新洁能(605111)点评：持续发力AI 电源及汽车电子

新洁能在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结 MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动 IC、 电源管理 IC、IPM智能功率模块、MCU 等产品，目前产品型号4000 余款，电压覆盖12V~1700V 全系列。


　　积极调整产品结构，持续发力AI 电源及汽车电子。截至2025 年，工业自动化营收占比达32%，光伏储能16%，汽车电子20%，AI 算力及通信5%，泛消费13%，机器人5%，智能短交通3%。


　　公司的MOSFET、IGBT、SiC 等功率半导体产品可广泛应用于AI 服务器及数据中心的电源供应单元、电压调节模块、HVDC 系统及SST 等关键环节。公司相关产品成功导入多家新兴海内外市场的批量销售，且更多的产品在高端客户开展送样验证。


　　汽车电子领域，针对48V 车载系统开发的80V-150V 功率MOSFET 产品已实现大规模量产，并进入客户端小批量试产阶段，面向800V 高压平台的车规级SiC MOSFET 处于验证阶段。


　　下调盈利预测，维持“买入”评级。考虑到公司增加投片量需要时间，同时公司汽车电子等业务增速高，毛利率提升仍面临一定压力，下调26 年营业收入预测至23.78 亿元（原预测26.24 亿元），下调毛利率预测至33.9%（原预测37.5%），下调归母净利润预测至5.74 亿元（原预测6.83 亿元），新增2027-2028 年归母净利润预测分别为7.38、9.36 亿元，当前股价对应26-28 年PE 分别为72、56、44x，参考同业可比公司27 年平均PE 为79x（华润微、士兰微分别为87x、78x），仍有40%以上空间，维持“买入”评级。


　　风险提示：IGBT 进展低于预期、SiC/GaN 进展低于预期、功率器件市场景气度持续性。

□.杨.紫.璇./.杨.海.晏    .上.海.申.银.万.国.证.券.研.究.所.有.限.公.司