIGBT/MOSFET 动静态特性测试系统
    1 250.00
    2 ITC55100 雪崩能量测试系统 2 70.00
    3 ITC59100Rg 栅极串联等效电阻测试系统 2 60.00
    4 功率模块 DC 测试系统 2 150.00
    5 Phase11 稳态热阻分析测试系统 1 130.00
    6 莱卡显微镜 3 90.00
    7 仿真服务器 5 60.00
    8 版图服务器 3 24.00
    9 SEM 扫描电镜 1 384.00
    10 红外失效分析显微镜 1 100.00
    11 能谱分析仪 1 50.00
    12 高低温循环测试系统 1 35.00
    13 恒温恒湿实验箱 1 20.00
    14 高温实验箱 2 20.00
    15 Espec 失效分析设备 1 10.00
    16 高压绝缘测试仪 2 20.00
    17 静电发生器 1 3.60
    18 HAST 测试设备 1 60.00
    19 SRP 1 320.00
    20 CurveTracer 2 192.00
21
    Thermal-SENTRIS 瞬态显微锁相热红外成像系统
    2 236.00
    22 TLP/VF-TLP 测试系统 1 30.00
    23 干法刻蚀 RIE 剥层 1 180.00
    24 定点裂片设备 1 300.00
    25 深能级瞬态谱分析仪(DLTS) 1 100.00
    26 原子力扫描探针显微镜 1 176.00
    27 扫描/透射电镜能谱仪(元素分析仪) 1 286.00
    28 晶圆背面减薄设备 1 1000.00
    29 激光平整度测量仪 1 30.00
    30 膜厚测量仪 1 30.00
    31 大功率直流电源 3 90.00
    小计 48 4506.60
    合计 113 5764.60
    3、本项目新增土建及配套工程投资列表
    本项目需进行装修及配套设施投入,投资总金额为330.00万元。具体明细如下:
    序号 项目 建筑面积(㎡) 金额(万元)
    1 净化间装修及配套设施 1000.00 300.00
    2 普通间装修及配套设施 200.00 30.00
    合计 1200.00 330.00
    4、本项目新增加软件投资列表
    本项目软件投资为1120.00万元,具体明细如下:
    序号 设备名称 数量(台/套) 金额(万元)
    1 SentaurusTCAD 24 360.00
    2 SILVACO 24 360.00
    3 Cadence 4 80.00
    4 ANSYS 4 120.00
    5 MBP 8 40.00
    6 Saber 4 160.00
    合计 68 1120.00
    (五)主要采购内容和动力的供应情况
    1、主要采购内容
    公司是专业化垂直分工厂商,芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而
    成。通过多年的市场开发,公司已与主要供应商建立了长期稳定的业务合作关系,具有良好的合作经验,可保障本项目产品采购内容的供应需求。
    2、主要动力供应
    本项目建设基础设施建设良好,水电供应充分保障,成本比较低,能够保证项目建设的正常进行。
    (六)项目竣工时间、产量、产品销售方式
    本项目计划建设期36个月,计划分5个阶段实施完成,包括:项目考察、设计阶段;场地装修阶段;设备购买与调试阶段;人员招聘培训阶段及产品研发升级阶段。主要推进和完成新一代30V~300V屏蔽栅功率MOSFET系列产品、
    500V~900V超结功率MOSFET系列产品、600V~1350V沟槽场截止型IGBT系列产
    品及功率集成器件系列产品的研发及产业化。项目建成后,公司产品质量和技术附加值不断提高。公司将在现有客户基础上,进一步开拓国内外市场。
    具体产品销售模式参见本招股意向书“第六节业务和技术”之“四、(三)主要经营模式”之“3、销售模式”。(七)项目的组织及实施
    1、组织实施
    本项目由公司研发经理负责,按实施阶段分步进行,各部门经理为项目主要成员,明确各部门的职责,分工到位,公司各项管理制度高效执行,贯穿于整个项目运行中,保证项目建设有序、保质开展。
    2、项目进度计划
    本项目计划建设期36个月,计划分5个阶段实施完成,具体如下:
    项目计划
    项目建设期(36 个月)
    1-6 月 7-12 月 13-18 月 19-24 月 25-30 月 31-36 月
    项目考察、设计场地装修
    设备购买与调试人员招聘培训产品研发升级
    (八)项目的经济效益情况
    项目建设期为36个月,运营期为T+1期至T+10期。根据规划,项目建成后,运营期T+1期部分开发产品陆续正式投产,T+1期达到设计产能的40%,T+2期产
    能达到80%,T+3期完全达产。根据可行性研究报告,在各项经济因素与可行性
    研究报告预期相符的前提下,本项目的经济效益评价指标测算结果如下:
    指标名称 指标值
    年平均销售收入(万元) 83144.45年平均利润总额(万元) 7491.05年平均上缴所得税(万元) 1123.66年平均税后利润(万元) 6367.39年总投资收益率 15.57%
    所得税前 所得税后
    内部收益率 24.15% 21.19%
    财务净现值(ic=10%)(万元) 24729.48 18920.37投资回收期(含建设期) 5.74 6.15
    四、碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化项目
    (一)项目投资概算
    本项目位于无锡新吴区,研发一路以东,研发二路以南地块。本项目是基于宽禁带半导体碳化硅材料的功率器件研发及产业化,包括SiC SBD(肖特基二极管)及SiC MOSFET两类产品。本项目的实施旨在突破高压SiC功率器件关键技术,重点针对碳化硅二极管浪涌电流能力提升技术、碳化硅二极管雪崩耐量提升技术、沟槽底部氧化层峰值电场抑制技术、器件终端边缘电场疏导技术进行研发。开发碳化硅功率器件,打破国外产品在碳化硅宽禁带半导体功率器件技术垄断,实现我国碳化硅功率器件的国产化。
    本项目总投资额为11419.27万元,具体投资构成如下:
    单位:万元
    序号 项目 投资额 占比 第一年 第二年 第三年
    1 固定资产投资 767.75 6.72% 426.65 341.10 -
    1.1 设备投资 497.75 4.36% 156.65 341.10 -
    1.2 土建投资 270.00 2.36% 270.00 - -
    2 研发费用 9561.85 83.73% 1667.62 2850.19 5044.04
    2.1 开发费用 848.00 7.43% 224.00 312.00 312.00
    2.2 试制费用 8158.19 71.44% 1345.55 2374.71 4437.93
    2.3 封装测试费用 355.67 3.11% 58.07 103.48 194.11
    2.4 IPcore 200.00 1.75% 40.00 60.00 100.00
    3 软件投资 280.00 2.45% 280.00 - -
    4 铺底流动资金 809.67 7.09% 269.89 269.89 269.89
    合计 11419.27 100.00% 2644.16 3461.18 5313.93
    (二)项目的必要性、可行性分析
    1、项目的必要性
    (1)顺应行业发展趋势,实现产品结构升级的需要近年来,下游应用领域对半导体功率器件的性能提出了更高的要求。目前,基于硅材料的半导体功率器件已经随其结构设计和制造工艺的日趋完善而接近
    由材料本身特性所决定的理论极限,而SiC等新一代半导体材料具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力,在高压功率器件领域能够完全替代硅材料,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。在部分高端下游应用领域,SiC宽禁带半导体功率器件具备不可替代的优势,切合节能环保、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,已成为支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速列车、航海航空等产业自主创新发展和转型升级的重点核心电子元器件。通过本募投项目的实施,有助于公司顺应半导体功率器件行业发展趋势,提前布局
    SiC宽禁带半导体功率器件产品,实现公司产品结构升级,从而进一步强化公司在半导体功率器件高端应用市场的核心竞争力。
    (2)把握市场际遇,巩固公司国内领先地位的需要
    SiC宽禁带半导体功率器件的性能已得到国内外的公认,相关的衬底生产工
    艺、外延工艺、器件制备工艺等也逐步成熟。半导体功率器件下游行业需求逐渐由硅基向SiC等宽禁带半导体功率器件转变,当下是进入SiC等半导体功率器件市场领域的机遇期。据Yole数据预测,2022年市场规模将超过10亿美元,较2017年复合增速将达到40%;随着宽禁带半导体相关配套工艺和下游应用市场的日益成熟,未来SiC宽禁带半导体功率器件的市场规模将进一步快速增长。公司作为国内半导体功率器件十强企业之一,需把握全球宽禁带半导体功率器件的发展契机,抓住机遇窗口,实现在宽禁带半导体领域的技术突破。通过本募投项目的实施将有助于公司加快SiC等宽禁带半导体功率器件的研发及产业化进度,抢占宽禁带半导体功率器件的技术高地,从而巩固公司在国内的领先地位。
    (3)缩小与国际先进水平差距,提高国际竞争力的需要
    不同于“硅基”半导体材料及半导体产业与国际先进水平存在较大差距,我国在SiC宽禁带半导体技术领域的研究工作紧跟国际前沿。虽然现有技术与国际先进水平仍存在差距,但随着全球半导体产业逐步向亚洲转移,国内产业实力不断提升,同时依托新能源汽车、物联网、智能装备制造等新兴产业带来的广阔市场空间、以及上下游产业链的协同,我国已经初步具备发展宽禁带半导体产业的
    能力。2017年以来,我国宽禁带半导体产业逐步进入实质性推进的阶段,国内多
    条SiC产线相继投入使用,各环节产品也进入送样验证和小批量试生产阶段,量
    产和规模化应用正在形成。通过本募投项目的实施,有助于公司加大研发投入,充分借助目前在硅基半导体功率器件方面的技术基础,实现公司产品和技术向宽禁带半导体领域的过渡,缩小与国际半导体功率器件一流企业的技术差距,从而提高国际竞争力。
    2、项目的可行性
    (1)国家政策的重点支持提供了良好发展环境
    国家高度重视宽禁带半导体的研究与开发,从2004年即开始对宽禁带半导体领域的研究进行部署,启动了一系列重大研究项目。2013年科技部在863计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。
    2015年5月,国务院发布《中国制造2025》,新材料是其中十大重点领域之一,
    其中第三代半导体被纳入关键战略材料发展重点。2016年7月,国务院发布的
    《“十三五”国家科技创新规划》明确提出“围绕重点基础产业、战略性新兴产
    业和国防建设对新材料的重大需求,加快新材料技术突破和应用。发展先进功能材料技术,重点是第三代半导体材料。”2017年4月,科技部发布《“十三五”先进制造技术领域科技创新专项规划》,明确提出“针对碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的宽禁带半导体技术对关键制造装备的需求,开展大尺寸(6吋)宽禁带半导体材料制备、器件制造、性能检测等关键装备与工艺研究。”国家针对宽禁带半导体密集出台的一系列产业政策和重大扶持措施,支撑了本募投项目组的有效实施,为本募投项目提供了强有力的政策可行性。
    (2)研发实力和技术积累为项目开发提供条件
    公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一,为“中国半导体功率器件十强企业”,具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主的工艺技术平台,形成了具有自主知识产权的核心技术体系。公司紧跟半导体功率器件发展前沿,时刻关注SiC等宽禁带半导体功率器件的技术迭代更新,自2015年起开展对SiC等宽禁带半导体功率器件的研发工作,不断研究相关设计难点、可靠性瓶颈、工艺技术等,并形成了一定的技术突破,目前已开发了“高耐压低损耗碳化硅二极管技术”、“碳化硅功率器件高可靠终端耐压保护技术”、“碳化硅功率器件高雪崩耐量技术”和“碳化硅二极管浪涌电流能力提升技术”等多项SiC宽禁带半导体功率器件核心技术。此外,基于SiC材料半导体功率器件工作原理、设计理论基本与公司现有的MOSFET、IGBT等硅基半导体功率器件一致,其研发、设计、生产难点与硅基功率器件有较大的相似之处。因此,硅基半导体功率器件部分低损耗技术、可靠性技术可以应用到SiC功率器件的研发设计中。公司在现有
    MOSFET、IGBT等硅基功率器件技术积累和SiC宽禁带半导体功率器件方面技术探索,为本募投项目的实施提供了必要的技术支撑。
    (3)领先的产业链资源和客户资源为项目产业化打下基础
    公司是国内领先的半导体功率器件设计企业之一,具有较强的产业链协作优势,不仅与国际著名的芯片代工厂商和封装测试厂商建立了良好的合作关系,还不断拓展其他国内外供应渠道,这为SiC宽禁带半导体功率器件项目实施打下了产业协作基础。在SiC宽禁带半导体芯片代工方面,公司已与国内外的SiC芯片代工厂商积极洽谈并展开合作,可以保证SiC半导体功率器件芯片的代工生产;在
    SiC宽禁带半导体功率器件的封装测试方面,目前国内已有部分企业可以实现SiC
    宽禁带半导体功率器件的封装测试,其中部分企业为公司已有战略性合作伙伴。
    而且,MOSFET、IGBT等硅基功率器件的市场领域与SiC功率器件的潜在市场领域具有较高的重合度,公司目前积累的MOSFET、IGBT等硅基功率器件客户资源为本募投项目的实施奠定了较好的客户基础,可以为SiC功率器件产品的市场推广提供保障。
    (三)项目产品及新增产能消化情况
    本项目是基于宽禁带半导体碳化硅材料的功率器件研发及产业化,包括SiC
    SBD(肖特基二极管)及SiC MOSFET两类产品。项目建成后,将全面提升公司半导体功率器件的技术研发水平及产品质量。
    碳化硅宽禁带半导体功率器件产品市场前景良好,符合国家产业政策。国家高度重视碳化硅等第三代半导体材料的研究与开发,《中国制造2025》、《“十三五”国家科技创新规划》、《“十三五”先进制造技术领域科技创新专项规划》等多项政策为第三代半导体功率器件发展提供了政策保障。此外,在全面推行“中国制造”的大背景下,人工智能、新能源汽车、5G通讯等应用领域越来越受重视,亦将带动碳化硅宽禁带半导体功率器件市场需求激增。随着政策引导效应逐步显现以及下游应用领域的快速发展,我国宽禁带半导体产业有望实现跨越式发展。
    公司是国内领先的半导体功率器件设计领域的企业之一,凭借先进的技术、丰富的产品种类、卓越的品质和优质的服务,公司取得了客户的广泛好评和较好的市场口碑,并与客户保持了良好的商业合作关系,培育了一大批忠实客户。公司部分客户正在积极开发基于SiC半导体功率器件的新产品,以这些客户为标杆,公司可以将产品更容易地推广到对应行业的其他企业,并加快向国内各个下游行业的市场拓展。项目实施后,产品良好的市场前景及公司优秀的客户资源将有效保障新增产能的市场消化。
    (四)项目技术方案和主要设备选择
    1、工艺流程
    (1)SiC SBD工艺流程如下图所示:
    低电阻SiC衬底材料
    外延生长 高温离子注入高温离子激活场氧生长及沉淀封装沉淀钝化层正面肖特基接触背面欧姆接触
    (2)SiC MOSFET工艺流程如下图所示:
    低电阻率SiC衬底材料
    外延生长 高温离子注入 高温离子激活
    场氧生长及沉淀、刻蚀正面欧姆接触正面欧姆注入自对准高温离子注入
    栅氧生长 高温离子注入
    钝化层淀积 背面欧姆接触封装
    2、本项目新增加设备列表
    本项目固定资产投资为767.75万元,拟购置主要设备清单如下:
    序号 设备名称 数量(台/套) 金额(万元)
    一、生产设备投资
    1 二极管浪涌电流能力测试机 5 25.00
    2 5kV 高压 Juno 直流测试机 5 250.00
    3 4~6 英寸晶圆全自动探针台 10 200.00
    4 电子防潮柜 5 3.00
    5 充氮烘箱 5 2.75
    6 超低温除湿干燥柜 5 2.00
    小计 35 482.75
    二、研发测试设备
    1 5kV 高压探头 10 15.00
    小计 10 15.00
    合计 45 497.75
    3、本项目新增土建投资列表
    本项目需进行装修及配套设施投入,投资总金额为270.00万元。具体明细如下:
    序号 项目 建筑面积(㎡) 金额(万元)
    1 净化间装修及配套设施 800.00 240.00
    2 普通间装修及配套设施 200.00 30.00
    合计 1000.00 270.00
    4、本项目新增加软件投资列表
    本项目软件投资为280.00万元,具体明细如下:
    序号 设备名称 数量(License) 金额(万元)
    1 SentaurusTCAD 6 90.00
    2 SILVACO 6 90.00
    3 Cadence 1 20.00
    4 ANSYS 1 30.00
    5 MBP 2 10.00
    6 Saber 1 40.00
    合计 17 280.00
    (五)主要原材料和动力的供应情况
    1、主要原辅材料
    公司是专业化垂直分工厂商,芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。通过多年的市场开发,公司已与主要供应商建立了长期稳定的业务合作关系,具有良好的合作经验,可保障本项目产品的采购供应需求。
    2、主要动力供应
    本项目建设基础设施建设良好,水电供应充分保障,成本比较低,能够保证项目建设的正常进行。
    (六)项目竣工时间、产量、产品销售方式
    本项目计划建设期36个月,计划分5个阶段实施完成,包括:项目考察、设计阶段;场地装修阶段;设备购买与调试阶段、人员招聘培训阶段及产品研发升级阶段。项目建成后,公司的半导体功率器件产品升级、品种和产量扩大,产品性能提升,市场占有率将进一步提高。
    具体产品销售模式参见本招股意向书“第六节业务和技术”之“四、(三)
    主要经营模式”之“3、销售模式”。(七)项目的组织及实施
    1、组织实施
    本项目由公司研发经理负责,按实施阶段分步进行;各部门经理为项目主要成员,各部门职责明确,分工到位,各项管理制度高效执行,贯穿于整个项目运行中。
    2、项目进度计划
    本项目计划建设期36个月,计划分5个阶段实施完成,具体如下:
    项目计划
    项目建设期(36 个月)
    1-6 月 7-12 月 13-18 月 19-24 月 25-30 月 31-36 月
    项目考察、设计场地装修设备购买与调试人员招聘培训产品研发升级
    (八)项目的经济效益
    项目建设期为36个月,即为T+1期至T+3期。根据规划,项目建设期公司将完成SiC SBD及SiC MOSFET系列产品的研发。同时,T+1期部分开发产品陆续正式投产,T+1期达到设计产能的40%,T+2期产能达到80%,T+3期完全达产。根据可行性研究报告,在各项经济因素与可行性研究报告预期相符的前提下,本项目的经济效益评价指标测算结果如下:
    指标名称 指标值
    年平均销售收入(万元) 9541.13年平均利润总额(万元) 855.04年平均上缴所得税(万元) 128.26年平均税后利润(万元) 726.78年总投资收益率 7.49%
    所得税前 所得税后
    内部收益率 16.64% 14.74%
    财务净现值(ic=10%)(万元) 1901.29 1304.56投资回收期(含建设期) 7.06 7.36
    五、研发中心建设项目
    (一)项目投资概算
    本项目位于无锡新吴区,研发一路以东,研发二路以南地块。项目旨在完善和加强公司在半导体功率器件领域的综合技术研发能力与项目产业化能力,依托公司研发中心,充分调动产业链核心技术资源,创新开发功率器件领域的新技术、新产品,打破国际大厂在高端功率器件上的长期垄断地位。研发中心计划开展的主要研发项目有:高能效高可靠性电机驱动系统中功率器件的研发与产业
    化、低能耗大功率MOSFET模块的研发及功率器件综合实验室的升级。
    项目总投资为5501.86万元,具体投资构成如下:
    单位:万元
    序号 项目 投资额 占比 第一年
    1 固定资产投资 5335.86 96.98% 5335.86
    1.1 设备投资 4870.86 88.53% 4870.86
    1.2 土建投资 465.00 8.45% 465.00
    2 软件投资 166.00 3.02% 166.00
    合计 5501.86 100.00% 5501.86
    (二)项目的必要性和可行性
    1、项目的必要性
    (1)改善研发环境、提升研发能力,缩小与国际企业在高端市场的差距
    公司始终坚持研发是保持竞争力的核心要素,依靠持续不断的研发投入和技术突破为客户提供高可靠性、高性价比产品,保障公司的可持续发展。国际一流半导体功率器件厂商均有完备的器件评测综合实验室,而国内厂商在硬件设备、配套软件及人才技能等方面与国外相比差距较大,公司亟需通过建设高端的研发
    中心,进一步改善研发环境、提升自身研发能力,缩小与国际一流半导体企业在高端产品市场的差距。本项目的实施,能够为公司打造高端技术研发平台,建立评测能力全面、专业的综合实验室,为产品研发、量产以及售前售后过程提供准确、可量化、可追溯的数据支撑,进而缩小与国际企业的差距,为公司进一步开发高端产品、进军高端市场提供有力条件。
    (2)保持细分行业领先优势,进行前瞻性布局,为持续技术创新提供保障
    半导体功率器件行业亦存在摩尔定律,行业内企业若不能紧跟行业的快速发展趋势则最终会被淘汰,而且半导体功率器件下游应用领域产品日新月异,产品的形态、功能在短时间内都可能发生很大的变化,技术和产品更新换代速度日趋加快,客观上要求公司具备持续创新的能力,以不断适应市场变化并保持细分行业的领先优势。此外,近年来半导体功率器件产品的平台化、系列化、多样化趋势明显,公司作为国内领先的半导体功率器件设计领域企业之一,必须前瞻性的预测半导体功率器件技术的发展方向,并借助高端的研发中心平台进行持续的技术探索,进而不断丰富产品品类,拓展产品应用领域,最终增强公司盈利能力和核心竞争力。本项目建设将提升公司在高端半导体功率器件开发的工艺水平及研发能力,为持续技术创新提供保障,为抢占市场先机奠定基础。
    (3)吸引和培养高端人才,推动在系统应用领域和新一代产品的研发进度
    半导体功率器件属于智力密集型行业,在工艺、软件、设计等多方面对创新型人才的数量和质量均有较高要求。公司对人才的引进及培养迫切需要建设高端研发中心。首先,高端研发中心能够提供先进的研发设备,这是引进高端人才的先决条件,公司拟通过本项目采购先进的研发设备,满足研发人员在各方面的研发需求;其次,高端人才的引进需要持续的资金支持,公司拟通过不断的资本投入,开展多方位的研发项目,吸引更多的优秀人才加入公司;最后,公司现有研发人员的研发水平需进一步提升,这需要建立完善的研发体系,以高端的研发中心为基础对研发人员进行后续培养。此外,公司可通过建设高端研发中心可助力产学研等合作成果进行转化。本项目的实施,对公司吸引和培养高端人才,提升研发人员技术水平,推动公司在系统应用和新一代半导体功率器件产品等方面的研发进度十分必要。
    2、项目的可行性
    (1)项目建设符合国家产业政策的发展要求国家发展改革委员会《产业结构调整指导目录》(2011年)明确指出“国际认定的企业技术中心、重点实验室、新产品开发设计中心、科研中试基地、实验基地建设”等为国家鼓励发展的产业。研发中心项目的实施有助于进一步提升公司的自主研发能力和科技成果转化能力,丰富公司的产品种类,尤其补强高端产品的产品线,进一步拉大与国内同行业竞争者的技术差距,巩固公司在国内半导体功率器件领域的领先地位;为打破国外垄断、打入国内高端行业客户提供了产品保证,为我国核心半导体功率器件国产替代打下基础。近年来,公司多项科研攻关项目得到政府部门的政策支持;在未来,随着不断承担省级、国家级重点项目,公司将进一步得到政府资金方面的支持,这都为研发中心的建设提供政策的保障,符合国家产业政策的发展要求。
    (2)研发团队和研发经验及能力为项目实施提供有效支撑公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一,是“中国半导体功率器件
    十强企业”,目前建有江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工
    作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司专注于半导体芯片和功率器件的设计研发,具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主的工艺技术平台,掌握了屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、IGBT等特色工艺技术,并形成了具有自主知识产权的核心技术体系。公司是国内率先量产全球先进技术的屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司之一,拥有一支经验丰富的研发团队,截至2019年12月31日,公司研发人员占员工比例超过36%。
    公司重视与科研院所合作、联合攻关,在半导体功率器件研发过程中获得多项突破,参与在IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文13篇,其中SCI收录论文7篇。
    公司强大的研发团队、深厚的研发经验和较强的研发能力,为本项目的实施提供了有效支撑。
    (三)项目新增加设备、土建及软件情况
    1、本项目新增加设备列表
    本项目购置的硬件设备包含研发、测试等设备,拟购置主要设备清单如下:
    序号 设备名称 数量(台/套) 金额(万元)
    1 混合域示波器 3 93.60
    2 数据采集器 3 5.10
    3 罗氏线圈 5 20.00
    4 高压差分探头 4 10.00
    5 非隔离探头 8 1.20
    6 可编程电源(艾德克斯 IT6333A) 1 1.30
    7 可编程电源(PPS1020) 1 0.90
    8 交流变频稳压电源 2 7.60
    9 函数发生器 2 2.00
    10 电子负载(艾德克斯 IT8512B+) 2 0.80
    11 电子负载(艾德克斯 IT8513C+) 2 1.60
    12 万用表 5 1.40
    13 钳形电流表 4 0.96
    14 红外热像仪 2 16.00
    15 高低温试验箱 2 60.00
    16 功率分析仪(横河 WT1800) 2 50.00
    17 功率分析仪(PF5000) 1 17.00
    18 数字功率计 2 8.00
    19 交流波形测试仪 2 12.60
    20 三相智能现场电量测量仪 2 19.00
    21 LED 驱动电源性能测试仪 4 64.00
    22 电源适配器性能分析测量系统 4 58.00
    23 电子镇流器性能分析系统(HB-6B) 1 12.00
    24 电子镇流器性能分析系统(HB-4A) 1 12.00
    25 电子镇流器性能分析系统(HB-4B) 2 28.00
    26 高频(10MHz)数字电桥 2 13.00
    27 可编程交流电源 2 26.00
    28 大功率可编程直流电源 2 19.00
    29 Leica 显微镜 2 60.00
    30 远方静电发生器 1 3.60
    31 热冲击老化箱 1 28.00
    32 PCT 测试设备 1 9.00
    33 磁粉测功机(1200W) 1 25.00
    34 磁粉测功机(1600W) 1 40.00
    35 酸开封机 1 5.00
    36 拉力剪切力测试系统 1 12.00
    37 跌落试验机 1 6.00
    38 磨抛机 1 3.00
    39 可焊性测试仪 1 30.00
    40 雷击浪涌发生器 1 3.00
    41 电子防潮柜 2 1.20
    42 充氮烘箱 2 1.10
    43 超低温除湿干燥柜 2 0.80
    44 光纤激光打标机 1 8.00
    45 EMI 电磁干扰测试系统 1 80.00
    46 汽车电子 EMC 测试系统 1 32.00
    47 工业缝纫机系统测试平台 1 10.00
    48 无线充电系统测试平台 1 2.00
    49 5kW 大功率电源系统测试平台 1 20.00
    50 高速 250Kw 电动车新能源电力系统测试平台 1 200.00
    51 45KW 伺服电力测功机 1 50.00
    52 IGBT750W~100kW 变频器系统测试平台 1 300.00
    53 锂电池保护系统测试平台 1 30.00
    54 电焊机系统测试平台 1 20.00
    55 新能源汽车充电桩测试系统 1 65.00
    56 微光漏电显微镜 1 300.00
    57 FIB-SEM 1 280.00
    58 离子束抛光仪 1 250.00
    59 椭圆偏振光谱仪 1 150.00
    60 俄歇表面分析仪 1 250.00
    61 SiC 晶圆切割机 1 100.00
    62 SiC 晶圆减薄机 1 520.00
    小计 111 3455.76
    1 ITC 功率器件动态测试系统 1 184.00
    2 功率模块交流测试系统 1 218.00
    3 HTRB/HTGB 测试系统 6 108.00
    4 H3TRB 测试系统 6 174.00
    5 功率循环可靠性测试系统 4 120.00
    6 MOSFET 间歇寿命试验系统 4 100.00
    7 热阻测试系统 2 28.00
    8 场效应雪崩(EAS)自动测试系统 5 99.00
    9 Juno 直流测试机 5 150.00
    10 全自动探针台 2 54.00
    11 TO-220 分选机 3 18.00
    12 TO-247 分选机 3 22.50
    13 高温可靠性老化板 20 7.00
    14 高温高湿可靠性老化板 20 9.00
    15 PCT 测试夹具 20 0.60
    16 环境及可靠性试验设备(YFD-1500 防尘试验箱) 1 28.00
    17 环境及可靠性试验设备(YFS-1300 盐雾试验箱) 1 13.00
    18 环境及可靠性试验设备(YFL-500 漏电起痕试验仪) 1 7.00
    19 浪涌冲击电流测试仪 2 16.00
    20 高压脉冲试验仪 2 14.00
    21 XRF 测试设备 1 45.00
    小计 110 1415.10
    合计 221 4870.86
    2、本项目土建投资列表
    本项目需进行装修及配套设施投入,投资总金额为465.00万元。具体明细如下:
    序号 项目 建筑面积(㎡) 金额(万元)
    1 净化间装修及配套设施 1300 390.00
    2 普通间装修及配套设施 500 75.00
    合计 1800 465.00
    3、本项目新增加设软件列表
    本项目软件投资总金额为166.00万元。具体明细如下:
    序号 软件名称 数量 金额(万元)
    1 Altiumdesigner 5 50.00
    2 专利检索软件 5 10.00
    3 MentorPads 5 40.00
    4 激光标刻控制软件 1 6.00
    5 Multism 5 15.00
    6 Proteus 5 30.00
    7 Matlab 5 15.00
    合计 31 166.00
    (四)项目竣工时间
    本项目计划建设期12个月,计划分4个阶段实施完成,包括:项目考察、设计阶段;场地装修阶段;设备购买与调试阶段;人员招聘培训阶段。
    (五)项目的组织及实施
    1、组织实施
    本项目由公司研发经理负责,按实施阶段分步进行,各部门经理为项目主要成员,明确各部门的职责,分工到位,各项管理制度高效执行,贯穿于整个项目运行中。
    2、项目进度计划
    本项目计划建设期12个月,具体如下:
    项目计划
    项目建设期(12 个月)
    1-3 月 4-6 月 7-9 月 10-12 月
    项目考察、设计场地装修设备购买与调试人员招聘培训
    (六)项目的经济效益
    本项目实施后,虽不产生直接的经济效益,但研发中心的建设将提升公司整体研发实力、提高核心竞争力,研发实力的提升可增强客户对公司的信任度,进
    一步强化公司的品牌优势,扩大市场份额,实现公司长远的战略目标。

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